MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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本稿ではMRAM開発の最初動向と、64Mbitスピン注入型MRAMに搭載した回路技術について述べる.開発した64Mbit MRAMは、垂直記憶型TMR素子を採用し0.3584μm^2のセルサイズを実現している。また、スピン注入型MRAMで顕在化する読み出し時のディスターブ問題に対し、特に参照セルでの発生を回避可能にする事を目的としたクランプ参照方式を搭載した。さらに、メモリセル特性のバラツキにより読み出しマージンが劣化する事を抑制するため、最適参照方式を併せて搭載した。本64Mbit MRAMは65nmCMOSテクノロジで試作し、そのチップサイズは47mm^2である。
- 2010-04-15
著者
-
天野 実
(株)東芝研究開発センター
-
稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
-
岸 達也
(株)東芝・研究開発センター
-
浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
渡辺 陽二
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝SoC研究開発センター
-
甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
-
上田 善寛
(株)東芝 SoC 研究開発センター
-
梶山 健
(株)東芝 SoC 研究開発センター
-
岸 達也
(株)東芝研究開発センター
-
下村 尚治
(株)東芝
-
藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
-
清水 孝文
(株)東芝半導体研究開発センター
-
岩山 昌由
(株)東芝研究開発センター
-
池川 純夫
(株)東芝 基礎研究所
-
浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
-
渡辺 陽二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
上田 善寛
(株)東芝半導体研究開発センター
-
藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
-
梶山 健
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝研究開発センター
-
稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
-
藤田 勝之
Center for Semiconductor R&D, Toshiba Corporation
-
甲斐 正
(株)東芝 研究開発センター
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