明渡 純 | 産業技術総合研
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概要
関連著者
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明渡 純
産業技術総合研
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所グループ
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明渡 純
産業技術総合研究所
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明渡 純
産業技術総合研究所機械システム研究部門グループ
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阿部 信行
大阪大学接合科学研究所
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塚本 雅裕
大阪大学接合科学研究所
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森本 純司
近畿大学理工学部
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明渡 純
産総研
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藤原 俊明
大阪大学大学院
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大橋 啓之
日本電気(株)
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大橋 啓之
NEC
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中田 正文
日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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中村 尚行
大阪大学大学院
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津田 弘樹
産業技術総合研究所
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大橋 啓介
MIRAI-Selete
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田中 正文
NEC機能デバイス研究所
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朴 載赫
産総研
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杉本 諭
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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杉本 論
東北大学大学院工学研究科
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杉本 諭
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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岩波 瑞樹
日本電気株式会社システム実装研究所
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清水 隆徳
MIRAI-Selete
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阿部 信行
大阪大学 接合科学研究所
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中山 斌義
近畿大学理工学部電気電子工学科
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森本 純司
近畿大学
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三宅 正司
阪大溶接研
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黄地 尚義
大阪大学大学院
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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明渡 純
独立行政法人産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門
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杉本 諭
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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三宅 正司
大阪大学接合科学研究所
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中田 正文
NECナノエレクトロニクス研究所
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岩波 瑞樹
NECシステム実装研
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大橋 啓之
NECナノエレクトロニクス研究所
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三宅 正司
近畿大学リエゾンセンター
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黄池 尚義
大阪大学大学院
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甲藤 正人
宮崎大学産学連携センター
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池田 直
岡大院自然
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大橋 啓之
日本電気株式会社 基礎・環境研究所
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中野 禅
産業技術総合研究所
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猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
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甲藤 正人
近畿大学
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馬場 創
(独)産業技術総合研究所
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中村 尚行
近畿大学理工学部
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岩波 瑞樹
日本電気株式会社 生産技術研究所
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中田 正文
日本電気株式会社 基礎・環境研究所
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甲藤 正人
宮崎大学 産学連携センター
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今中 孝
大阪大学大学院
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伊藤 豪彦
近畿大学大学院
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森 正和
龍谷大学 理工学部 機械システム工学科
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岩波 瑞樹
日本電気株式会社
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甲藤 正人
近畿大学理工学部
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門集積加工研究グループ
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中野 人志
近畿大学理工学部
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神戸 高志
岡山大学大学院自然科学研究科
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池田 直
岡山大院自然
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永田 知子
岡大院自然
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福山 諒太
岡大院自然
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井上 光輝
豊橋技科大
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西村 一寛
豊橋技科大
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藤田 雅之
レーザー技術総合研究所
