猪俣 浩一郎 | 東北大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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杉本 論
東北大学大学院工学研究科
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杉本 諭
東北大
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杉本 諭
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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猪俣 浩一郎
都立大理学部
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猪俣 浩一郎
東芝研究開発センター
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杉本 諭
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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猪俣 浩一郎
東芝 総研
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猪俣 浩一郎
東北大工
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猪俣 浩一郎
(株)東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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猪俣 浩一郎
東芝総研
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猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構
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岡村 進
東北大学大学院工学研究科
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籠谷 登志夫
東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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Kagotani T.
Graduate School Of Engineering Tohoku University
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籠谷 登志夫
東北大学大学院工学研究科
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後藤 龍太
東北大学
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後藤 龍太
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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介川 裕章
物質・材料研究機構
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Sugimoto Satoshi
Department Of Materials Science Graduate School Of Engineering Tohoku University
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宮崎 彩
東北大学大学院工学研究科
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菊地 麻樹
東北大学大学院工学研究科
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介川 裕章
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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前田 徹
住友電気工業(株)アドバンストマテリアル研究所ナノマテリアル研究部
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前田 徹
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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中村 新一
青山学院大学
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正木 達章
東北大学大学院,工学研究科,知能デバイス材料学専攻
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手束 展規
東北大・工
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正木 達章
東北大学大学院 工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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宝野 和博
物質・材料研究機構
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高橋 有紀子
物質・材料研究機構
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宝野 和博
(独)物質・材料研究機構
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宝野 和博
物材機構
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宝野 和博
物質・材料研究機構磁性材料センター
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野崎 隆行
東北大学大学院工学研究科
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所
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高橋 有紀子
(独)物質・材料研究機構 磁性材料センターさきがけ-jst
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猪俣 浩一郎
東北大学工学研究科
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菊地 麻樹
(株)高純度化学研究所
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介川 裕章
東北大学大学院工学研究科
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宝野 和博
物質・材料研究機構 磁性材料セ
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宝野 和博
物質・材料研究機構材料研究所ナノ組織解析グループ
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明渡 純
産業技術総合研
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阿部 慎也
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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宝野 和博
金材技研
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斉藤 好昭
(株)東芝 研究開発センター
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斉藤 好昭
東芝
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斉藤 好昭
株式会社東芝研究開発センター
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落合 隆夫
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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明渡 純
産業技術総合研究所機械システム研究部門グループ
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槙 智仁
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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槙 智仁
東北大学大学院工学研究科
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廣畑 貴文
CREST-JST
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廣畑 貴文
戦略的創造研究推進事業(CREST)-科学技術振興機構(JST)
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西村 和正
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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宝野 和博
物質・材料研究機構(筑波大学)
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北川 英二
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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斉藤 好昭
東芝 研開セ
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斉藤 好昭
(株)東芝研究開発センター
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広畑 貴文
Jst‐crest
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WEN Zhenchao
物質・材料研究機構
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宝野 和博
独立行政法人物質・材料研究機構磁性材料センター
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北條 雄司
(株)環境電磁技術研究所
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増本 健
電気磁気材料研究所
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斉藤 今朝美
東北大学金属材料研究所
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高梨 弘毅
東北大学金属材料研究所
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石田 清仁
東北大学大学院工学研究科
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藤森 啓安
電磁気研
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藤森 啓安
電気磁気材料研
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石田 清仁
東北大院工
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斎藤 今朝美
東北大金研
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宝野 和博
独立行政法人物質・材料研究機構
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三谷 誠司
東北大学金属材料研究所
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 基礎研究所
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石田 清仁
東北大学未来科学技術共同研究センター
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井口 智明
(株)東芝 研究開発センター
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杉山 英行
(株)東芝 研究開発センター
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猪俣 浩一郎
(株)東芝基礎研究所
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所グループ
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明渡 純
産業技術総合研究所
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杉本 諭
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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平山 亨
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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籠谷 登志夫
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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猪俣 浩一郎
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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Book David
東北大学大学院工学研究科
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太田 博康
(株)環境電磁技術研究所
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菊池 麻樹
東北大学大学院工学研究科
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渡辺 雅人
財団法人電気磁気材料研究所
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増本 健
財団法人電気磁気材料研究所
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山口 正彦
東北大学大学院工学研究科
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貝沼 亮介
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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ブック デビッド
東北大学大学院工学研究科
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中根 了昌
東京大学
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Mitani Seiji
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University
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Mitani Seiji
National Institute For Materials Science
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Mitani Seiji
Institute For Materials Research Tohoku University
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岡山 克巳
ソニーイーエムシーエス(株)
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村上 義弘
東北大学金属材料研究所
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斎藤 今朝美
東北大学金属材料研究所
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渡辺 雅人
電気磁気材料研究所
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田中 雅明
東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻
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中島 健太郎
ダブリン大・トリニティカレッジ物理
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池田 直路
東北大学大学院工学研究科
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猪俣 浩一郎
(独)物質・材料研究機構
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高橋 由紀子
独立行政法人物質・材料研究機構
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チャン ビサル
東北大学工学研究科
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杉本 諭
東北大学工学研究科
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手束 展規
東北大学工学研究科
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明度 純
産業技術総合研究所
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紅林 秀和
東北大工
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WANG Wenhong
物質・材料研究機構
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SHAN Rong
物質・材料研究機構
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WOJCIK Marec
ポーランド科学アカデミー
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介川 裕章
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
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WANG W.
