大橋 啓介 | MIRAI-Selete
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概要
関連著者
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大橋 啓介
MIRAI-Selete
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大橋 啓之
日本電気(株)
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大橋 啓之
NEC
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石 勉
MIRAI-Selete
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中田 正文
日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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藤方 潤一
日本電気(株)
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田中 正文
NEC機能デバイス研究所
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中田 正文
Mirai-selete
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所グループ
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明渡 純
産業技術総合研究所
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津田 弘樹
産業技術総合研究所
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明渡 純
産業技術総合研
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明渡 純
産業技術総合研究所機械システム研究部門グループ
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石綿 延行
Necデバプラ研
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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斉藤 信作
日本電気(株)
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明渡 純
(独)産業技術総合研究所
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大橋 啓之
NEC機能デバイス研究所
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斎藤 信作
Nec
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本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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斎藤 美紀子
早稲田大学
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齋藤 美紀子
Nec・機能エレクトロニクス研究所
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岩波 瑞樹
日本電気株式会社システム実装研究所
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齋藤 美紀子
日本電気(株)基礎・環境研究所
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岩波 瑞樹
日本電気
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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野中 義弘
NEC機能デバイス研究所
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鳥羽 環
NEC機能デバイス研究所
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野中 義弘
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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西 研一
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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清水 隆徳
MIRAI-Selete
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大橋 啓之
日本電気株式会社
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大橋 啓之
日本電気株式会社 基礎・環境研究所
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大橋 啓之
Mirai-selete:日本電気株式会社
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斎藤 美紀子
NEC機能デバイス研究所
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大橋 啓之
Mirai-selete
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石綿 延行
NEC機能デバイス研究所
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石 勉
NEC機能デバイス研究所
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斎藤 信作
NEC機能デバイス研究所
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加藤 邦男
早大
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中田 正文
NECナノエレクトロニクス研究所
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岩波 瑞樹
NECシステム実装研
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大橋 啓之
NECナノエレクトロニクス研究所
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石 勉
日本電気(株)基礎・環境研究所
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石 勉
NEC基礎・環境研究所
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柳沢 雅広
日本電気
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石綿 延行
NEC機能エレクトロニクス研究所
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土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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西 研一
MIRAI-Selete
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岩波 瑞樹
日本電気株式会社 生産技術研究所
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中田 正文
日本電気株式会社 基礎・環境研究所
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本庄 弘明
NEC機能デバイス研究所
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柳沢 雅広
日本電気(株)機能エレクトロニクス研究所
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山田 浩治
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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板橋 聖一
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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横田 均
日本電気(株)基礎・環境研究所
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加藤 邦男
日本電気(株)
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牛田 淳
NECナノエレクトロニクス研究所
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土澤 泰
Nttマイクロシステム研
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岩波 瑞樹
日本電気株式会社
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牛田 淳
Mirai‐selete
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斎藤 美紀子
Nec機能エレクトロニクス研究所
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藤方 潤一
NEC基礎・環境研究所
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大橋 啓之
NEC基礎・環境研究所
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山田 浩治
Nttマイクロシステム研
-
土澤 泰
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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渡辺 俊文
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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山田 浩治
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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板橋 聖一
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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牛田 淳
Mirai-selete
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山田 浩治
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:NTT Microsystem Integration Laboratories
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山田 浩治
NTT
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山口 正洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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安道 徳昭
日本電気株式会社
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西 英隆
Nttマイクロシステムインテグレーション研究所
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斎藤 美紀子
NEC
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荒井 賢一
東北大学電気通信研究所
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石 勉
日本電気 機能デバイス研究所
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本庄 弘明
日本電気 機能デバイス研究所
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石綿 延行
日本電気 機能デバイス研究所
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大橋 啓之
日本電気 機能デバイス研究所
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石 勉
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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中田 正文
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
中田 正文
MIRAI-Selet
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石原 邦彦
日本電気(株)基礎・環境研究所
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栗山 敏秀
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
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玉置 尚哉
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
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増田 則夫
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
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山口 正洋
東北大学
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西 英隆
Nttマイクロシステム研
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山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
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荒井 賢一
東北大学
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藤方 潤一
MIRAI-Selete
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鈴木 信夫
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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西 研一
NEC基礎・環境研究所
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藤方 潤一
