MRAM多層化における各種検出方法のMTJ抵抗の重み付け係数の最適化〔集積エレクトロニクス〕
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概要
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磁気トンネル接合(MTJ)を2層に直列接続する磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルの多層構造において,直列接続の電流・電圧検出,並列接続の電流・電圧検出の各場合について,抵抗値の重み付け係数κには最適値が存在し,MTJの電圧依存性,磁気抵抗(MR)比に依存することを初めて示した.これにより,多層化における信号マージンを最適化するには,MR比が1までは直列接続が高感度に検出できることを定量的に示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-02-01
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