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藤田 雅之
大阪大学 レーザーエネルギー学研究センター
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猪俣 浩一郎
都立大理学部
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大橋 啓之
Mirai-selete:日本電気株式会社
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中野 禅
産総研
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小木曽 久人
産総研
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科材料物性学
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曽我 幸弘
阪大院工
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猪俣 浩一郎
東芝研究開発センター
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内田 裕久
豊橋技術科学大学
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内田 裕久
豊橋技科大
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内田 裕久
東北工業大学
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溝口 真彦
豊橋技科大
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吉田 実
近畿大学理工学部
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野口 真純
東北大学
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峯田 真悟
東北大学
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野口 真純
東北大学大学院
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峯田 真悟
東北大学大学院
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槙 智仁
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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猪俣 浩一郎
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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寺田 健吾
大阪大学大学院
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槙 智仁
東北大学大学院工学研究科
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籠谷 登志夫
東北大学大学院工学研究科
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西村 一寛
鈴鹿工業高等専門学校電気電子工学科
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
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今中 佳彦
(株)富士通研究所 メディアデバイス研究部
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廣瀬 伸吾
独立行政法人 産業技術総合研究所
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廣瀬 伸吾
(独)産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門集積加工研究グループ
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中田 正文
日本電気(株)基礎・環境研究所
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中田 正文
MIRAI-Selet
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塚本 雅裕
大阪大学 接合科学研究所
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中山 斌義
近畿大学・理工
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遠藤 聡人
産業技術総合研究所
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小木曽 久人
産業技術総合研究所
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手束 展規
東北大・工
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レベデフ マキシム
産業技術総合研究所
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レベデフ マキシム
東京計装
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大橋 啓之
Mirai-selete
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小木曽 久人
(独)産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門集積加工研究グループ
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朴 載赫
産業技術総合研究所
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藤原 俊明
近畿大学大学院総合理想学研究科
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塚本 雅裕
大阪大学溶接工学研究所
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水野 章敏
学習院大学理学部
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神戸 高志
岡大院自然
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高橋 庸祐
岡山大学理学部物理
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久保園 芳博
岡山大学大学院自然科学研究科
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池田 直
岡山大学大学院自然科学研究科
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神戸 高志
岡山大院自然
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黒田 朋子
岡大院自然
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北村 聡
岡大院自然
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船江 岳史
岡大院自然
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松尾 祥史
岡大院自然
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君塚 昇
岡大院自然
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藤井 達生
岡山大学大学院自然科学研究科
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鶴見 敬章
東工大理工
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秋元 俊彦
学習院大理
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渡辺 匡人
学習院大理
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芦田 極
産業技術総合研究所
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藤田 雅之
レーザー総研
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黒田 朋子
岡山大院自然
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真栄田 大介
岡山大院自然
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松尾 祥史
大阪府大工
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君塚 昇
岡山大院自然
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猪俣 浩一郎
東北大工
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猪俣 浩一郎