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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西 英隆
Nttマイクロシステムインテグレーション研
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藤方 潤一
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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仲谷 栄伸
電気通信大学
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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川島 麻子
早大理工
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安道 徳昭
日本電気(株)生産技術研究所
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大橋 啓之
日本電気(株)基礎・環境研究所
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横島 時彦
早大理工
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逢坂 哲彌
早大理工
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石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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原田 高志
日本電気株式会社
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大嶋 則和
Necデバプラ研
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大嶋 則和
NECシリコンシステム研究所
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増田 則夫
日本電気株式会社 生産技術研究所
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中田 正文
日本電気 機能デバイス研究所
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藤方 潤一
日本電気 機能デバイス研究所
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石原 邦彦
日本電気 機能デバイス研究所
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森 茂
日本電気 機能デバイス研究所
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永原 聖万
日本電気 機能デバイス研究所
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深見 栄三
日本電気 機能デバイス研究所
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鈴木 富士夫
NEC
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鳥羽 環
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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斉藤 信作
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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斎藤 美紀子
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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野中 義弘
日本電気 (株) 機能デバイス研究所
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鳥羽 環
日本電気 (株) 機能デバイス研究所
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斎藤 信作
日本電気 (株) 機能デバイス研究所
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五明 明子
日本電気
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西 研一
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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石綿 延行
Nec
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中西 卓也
早大・材研
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斉藤 信作
Nec デバイスプラットフォーム研
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廣瀬 伸吾
独立行政法人 産業技術総合研究所
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廣瀬 伸吾
(独)産業技術総合研究所先進製造プロセス研究部門集積加工研究グループ
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塚越 常雄
日本電気株式会社
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栗山 敏秀
Nec実装研
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玉置 尚哉
日本電気(株)
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増田 則夫
日本電気(株)
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栗山 敏秀
日本電気(株)
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安道 徳昭
NEC
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玉置 尚哉
NEC
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増田 則夫
NEC
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加藤 邦男
NEC
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卜 金清
東北大学
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柳沢 雅広
早稲田大学生命医療工学研究所
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原田 高志
日本電気株式会社システム実装研究所
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卜 金清
東北大学電気通信研究所
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増田 則夫
日本電気株式会社
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馬場 寿夫
日本電気(株)基礎・環境研究所
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牛田 淳
Nec基礎・環境研究所:(財)光産業技術振興協会
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栗山 敏秀
NEC デバイス評価技術研究所 EMC技術センター
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横島 時彦
早稲田大学 理工学術院
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安道 徳昭
日本電気(株)デバイス評価技術研究所
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宮崎 博史
MIRAI-Selete
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大橋 啓之
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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湯川 弘章
MIRAI-Selete
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古江 勝也
MIRAI-Selete
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鈴木 信夫
MIRAI-Selete
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林 伸夫
電気通信大学
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最上 徹
MIRAI-Selete
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五明 明子
MIRAI-Selete
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塚越 常雄
(株)NECシステム実装研究所
-
藤方 潤一
日本電気株式会社 基礎研究所
-
石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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仲谷 栄伸
電気通信大学情報工学科
-
柳沢 雅広
早稲田大学 生命医療工学研究所
-
仲谷 栄伸
電気通信大学電気通信学部情報工学科
-
明渡 純
独立行政法人 産業技術総合研究所
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仲谷 栄伸
電通大
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塚越 常雄
Nec
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五明 明子
Nec基礎・環境研究所
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斉藤 信作
Nec
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津田 弘樹
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
石綿 延行
日本電気株式会社
-
塚越 常雄
NECキャピタルソリューション株式会社
-
馬場 寿夫
日本電気(株) システムデバイス・基礎研究本部
-
西 英隆
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:NTTナノフォトニクスセンタ
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土澤 泰
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテグレーション研究所:日本電信電話株式会社ナノフォトニクスセンタ
著作論文
- 電析CoNiFe膜の結晶構造, 膜密度と飽和磁化
- C-14-4 エアロゾルデポジション法により作製された超小型光ファイバ端電気光学プローブ(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 超小型コアヘッドによる高周波磁気記録
- SC-5-6 スピントンネル素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッド
- SC-5-4 Co-Ni-Feめっき膜を用いた高密度記録ヘッドの開発
- 高飽和磁化磁極を用いた記録ヘッド : 高速記録用小型コアCo-Ni-Fe記録ヘッド
- MR2000-15 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- 高Bs記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性
- 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- 透明機能性薄膜による超小型高速光素子
- AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- BS-3-3 光ファイバ型電気光学/磁気光学プローブによる高周波電界/磁界計測(BS-3.GHz超の電磁波計測技術,シンポジウム)
- C-3-58 エアロゾルデポジション法を用いた光配線用PLZT変調器のデバイス設計と導波路特性(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-14-9 エアロゾルデポジション法により作成した超小型光ファイバ端磁気光学プローブ(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- 部材・デバイスレベルでの機能集積化とナノ構造制御技術 (特集1 ブレイクスルーへの足掛かり!--光分野における「ナノテク」技術のいまを読む)
- エアロゾルデポジション法による透明電気光学薄膜 (特集 エアロゾルデポジション法)
- 表面プラズモン共鳴による近接場光の増強
- SB-2-1 薄膜シールディドループコイルによる配線上の磁界計測
- 2μmグランド開口を有する高周波磁界センサー用微小ループコイルの試作
- C-3-77 オンチップ光配線に向けた850nm帯用波長合分波器 2(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-76 オンチップ光配線に向けた850nm帯用波長合分波器 1(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-75 エアロゾルデポジション法により作製されたマッハツェンダー型PLZT変調器のGHz変調動作(光変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- AD法によるEO/MO材料を用いた小型高速光素子(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6. LSIオンチップ光配線技術(次世代コンピュータを支える超高速・超高密度インタコネクション技術)
- シリコンベース光検出器
- A-3-16 次世代LSI内グローバル配線への光配線の適用性検討(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- 表面プラズモンアンテナを利用したナノフォトダイオード
- 金属微細構造による光透過率増大と光記録への応用
- 記録ヘッドのマイクロマグネティックシミュレーション
- C-3-76 LSI光配線に向けた光導波路製作基盤技術(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 電析CoNiFeMoC軟磁性薄膜におけるCの影響
- 表面プラズモン近接場光ヘッドの設計試作(トライボロジ, 一般)
- 表面プラズモン近接場光ヘッドの設計試作
- 表面プラズモンアンテナを利用したSiナノフォトダイオード (進展するプラズモニック・デバイス)
- プラズモンアンテナを利用したSiナノフォトダイオード(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- プラズモン共鳴を用いた近接場光増強Siナノフォトダイオード
- 表面プラズモンのストレージ技術への適用
- 表面プラズモンアンテナを利用したSiナノフォトダイオード
- エアロゾルデポジション法により作製した赤外透過セラミックス・コーティングの検討