山田 一彦 | Nec機能デバイス研
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概要
関連著者
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山田 一彦
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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山田 一彦
Nec機能デバイス研
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山田 一彦
NEC機能デバイス研究所
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山本 英文
Nec機能エレクトロニクス研究所
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藤方 潤一
日本電気(株)
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鈴木 哲広
Nec機能エレクトロニクス研究所
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石綿 延行
Necデバプラ研
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鈴木 哲広
NECデバイスプラットフォーム研究所
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松寺 久雄
NEC機能デバイス研究所
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石綿 延行
NEC機能デバイス研究所
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鈴木 哲広
NEC機能デバイス研
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中田 正文
日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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石 勉
NEC機能デバイス研究所
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林 一彦
NEC機能エレクトロニクス研究所
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石原 邦彦
NEC機能エレクトロニクス研究所
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山田 一彦
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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石 勉
MIRAI-Selete
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松寺 久雄
Nec機能デバイス研
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石綿 延行
NEC機能エレクトロニクス研究所
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山本 英文
NEC機能エレ研
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逢坂 哲彌
早稲田大学理工学部
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逢坂 哲彌
早稲田大学
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法橋 宏高
Nec機能デバイス研
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松寺 久雄
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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藤方 潤一
NEC機能エレクトロニクス研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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中田 正文
Nec機能エレ研
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石原 邦彦
日本電気(株)基礎・環境研究所
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田中 正文
NEC機能デバイス研究所
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藤方 潤一
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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山本 英文
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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鈴木 哲広
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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法橋 滋郎
早大理工学術院
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中田 正文
Mirai-selete
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永原 聖万
NECデバイスプラットフォーム研究所
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上條 敦
NEC基礎研究所
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大橋 啓之
日本電気(株)
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山田 一彦
日本電気(株)
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山田 一彦
NEC
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法橋 滋郎
早大理工総研
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法橋 滋郎
早稲田大学-理工総研
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大橋 啓之
NEC機能デバイス研究所
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中田 正文
NEC
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嶋林 清孝
NEC
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浦井 治雄
NEC
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石綿 延行
NEC 機能エレクトロニクス研究所
-
上條 敦
Nec 基礎研究所
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永原 聖万
NEC機能エレクトロニクス研究所
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石綿 延行
Nec
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石綿 延行
Nec・機能エレクトロニクス研究所
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斎藤 美紀子
早稲田大学
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齋藤 美紀子
Nec・機能エレクトロニクス研究所
-
中田 正文
機能エレクトロニクス研究所
-
齋藤 美紀子
NEC機能エレクトロニクス研究所
-
中田 正文
NEC 機能エレクトロニクス研究所
-
林 一彦
NEC 機能エレクトロニクス研究所
-
石原 邦彦
NEC 機能エレクトロニクス研究所
-
石 勉
NEC基礎・環境研究所
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齋藤 美紀子
日本電気(株)基礎・環境研究所
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鈴木 哲広
Nec
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法橋 滋郎
早稲田大学
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上條 敦
NEC基礎研
著作論文
- 垂直記録2層媒体の孤立波磁化の再生応答の解析解
- 垂直記録2層媒体系におけるヘッド磁界, 媒体反磁界, 再生応答に 対する解析解法(積分方程式/Fourier解析法)
- 高安定スピンバルブ/高Bsインダクティブ複合ヘッド 製造工程における異方性制御について
- MR素子の応力解析とSAL膜に対する応力誘導異方性の影響
- スピンバルブ素子におけるΔR-Hクロスポイント要因
- 超クリーンスパッタによるスピンバルブ膜のMR特性
- 高耐蝕性高BsめっきCoNiFe膜の作製
- NiO/CoO スピンバルブ膜の磁気特性
- GMRの応用 (固体物理特集号)
- MR素子の応力解析とSAL膜に対する応力誘導異方性の影響
- シールド型SVヘッドの波形対称性制御に関する考察
- NiO/CoO反強磁性二層膜を用いたスピンバルブ膜
- シールド型SVヘッドの波形対称性制御に関する考察