猪俣 浩一郎 | 物質・材料研究機構
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概要
関連著者
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猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構
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斉藤 好昭
東芝
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斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝 研開セ
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斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 研究開発センター:科学技術振興機構
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猪俣 浩一郎
(株)東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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斉藤 好昭
(株)東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
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猪俣 浩一郎
東芝 総研
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 基礎研究所
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猪俣 浩一郎
東芝研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝・基礎研
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猪俣 浩一郎
東北大工
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猪俣 浩一郎
都立大理学部
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猪俣 浩一郎
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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猪俣 浩一郎
東芝総研
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中島 健太郎
(株)東芝研究開発センター
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中島 健太郎
東芝
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猪俣 浩一郎
東芝・基礎研
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杉山 英行
(株)東芝 研究開発センター
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猪俣 浩一郎
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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中村 新一
青山学院大学
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介川 裕章
物質・材料研究機構
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井口 智明
(株)東芝 研究開発センター
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杉山 英行
東芝
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中村 新一
(株)東芝研究開発センター
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中村 新一
(株)東芝
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三谷 誠司
物質・材料研究機構
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猪俣 浩一郎
東北大 大学院
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WEN Zhenchao
物質・材料研究機構
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葛西 伸哉
物質・材料研究機構磁性材料センター
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縄手 雅彦
広島大学工学部
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宝野 和博
物質・材料研究機構
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天野 実
(株)東芝研究開発センター
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高橋 有紀子
物質・材料研究機構
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本多 茂男
広島大学工学部
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古林 孝夫
物性研:金材技研
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古林 孝夫
金属材料技術研究所
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古林 孝夫
物質・材料研究機構
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斉藤 好昭
東芝研究開発センターLSI基板技術ラボラトリー
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天野 実
東芝研究開発センター
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高橋 茂樹
東芝研究開発センター
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中島 健太郎
東芝研究開発センター
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高橋 茂樹
(株)東芝研究開発センター
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中島 健太郎
東芝・基礎研
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高橋 茂樹
東芝
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中根 了昌
東京大学
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Mitani Seiji
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University
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Mitani Seiji
National Institute For Materials Science
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Mitani Seiji
Institute For Materials Research Tohoku University
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荻原 英夫
(株)東芝 光・磁気ストレージ開発センター
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田中 雅明
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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荻原 英夫
材料デバイス研究所
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柚須 圭一郎
材料デバイス研究所
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市原 勝太郎
材料デバイス研究所
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柚須 圭一郎
(株)東芝デジタルメディアネットワーク社コアテクノロジーセンター
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WANG Wenhong
物質・材料研究機構
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SHAN Rong
物質・材料研究機構
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WOJCIK Marec
ポーランド科学アカデミー
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猪俣 浩一郎
株式会社東芝研究開発センター
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奥野 志保
株式会社東芝研究開発センター基礎研究所
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猪俣 浩一郎
株式会社 東芝
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斉藤 好昭
株式会社 東芝
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柚須 圭一郎
東芝材料デバイス研
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市原 勝太郎
(株)東芝研究開発センター記憶材料デバイスラボラトリー
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高橋 茂樹
(株)東芝 研究開発センター
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市原 勝太郎
東芝研究開発センター 材料デバイス研究所
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Mitani Seiji
Institute For Materials Research Tohoku University:crest Japan Science And Technology Corporation
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菅原 聡
東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構crest
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天野 実
東芝
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介川 裕章
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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周藤 悠介
東京工業大学大学像情報工学研究所
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Mitani Seiji
National Institute For Materials Science (nims)
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葛西 伸哉
物質・材料研究機構
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山本 修一郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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山本 修一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科:科学技術振興機構CREST
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周藤 悠介
東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構CREST:神奈川科学アカデミー
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中根 了昌
東京大学大学院工学系研究科
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中根 了昌
東京大学大学院工学系研究科:科学技術振興機構CREST
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猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
-
介川 裕章
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
-
三谷 誠司
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
-
周藤 悠介
東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構CREST:神奈川科学アカテミー
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田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科:科学技術振興機構CREST
-
Wen ZhenChao
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
著作論文
- Coフェライトを用いたスピンフィルタ素子の作製
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響(スピンエレクトロニクス)
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響
- 自己差動メモリ素子の作製とその検出
- 反平行結合フリー層の熱擾乱耐性
- デュアルスピンバルブタイプ強磁性二重トンネル接合の熱処理による特性変化
- ナノ構造強磁性二重トンネル接合における磁気抵抗効果
- 強磁性ナノ粒子層を介した二重トンネル接合のTMR
- 強磁性一重および二重トンネル接合のTMR
- 強磁性ナノ粒子を用いた二重トンネル接合のTMR
- 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存トンネル
- 28p-J-14 強磁性2重トンネル接合の磁気抵抗
- Co基ハーフメタルホイスラー合金の構造とトンネル磁気抵抗効果
- 強磁性ナノ粒子層を介した二重トンネル接合の磁気抵抗 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
- 強磁性ナノ粒子と強磁性電極間のスピン依存トンネル
- 7a-YG-17 半導体εFeSi中間層を持つFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の輸送特性
- 強磁性ナノ粒子を介したスピン依存トンネル
- 29a-WB-3 B20構造およびbcc構造FeSi中間非磁性層をもつFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の磁気的電気的特性
- 人工格子の層間交換結合と量子サイズ効果
- 磁性体/半導体人工格子の交換結合
- 金属人工格子のGMRと界面構造
- Fe/FeSi人工格子膜の磁気及び輸送特性
- 先進磁性材料の基礎および応用研究
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用II : 2. トンネル磁気抵抗効果
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用I : 1. 巨大磁気抵抗材料・デバイス
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用III : 3. スピントランスファトルクとその応用
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用IV : 4. ハーフメタルとその強磁性トンネル接合への応用
- MgO界面によるCo_2FeAlホイスラー合金薄膜の垂直磁化
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用V : 5. 磁気抵抗効果型メモリおよびセンサへの応用
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用VI : 6. 将来のスピンエレクトロニクスデバイス
- ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))