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
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SHAN R.
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
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紅林 秀和
東北大学大学院工学研究科
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Book D
Department Of Material Science Graduate School Of Engineering Tohoku Uniiversity
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Takanashi K
Institute For Materials Research Tohoku University
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三谷 誠司
物質・材料研究機構
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小林 亮平
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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石田 清仁
東北大学大学院
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貝沼 亮介
東北大学大学院工学研究科
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本間 基文
東北職業能力開発大学校
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JIANG Yong
CREST JST
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Jiang Y
Norwegian Univ. Sci. And Technol. Nor
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小池 伸幸
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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Mitani Seiji
Institute For Materials Research Tohoku University:crest Japan Science And Technology Corporation
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貝沼 亮介
東北大学大学院工学研究科金属フロンティア工学専攻
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菅原 聡
東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構crest
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山口 正彦
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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櫻田 和孝
東北大学大学院工学研究科
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藤原 大輔
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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JIANG Yong
戦略的創造研究推進事業(CREST)-科学技術振興機構(JST)
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北川 英二
東芝研究開発センター
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Wang W.
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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周藤 悠介
東京工業大学大学像情報工学研究所
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Shan R.
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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猪俣 浩一郎
(株)東芝 研究開発センター:科学技術振興機構
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Mitani Seiji
National Institute For Materials Science (nims)
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北川 英二
東北大学大学院工学研究科
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Wenhong Wang
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
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Rong Shan
独立行政法人物質・材料研究機構, 磁性材料センター
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山本 修一郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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山本 修一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科:科学技術振興機構CREST
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周藤 悠介
東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構CREST:神奈川科学アカデミー
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中根 了昌
東京大学大学院工学系研究科
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中根 了昌
東京大学大学院工学系研究科:科学技術振興機構CREST
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猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
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介川 裕章
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
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三谷 誠司
