石 勉 | MIRAI-Selete
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概要
関連著者
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石 勉
MIRAI-Selete
-
大橋 啓之
日本電気(株)
-
大橋 啓之
NEC
-
大橋 啓介
MIRAI-Selete
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石綿 延行
Necデバプラ研
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藤方 潤一
日本電気(株)
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本庄 弘明
NECデバイスプラットフォーム研究所
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石 勉
NEC機能デバイス研究所
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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斉藤 信作
日本電気(株)
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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野中 義弘
NEC機能デバイス研究所
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鳥羽 環
NEC機能デバイス研究所
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野中 義弘
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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斎藤 信作
Nec
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本庄 弘明
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
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石綿 延行
NEC機能デバイス研究所
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石綿 延行
NEC機能エレクトロニクス研究所
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大橋 啓之
NEC機能デバイス研究所
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斎藤 信作
NEC機能デバイス研究所
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西 研一
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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石 勉
NEC基礎・環境研究所
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本庄 弘明
NEC機能デバイス研究所
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斎藤 美紀子
早稲田大学
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齋藤 美紀子
Nec・機能エレクトロニクス研究所
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石 勉
日本電気(株)基礎・環境研究所
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齋藤 美紀子
日本電気(株)基礎・環境研究所
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柳沢 雅広
日本電気
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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山田 一彦
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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斎藤 美紀子
NEC機能デバイス研究所
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中田 正文
日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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柳沢 雅広
日本電気(株)機能エレクトロニクス研究所
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横田 均
日本電気(株)基礎・環境研究所
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田中 正文
NEC機能デバイス研究所
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山田 一彦
Nec機能デバイス研
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藤方 潤一
NEC基礎・環境研究所
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大橋 啓之
NEC基礎・環境研究所
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中田 正文
Mirai-selete
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大橋 啓之
日本電気株式会社 基礎・環境研究所
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山田 一彦
NEC機能デバイス研究所
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鈴木 哲広
NEC機能デバイス研
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石 勉
日本電気 機能デバイス研究所
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本庄 弘明
日本電気 機能デバイス研究所
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石綿 延行
日本電気 機能デバイス研究所
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大橋 啓之
日本電気 機能デバイス研究所
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石 勉
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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石綿 延行
Nec
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加藤 邦男
早大
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石原 邦彦
日本電気(株)基礎・環境研究所
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加藤 邦男
日本電気(株)
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斎藤 美紀子
Nec機能エレクトロニクス研究所
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西 研一
NEC基礎・環境研究所
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鈴木 哲広
Nec機能エレクトロニクス研究所
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大橋 啓之
日本電気株式会社
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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大橋 啓之
Mirai-selete:日本電気株式会社
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斎藤 美紀子
NEC
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山田 一彦
NEC
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石綿 延行
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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本庄 弘明
日本電気株式会社
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松寺 久雄
NEC機能デバイス研究所
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西 研一
MIRAI-Selete
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中田 正文
日本電気 機能デバイス研究所
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藤方 潤一
日本電気 機能デバイス研究所
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石原 邦彦
日本電気 機能デバイス研究所
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森 茂
日本電気 機能デバイス研究所
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永原 聖万
日本電気 機能デバイス研究所
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深見 栄三
日本電気 機能デバイス研究所
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鈴木 富士夫
NEC
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鳥羽 環
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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斉藤 信作
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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斎藤 美紀子
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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野中 義弘
日本電気 (株) 機能デバイス研究所
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鳥羽 環
日本電気 (株) 機能デバイス研究所
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斎藤 信作
日本電気 (株) 機能デバイス研究所
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中田 正文
NEC
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嶋林 清孝
NEC
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浦井 治雄
NEC
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松寺 久雄
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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西 研一
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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中田 正文
Nec機能エレ研
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中田 正文
日本電気(株)基礎・環境研究所
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柳沢 雅広
早稲田大学生命医療工学研究所
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馬場 寿夫
日本電気(株)基礎・環境研究所
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鈴木 哲広
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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鈴木 信夫
(株)半導体先端テクノロジーズ技術戦略室
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湯川 弘章
MIRAI-Selete
-
古江 勝也
MIRAI-Selete
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鈴木 信夫
MIRAI-Selete
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大橋 啓之
Mirai-selete
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藤方 潤一
日本電気株式会社 基礎研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社 グリーンイノベーション研究所
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柳沢 雅広
早稲田大学 生命医療工学研究所
-
鈴木 哲広
Nec
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石綿 延行
日本電気株式会社
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馬場 寿夫
日本電気(株) システムデバイス・基礎研究本部
著作論文
- 超小型コアヘッドによる高周波磁気記録
- SC-5-6 スピントンネル素子を用いた磁気抵抗効果型ヘッド
- SC-5-4 Co-Ni-Feめっき膜を用いた高密度記録ヘッドの開発
- 高飽和磁化磁極を用いた記録ヘッド : 高速記録用小型コアCo-Ni-Fe記録ヘッド
- MR2000-15 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- 高Bs記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性
- 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- 高Be記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性
- 高安定スピンバルブ/高Bsインダクティブ複合ヘッド 製造工程における異方性制御について
- MR素子の応力解析とSAL膜に対する応力誘導異方性の影響
- 表面プラズモン共鳴による近接場光の増強
- MR素子の応力解析とSAL膜に対する応力誘導異方性の影響
- A-3-16 次世代LSI内グローバル配線への光配線の適用性検討(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- 表面プラズモンアンテナを利用したナノフォトダイオード
- 金属微細構造による光透過率増大と光記録への応用
- 表面プラズモン近接場光ヘッドの設計試作(トライボロジ, 一般)
- 表面プラズモン近接場光ヘッドの設計試作
- プラズモンアンテナを利用したSiナノフォトダイオード(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 表面プラズモンアンテナを用いたシリコンナノフォトダイオード (特集 材料からのブレークスルー)
- プラズモン共鳴を用いた近接場光増強Siナノフォトダイオード
- 表面プラズモンのストレージ技術への適用