大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
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概要
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階層ビット線構造を用いたクロスポイントセル型MRAMを提案した. 本セルは6F^2のセルサイズをもち、通常のクロスポイントセルよりも高速動作が可能である. 本論文では0.13μmルールのCMOS回路上にサイズが0.24×0.48μm^2の磁気トンネル接合(MTJ)とヨーク配線をインテグレートして1Mb-MRAMを試作した. 動作電圧1.5Vで250nsのランダムアクセスタイムを実証. また、新しい磁化反転方式によりディスターブ・ロバストなセルを提案・実証した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
石綿 延行
Necデバプラ研
-
波田 博光
日本電気(株)
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
-
與田 博明
株式会社東芝研究開発センター
-
浅尾 吉昭
株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
-
池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
-
石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
波田 博光
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
甲斐 正
株式会社東芝研究開発センター
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
甲斐 正
(株)東芝研究開発センター
-
浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
-
土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
-
池川 純夫
東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
石綿 延行
日本電気株式会社
-
與田 博明
株式会社東芝半導体研究開発センター
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