(株)東芝研究開発センター
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猪俣 浩一郎
独立行政法人物質・材料研究機構 磁性材料センター
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河相 暢幸
岡山大理
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浜尾 志乃
岡山大理
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福山 諒太
岡山大院自然
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北村 聡
岡大理
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船江 岳史
岡大理
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永田 知子
岡山大学
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浜尾 志乃
岡山大学
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真栄田 大介
岡山大学
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河相 暢幸
岡山大学
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佐坂 英信
岡山大学
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阿部 伸行
大阪大学
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藤井 達生
岡山大学
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原田 高志
日本電気株式会社
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芦田 極
産総研
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水野. 章敏
学習院大学理学部物理学科
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小木曽 久人
(独)産業技術総合研究所
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清原 正勝
TOTO(株)
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鳩野 広典
TOTO(株)
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岩澤 順一
TOTO(株)
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曽我 幸弘
大阪大学大学院工学研究科
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平山 亨
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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籠谷 登志夫
東北大学 大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻
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森 正和
産業技術総合研究所
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馬場 創
産業技術総合研究所
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北島 明子
産業技術総合研究所
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西 研一
MIRAI-Selete
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増田 則夫
日本電気株式会社 生産技術研究所
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掛本 博文
東工大院理工
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中山 斌義
近畿大学大学院総合理工学研究科
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西 研一
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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中野 裕美
豊橋技術科学大学
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岡山 克巳
ソニーイーエムシーエス(株)
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塚越 常雄
日本電気株式会社
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塚本 雅裕
阪大接合研
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阿倍 信行
阪大接合研
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中野 人志
近大理工
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吉田 実
近大理工
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Watanabe Satoshi
Department Of Materials Science University Of Tokyo
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Watanabe Satoshi
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
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中山 斌義
近畿大学
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今中 孝
近畿大学理工学部
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渡辺 匡人
学習院大
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原田 高志
日本電気株式会社システム実装研究所
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阿部 信行
大阪大学
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増田 則夫
日本電気株式会社
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猪俣 浩一郎
東芝総研
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川邉 裕大
学習院大
-
池田 啓紀
学習院大
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小山 千尋
学習院大
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手束 展規
東北大学大学院工学研究科
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手束 展規
東北大学・工
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小林 亮平
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
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岩田 篤
産業技術総合研究所
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LEBEDEV Maxim
産業技術総合研究所
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宮崎 博史
MIRAI-Selete
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Lebedev M
産業技術総合研究所
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和田 智志
Department Of Metallurgy And Ceramics Science Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Insti
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和田 智史
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
-
掛本 博文
Department Of Inorganic Materials Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
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中野 禅
産業技術総合研
