7a-YG-17 半導体εFeSi中間層を持つFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の輸送特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1997-09-16
著者
-
斉藤 好昭
東芝・基礎研
-
猪俣 浩一郎
東芝・基礎研
-
斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
-
斉藤 好昭
東芝
-
猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構
-
斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
-
斉藤 好昭
東芝 研開セ
-
猪俣 浩一郎
(株)東芝 研究開発センター:科学技術振興機構
関連論文
- 29a-PS-30 Co/Cu人工格子膜の界面構造とGMRのアニール温度依存性
- 4a-YA-7 Co/Cu, NiFe/Cu/Co/Cu人工格子膜の界面構造とMR変化率
- 29a-YQ-3 Co/Cu, Fe/Cr人工格子膜の巨大磁気抵抗効果の温度依存性
- 25p-N-12 ^Co核NMRから見た界面とMR変化率の相関
- Coフェライトを用いたスピンフィルタ素子の作製
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響(スピンエレクトロニクス)
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響
- 自己差動メモリ素子の作製とその検出
- 反平行結合フリー層の熱擾乱耐性
- [特別招待講演]MRAMの高性能化とその課題(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- ピン層にCoFe/CoFeO_x/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の耐熱性の改善(薄膜)
- 大容量MRAMの展望
- サブミクロンTMR素子のスイッチング磁場
- デイープサブミクロン強磁性二重トンネル接合素子
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- MRAM用強磁性二重トンネル接合の性能と将来性
- ナノ構造強磁性二重トンネル接合における磁気抵抗効果
- MRAM用低抵抗強磁性二重トンネル接合素子
- 二重トンネル接合強磁性中間層のスイッチング特性
- 強磁性ナノ粒子層を介した二重トンネル接合のTMR
- 強磁性一重および二重トンネル接合のTMR
- 強磁性ナノ粒子を用いた二重トンネル接合のTMR
- 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存トンネル
- 28p-J-14 強磁性2重トンネル接合の磁気抵抗
- 1a-S-8 Co/Cu,Co-Fe/Cu人工格子膜の巨大磁気抵抗効果の温度依存性
- Co基ハーフメタルホイスラー合金の構造とトンネル磁気抵抗効果
- MRAM : 開発の最前線
- 強磁性ナノ粒子層を介した二重トンネル接合の磁気抵抗 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
- 強磁性ナノ粒子と強磁性電極間のスピン依存トンネル
- 7a-YG-17 半導体εFeSi中間層を持つFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の輸送特性
- 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存トンネル
- 29a-WB-3 B20構造およびbcc構造FeSi中間非磁性層をもつFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の磁気的電気的特性
- 人工格子の層間交換結合と量子サイズ効果
- 磁性体/半導体人工格子の交換結合
- 金属人工格子のGMRと界面構造
- Fe/FeSi人工格子膜の磁気及び輸送特性
- 3p-YA-18 Fe/Si多層膜の温度に依存した交換結合
- 24p-W-13 Co/Mn多層膜の磁性
- 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 不揮発再構成可能な回路へのスピンMOSFETの応用(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- 25p-N-9 Co/CuNi人工格子の層間相互作用の振動周期
- 30a-APS-31 Fe/Cr系人工格子の強磁性層厚による磁気抵抗効果振動現象
- 29p-ZJ-8 (FeCo/Cu)n人工格子膜の巨大磁気抵抗効果
- 第1回アジアフォーラム報告(情報の広場)
- 先進磁性材料の基礎および応用研究
- 人工格子の強磁性共鳴と層間交換結合
- Fe-Si多層膜の交換結合および電気抵抗の温度変化
- MgO(110)基板上Co9Fe/Cu/Co9Feサンドイッチ膜の巨大磁気抵抗効果と磁気異方性 (磁性薄膜の軟磁性・新機能)
- 13a-R-5 磁性多層膜Au/Co/Au/MiFe及びCo/Cuおける電気抵抗率の温度変化
- Spin-based MOSFET の現状と展望
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用II : 2. トンネル磁気抵抗効果
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用I : 1. 巨大磁気抵抗材料・デバイス
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用III : 3. スピントランスファトルクとその応用
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用IV : 4. ハーフメタルとその強磁性トンネル接合への応用
- MgO界面によるCo_2FeAlホイスラー合金薄膜の垂直磁化
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用V : 5. 磁気抵抗効果型メモリおよびセンサへの応用
- 先端メモリ及びロジックICへ向けたスピンMOSFET技術
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用VI : 6. 将来のスピンエレクトロニクスデバイス
- ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- Si基板上への(001)配向MgO薄膜の作製
- Si上に作製したCo_2FeAl_Si_フルホイスラー合金薄膜の結晶構造とスピン伝導特性