スピンバルブGMRにおけるESD耐性のリード構造依存性
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概要
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サブミクロン再生トラック幅に対応するためには、リードオーバーレイド再生ヘッド構造の採用がSVGMRヘッドの耐ESD性の向上にとって有用であることがわかった。リードオーバーレイド構造ヘッドにおいては、1umトラック幅、1umハイトで約44Vの高いピン反転電圧を示した。また、実ヘッドを模擬した再生テストエレメントを作製し、HBM-ESD実験によりアバットジャンクションおよびリードオーバーレイドヘッド構造のESD耐性への影響を考察した。その結果、アバットジャンクション構造に比べリードオーバーレイド構造は、ジャンクション抵抗を低下させることができESD電圧を向上できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-18
著者
-
佐橋 政司
(株)東芝 研究開発センター
-
大沢 裕一
(株)東芝研究開発センター、材料・デバイス研究所
-
佐橋 政司
東芝総研
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
與田 博明
東芝
-
舟山 知巳
(株)東芝、研究開発センター
-
坂田 浩実
(株)東芝、研究開発センター
-
佐橋 政司
(株)東芝研究開発センター
-
佐橋 政司
東芝・総研
-
大沢 裕一
(株)東芝研究開発センター
-
佐橋 政司
東芝 研開セ
-
大沢 裕一
(株)東芝 研究開発センター:東北大学 電気通信研究所
-
佐橋 政司
(株)東芝
-
舟山 知巳
(株)東芝 材料デバイス研究所
-
坂田 浩実
(株)東芝 研究開発センター
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