-
鶴見 敬章
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
猪俣 浩一郎
東芝 総研
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三宅 正司
大阪大学大学院工学研究科
-
藤原 俊明
近畿大学
-
塚越 常雄
(株)NECシステム実装研究所
-
寺西 貴志
東京工業大学大学院理工学研究科
-
和田 智志
東京工業大学大学院理工学研究科
-
掛本 博文
東京工業大学大学院理工学研究科
-
福長 脩
エーステック(株)
-
Wada S
Faculty Of Engineering Yokohama National University
-
明渡 純
(独)産業技術総合研究所つくば東事業所 先進製造プロセス研究部門 集積加工研究グループ
-
黄地 尚義
(株)バーチャルウェルド
-
黄地 尚義
大阪大学大学院 知能・機能創成工学専攻
著作論文
- 20aPS-90 酸化鉄化合物-遷移金属酸化物接合系の半導体特性(20aPS 領域8ポスターセッション(低温I(遷移金属化合物,炭化・硼化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pYD-11 酸化鉄化合物/C60接合系におけるPN接合と光学特性(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
- AD法による磁性ガーネット膜の熱処理及び研磨効果
- エアロゾルデポジッション法による磁性ガーネット膜の形成と磁気・磁気光学特性(II)
- (1)エアロゾルデポジション法による常温セラミックスコーティングとプラズマ耐食コーティングとしての実用化開発(技術,日本機械学会賞〔2008年度(平成20年度)審査経過報告〕)
- レーザー援用エアロゾルデポジション法による基材の熱ダメージを抑えた電子セラミックス厚膜の熱処理プロセス
- フェムト秒レーザーによる酸化チタン膜の電気抵抗制御
- エアロゾル・デポジション法によるFe/酸化物複合膜の作製
- 202 半導体レーザ照射によるチタン酸バリウム薄膜の誘電特性向上(レーザー溶接)
- エアロゾル・デポジション法によるFe/NiZnCuフェライト複合膜の成膜過程
- 半導体レーザ照射による精細アニーリング
- 401 プラスチック基板表面上へのマイクロ周期構造形成 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第18報)(薄膜,平成18年度春季全国大会)
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の面直方向異方性化
- 常温衝撃固化現象とエアロゾルデポジション法によるナノ結晶セラミックス膜形成
- 108 超微粒子ビームにより作製したPZT皮膜への半導体レーザ照射 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第17報)(表面改質)
- 107 酸化チタン・ハイドロキシアパタイト複合皮膜形成のビーム入射角度依存性 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第16報)(表面改質)
- 421 多機能光触媒特性を有するチタニア/アパタイト複合膜形成(薄膜)
- 420 ポリ乳酸基板へのハイドロキシアパタイトコーティング : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第15報)(薄膜)
- 419 酸化チタン・ハイドロキシアパタイト複合皮膜の光触媒機能評価 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第14報)(薄膜)
- エアロゾルデポジション法による常温衝撃固化現象と永久磁石の薄膜化
- Sm-Fe-N系エアロゾル・デポジション厚膜の磁気特性と組織
- C-14-4 エアロゾルデポジション法により作製された超小型光ファイバ端電気光学プローブ(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- エアロゾルデポジション(AD)法
- エアロゾルデポジション(AD)を用いた高周波フィルターのエンベッディド化技術 (特集 マイクロ波・ミリ波誘電体)
- エアロゾルデポジションによる高周波受動素子集積化技術
- AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- BS-3-3 光ファイバ型電気光学/磁気光学プローブによる高周波電界/磁界計測(BS-3.GHz超の電磁波計測技術,シンポジウム)
- C-3-58 エアロゾルデポジション法を用いた光配線用PLZT変調器のデバイス設計と導波路特性(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-14-9 エアロゾルデポジション法により作成した超小型光ファイバ端磁気光学プローブ(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- エアロゾルビーム照射により形成されたTiO_2膜の短パルスレーザを用いた電気抵抗制御
- 112 酸化チタン・ハイドロキシアパタイト複合皮膜の特性評価 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第11報)
- 455 酸化チタン・ハイドロキシアパタイトの複合皮膜形成 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第 8 報)
- レーザ援用インクジェット法による微細配線描画(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 微小重力下でのセラミックス製膜技術の開発
- エアロゾル・デポジション法により作製したNi-Zn-Cuフェライト厚膜の高周波特性
- エアロゾル・デポジション法による永久磁石の薄型化
- エアロゾルデポジション法によるナノ結晶ファライト厚膜の形成
- C-3-75 エアロゾルデポジション法により作製されたマッハツェンダー型PLZT変調器のGHz変調動作(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 4218 オンデマンド型メタルベースMEMS製造システムの開発(J24-1 生産機械のマイクロ化(1))
- 1201 オンデマンド型MEMS製造システムの開発(OS1-2 生産システムの運用)
- 419 酸化チタン皮膜形成におけるビーム斜入射効果 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第 7 報)
- エアロゾルデポジッション法によるハイドロキシアパタイト皮膜形成
- 120 ビーム入射角制御によるハイドロキシアパタイトコーティング技術 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第6報)
- 406 ハイドロキシアパタイト皮膜形成のための照射条件に関する実験的検討 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第5報)
- エアロゾルデポジション(AD)法による圧電厚膜形成と光デバイスへの応用
- チタン酸ストロンチウム-チタン酸ジルコニウム固溶体の超広帯域誘電スペクトロスコピー
- AD法による電気光学薄膜の形成と光デバイス応用の可能性
- 301 生分解性プラスチック上へのハイドロキシアパタイト皮膜形成 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第12報)(皮膜形成)
- 3J8-4 エアロゾルデポジション法によるPZT膜を用いた高周波超音波プローブの音響特性(強力超音波)
- エアロゾルデポジション(AD)法の高度化プロセス技術
- 室温成形セラミックス大面積膜の厚さ分布
- AD法におけるプラズマ援用効果 (特集 ナノレベル電子セラミックス材料低温・集積化技術)
- エアロゾルデポジション法による常温衝撃固化現象とその応用(粒子積層プロセスの新しいトレンド)
- エアロゾルデポジション法を用いて形成した圧電セラミックス厚膜の熱処理効果
- 微粒子,超微粒子の衝突固化現象を用いたセラミックス薄膜形成技術 : エアロゾルデポジション法による低温・高速コーティング
- 111 ハイドロキシアパタイト皮膜の特性評価 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第10報)
- エアロゾルデポジションによるα-アルミナ膜の作製と構造的、機械的特性の評価
- 302 皮膜特性に対する粒径の影響 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第13報)(皮膜形成)
- 448 表面形態に及ぼすビーム照射条件の影響 : 超微粒子ビームによる材料加工の基礎的研究(第 9 報)
- 研究開発はどうあるべきか-研究開発と起業- : 研究者の側から見た起業意識と実際
- エアロゾルデポジション法による電子デバイスの低温成形技術
- 圧電・超音波材料 エアロゾルデポジション(AD)法と圧電デバイスへの応用
- 常温衝撃固化現象とエアロゾルデポジション(AD)法による厚膜コーティング
- レーザーディスプレイ用超広角・高速走査MEMS光スキャナーの開発
- 半導体レーザによる機能性セラミックス皮膜への精細アニーリング
- エアロゾルビームを用いたプラスチック基板の表面微細加工
- エアロゾルビーム照射によるポリ乳酸基板へのハイドロキシアパタイトコーティング
- 常温衝撃固化現象とエアロゾルデポジション(AD)法によるセラミックスコーティング
- エアロゾルデポジション法により作製した赤外透過セラミックス・コーティングの検討
- エアロゾルデポジションによる透光性,絶縁コーティング (特集 コーティング技術--ナノテクを含む高機能化の最前線)
- エアロゾルデポジション法の電子デバイスへの応用展開
- この人にきく
- どのように「ブレークスルー」しますか?
- 圧電駆動型メタルベース光MEMSミラーデバイスの開発とその応用 (特集 誘電体薄膜とその実用化動向)