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
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周藤 悠介
東京工業大学像情報工学研究所:科学技術振興機構CREST:神奈川科学アカテミー
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田中 雅明
東京大学大学院工学系研究科:科学技術振興機構CREST
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Wen ZhenChao
物質・材料研究機構:科学技術振興機構CREST
著作論文
- CoFeB/MgO/CoFeBトンネル接合におけるスピン注入磁化反転に対する困難軸方向磁場の影響(スピンエレクトロニクス)
- ピン層にCoFe/CoFeO_x/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の耐熱性の改善(薄膜)
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の面直方向異方性化
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の磁気特性と組織
- ピン層にCoFe/CoFeO_x/CoFeを用いた強磁性トンネル接合の熱処理特性
- Co基ハーフメタルホイスラー合金の構造とトンネル磁気抵抗効果
- フルホイスラーCo_2FeAl_Si_合金を有する強磁性トンネル接合の素子構造とトンネル磁気抵抗効果
- MRAM開発の最新動向 (特集 機能性セラミックス関連材料の現在と今後)
- プラズマ酸化法により作製したCoフェライト薄膜の構造と磁気特性
- Co基フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- プラズマ酸化法により作製したCoフェライト膜の構造, 磁気およびバリア特性
- MRAM開発の現状と将来 (特集 磁気ストレージ・メモリ分野における磁性材料のナノ革新)
- エアロゾル・デポジション法により作製したFe/Ni-Zn-Cuフェライト複合膜における組成制御と電磁ノイズ抑制効果
- L2_1構造を持つCo_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の作製とそれを用いた強磁性トンネル接合素子のトンネル磁気抵抗
- MgO基板上に作製したCo_2V_Fe_Al薄膜の構造と磁性およびトンネル磁気抵抗(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alを用いた強磁性トンネル接合のTMR特性(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- Co基フルホイスラー合金を用いたMTJのTMR特性
- ナノドットFe中間層を有するエピタキシャル強磁性2重トンネル接合におけるコンダクタンスの振動現象(薄膜)
- 永久磁石材料を用いた電磁波吸収体
- B-4-18 希土類-鉄-ボロン化合物の GHz 帯電磁波吸収特性
- (Y_Sm_x) _2Fe_B化合物の自然共鳴と電磁波吸収
- B-4-57 不均化反応生成サブマイクロ鉄粒子のGHz帯電磁波吸収
- Co_2MnGeホイスラー合金薄膜の構造と磁気特性 : 合金薄膜
- ホイスラー合金Co_2V_Fe_xAl薄膜の構造、磁気、電気伝導特性
- 微細加工法により作製したCo_2(Cr_Fe_x)Al/Al-O/Co_Fe_接合のTMR特性
- スピントロニクスの現状と展望 (新春特集 ナノテクノロジー)
- Co_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の結晶構造と磁気・電気伝導特性(薄膜)
- 強磁性ナノドット層を有する二重トンネル接合におけるTMRの増大(薄膜)
- スピントロニクス研究の現状
- Co_2CrGaフルホイスラー合金薄膜を用いたMTJの磁気抵抗効果
- MRAM開発の現状と将来展望 (特集 スピンエレクトロニクス) -- (伝導電子-スピン)
- エアロゾル・デポジション法により作製したNi-Zn-Cuフェライト厚膜の高周波特性
- Co_2CrGaホイスラー合金の結晶構造と磁気・電気伝導特性
- Zn_Fe_O_4薄膜を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- Zn_xFe_O_4薄膜の構造および磁気・電気特性(薄膜)
- サブミクロン反平行結合膜のスピン反転挙動 : 磁気抵抗効果・交換結合
- Co_2Cr_Fe_xAlフルホイスラー合金の構造と磁気・伝導特性
- Co_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いたMTJの磁気抵抗効果
- フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合のTMR
- Co_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いたMTJの磁気抵抗効果
- GaAs(100)基板上のFe/MgOの結晶成長と磁気・電気伝導特性
- 極薄Ruキャップ層を用いたスピンバルブ素子のCPP-GMR特性
- スピン量子ドットメモリ創製に向けて--ナノテクノロジーのパラダイム (特集 戦略的開発研究と実用化)
- 低電流スピン注入磁化反転
- スピンエレクトロニクス研究の展望
- 次世代メモリMRAM
- MRAM開発の現状と将来展望
- 3-3 新機能メモリー素子MRAMの最新技術(3.先端映像情報記録技術とシステムの最新技術)(20世紀の映像情報記録技術と21世紀への期待と課題)
- TMRとそのMRAMへの応用
- スピンエレクトロニクス材料・デバイス(ベーシックサイエンスシリーズ第 12 回)
- 先進磁性材料の基礎および応用研究
- スピンエレクトロニクスの物理現象 (特集 スピンエレクトロニクス--ナノ領域がもたらす技術革新)
- 強磁性ナノドット層を有する二重トンネル接合におけるTMRのエンハンス
- 反平行結合フリー層を用いたGMRスピンバルブ膜の磁化反転特性
- ナノグラニュラー層を中間層に持つ強磁性二重トンネル接合におけるコンダクタンスの揺らぎ
- Coフェライト薄膜の構造と磁気特性
- フェリ磁性結合素子の熱揺らぎ耐性
- スピン二重トンネル接合の磁気抵抗効果
- 配向性M-型バリウムフェライトBa_La_xZn_xFe_ (Me_Mn_)_yO_における金属元素La, Mn, Sn, Zn置換による高マイクロ波吸収特性への効果
- 極薄Ru層によるスピンバルブ素子のCPP-GMRエンハンス
- 解説記事 スピンエレクトロニクス材料
- 17pPSA-33 サブミクロン反平行結合膜の磁化過程
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用II : 2. トンネル磁気抵抗効果
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用I : 1. 巨大磁気抵抗材料・デバイス
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用III : 3. スピントランスファトルクとその応用
- 微細反平行結合素子の磁化状態とスピン反転磁場(薄膜)
- MRAMの最新動向と展望
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用IV : 4. ハーフメタルとその強磁性トンネル接合への応用
- MgO界面によるCo_2FeAlホイスラー合金薄膜の垂直磁化
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用V : 5. 磁気抵抗効果型メモリおよびセンサへの応用
- スピンエレクトロニクスの基礎と応用VI : 6. 将来のスピンエレクトロニクスデバイス
- ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))