[特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
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概要
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不揮発性、高速性、大容量化を併せ持つランダムアクセスメモリとして期待されているMRAMが、期待に応えるための技術課題を明確化し、それら課題を克服するための技術候補をレビューする。さらに最大課題と考えられている書き込み電流低減を克服する技術候補であるヨーク付き配線を導入したMRAMの試作評価結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-03
著者
-
石綿 延行
Necデバプラ研
-
斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
-
斉藤 好昭
東芝
-
田原 修一
NEC基礎研究所
-
土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
-
與田 博明
株式会社東芝研究開発センター
-
浅尾 吉昭
株式会社東芝セミコンダクター社、SoC研究開発センター
-
斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
-
上田 知正
株式会社東芝研究開発センター
-
菊田 邦子
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
岸 達也
株式会社東芝研究開発センター
-
池川 純夫
株式会社東芝研究開発センター
-
石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
浅尾 吉昭
(株)東芝 研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝 研究開発センター
-
田原 修一
日本電気(株) システムデバイス研究所
-
田原 修一
日本電気株式会社
-
田原 修一
NECシステムデバイス研究所
-
池川 純夫
(株)東芝研究開発センター
-
與田 博明
(株)東芝
-
岸 達也
(株)東芝研究開発センター
-
浅尾 吉昭
(株)東芝研究開発センター
-
土田 賢三
(株)東芝半導体研究開発センター
-
土田 賢二
(株)東芝半導体研究開発センター
-
石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
-
菊田 邦子
日本電気株式会社ulsiデバイス開発研究所
-
斉藤 好昭
東芝 研開セ
-
池川 純夫
東芝研究開発センター
-
與田 博明
東芝 研開セ
-
石綿 延行
日本電気株式会社
-
與田 博明
株式会社東芝半導体研究開発センター
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