甲斐 正 | (株)東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
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甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
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永瀬 俊彦
(株)東芝研究開発センター
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永瀬 俊彦
(株)東芝 研究開発センター
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秋山 純一
(株)東芝 研究開発センター
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喜々津 哲
(株)東芝 研究開発センター
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秋山 純一
(株)東芝研究開発センター
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池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
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喜々津 哲
(株)東芝, 研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝
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喜々津 哲
(株)東芝
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與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
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岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
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前田 知幸
株式会社東芝研究開発センター
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池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
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浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
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池川 純夫
東芝研究開発センター
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與田 博明
東芝 研開セ
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天野 実
(株)東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
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岸 達也
(株)東芝研究開発センター
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土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
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中山 昌彦
(株)東芝研究開発センター
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土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
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前田 知幸
(株)東芝 研究開発センター
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稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
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田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
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田原 修一
日本電気株式会社
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相川 尚徳
(株)東芝研究開発センター
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上田 善寛
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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梶山 健
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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下村 尚治
(株)東芝
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土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
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石綿 延行
Necデバプラ研
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吉川 将寿
(株)東芝 研究開発センター
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波田 博光
日本電気(株)
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田原 修一
NEC基礎研究所
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土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
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與田 博明
株式会社東芝研究開発センター
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浅尾 吉昭
株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
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池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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波田 博光
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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甲斐 正
株式会社東芝研究開発センター
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田原 修一
NECシステムデバイス研究所
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渡辺 陽二
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小瀬木 淳一
(株)東芝研究開発センター
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西山 勝哉
(株)東芝研究開発センター
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藤岡 直美
(株)東芝研究開発センター
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石上 隆
(株)東芝研究開発センター
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藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
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清水 孝文
(株)東芝半導体研究開発センター
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岩山 昌由
(株)東芝研究開発センター
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石上 隆
(株)東芝 研究開発センター
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渡辺 陽二
(株)東芝半導体研究開発センター
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上田 善寛
(株)東芝半導体研究開発センター
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梶山 健
(株)東芝研究開発センター
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天野 実
東芝
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石上 隆
(株)東芝
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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藤岡 直美
(株)東芝 研究開発センター
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田原 修一
日本電気(株)基礎研究所
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吉川 将寿
東芝 研究開発センター
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滝沢 亮介
(株)東芝 Soc 研究開発センター
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喜々津 哲
東芝
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清水 有威
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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岩田 佳久
(株)東芝 研究開発センター
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板垣 清太郎
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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細谷 啓司
(株)東芝 SoC 研究開発センター
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前田 知幸
東芝研究開発センター
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喜々津 哲
東芝研究開発センター
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喜々津 哲
株式会社 東芝 研究開発センター
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甲斐 正
株式会社 東芝 研究開発センター
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永瀬 俊彦
株式会社 東芝 研究開発センター
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前田 知幸
株式会社 東芝 研究開発センター
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相川 尚徳
株式会社 東芝 研究開発センター
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秋山 純一
株式会社 東芝 研究開発センター
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甲斐 正
東芝
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永瀬 俊彦
東芝
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秋山 純一
東芝
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板垣 清太郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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岩田 佳久
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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清水 有威
(株)東芝半導体研究開発センター
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與田 博明
(株)東芝研究開発センター
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下村 尚治
(株)東芝研究開発センター
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岩田 佳久
東芝 研開セ
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岩田 佳久
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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板垣 清太郎
株式会社東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石綿 延行
日本電気株式会社
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北川 英二
(株)東芝研究開発センター
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藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
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吉川 将寿
(株)東芝研究開発センター
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北川 英二
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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與田 博明
株式会社東芝半導体研究開発センター
著作論文
- 招待講演 MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM (集積回路)
- 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理および一般)
- 垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望(信号処理及び一般)
- 大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)
- 大容量MRAMへの書込み特性の向上
- 熱アシスト磁気記録用交換結合二層媒体
- 熱アシスト磁気記録用交換結合二層媒体(ハードディスクドライブ及び一般)
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体(光記録及び一般)
- FePt薄膜の残留酸素が規則化温度に及ぼす影響(磁性薄膜,磁気記録一般)
- Fet薄膜の残留酸素が規則化温度に及ぼす影響
- [招待論文]Cu添加によるFePt規則合金のfcc-fct転移温度低減(垂直記録,一般)
- FePtCu規則合金の磁気特性の組成依存性
- Cu添加によるFePt規則合金の規則化温度低減 : 合金薄膜
- Cu添加によるFePtの規則化温度低減
- MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- TbCoFe/CoFeB垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体
- 熱アシスト磁気記録のための交換結合二層媒体(光記録及び一般)