上條 敦 | NEC基礎研
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概要
関連著者
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上條 敦
NEC基礎研
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上條 敦
NEC基礎研究所
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上條 敦
NEC機能デバイス材料研究本部
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三塚 勉
NEC基礎研究所
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三塚 勉
Nec基礎研
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柘植 久尚
NEC基礎研究所
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柘植 久尚
NEC機能デバイス材料研究本部
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松田 和博
NEC基礎研究所
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松田 和博
Nec機能デバイス材料研究本部
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水野 友人
都立大院理
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佐藤 英行
都立大理
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森田 知也
都立大院理
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青木 勇二
都立大理
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五十嵐 等
NEC基礎研
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菅原 仁
都立大院理
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佐藤 英行
都立大院理
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青木 勇二
都立大院理
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木下 日登美
都立大院理
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五十嵐 等
日電基礎研
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菅原 仁
都立大理
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碇 亜矢子
都立大院理
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木下 日登美
都立大理
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水野 友人
都立大理
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森田 知也
都立大理
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藤田 淳一
NEC基礎研
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藤田 淳一
日本電気(株)基礎研
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小林 義彦
都立大理
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上條 敦
Nec 基礎研究所
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小野 輝男
京大化研
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小林 義男
理研
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新庄 輝也
京大化研
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久保 佳実
NEC基礎研
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佐藤 哲朗
日本電気(株)基礎研
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細糸 信好
京大化研
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菅原 仁
東京都立大学大学院理学研究科
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佐藤 英行
東京都立大学大学院理学研究科
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吉武 務
NEC基礎研
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久保 佳実
日本電気(株)基礎研
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中島 順一郎
日本電気(株)資源環境技術研究所
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佐藤 哲朗
資源研
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中島 順一郎
資源研
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小林 義彦
電通大電子物性
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橋本 健一
都立大理
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山田 一彦
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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山田 一彦
NEC機能デバイス研究所
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中田 正文
日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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上條 敦
日電基礎研
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林 一彦
NEC機能エレクトロニクス研究所
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藤方 潤一
NEC機能エレクトロニクス研究所
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吉武 務
NECグリーンイノベーション研究所
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藤方 潤一
日本電気(株)
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中田 正文
機能エレクトロニクス研究所
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中田 正文
Nec機能エレ研
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田中 正文
NEC機能デバイス研究所
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山田 一彦
Nec機能デバイス研
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久保 佳実
日本電気(株)基礎研究所
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久保 佳実
Necトーキン株式会社研究開発本部
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Pratt Jr.w.p.
Michigan州立大
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W.p. Pratt.jr.
Michigan州立大
-
Pratt W.p.jr.
Michigan州立大
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R. Loloee
Michigan州立大
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久保 佳実
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部 基礎研究所
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Loloee R.
Michigan州立大
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大城 将吉
都立大理
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橋本 健一
東京都立大学大学院理学研究科
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中田 正文
Mirai-selete
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拓殖 久尚
NEC基礎研究所
著作論文
- 17pPSA-2 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性II
- 17pPSA-1 強磁性トンネル接合のジャンクション形状効果
- 27aPS-27 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性
- 24pPSB-15 NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズおよびトンネルスペクトル
- 強磁性トンネル接合 NiFe/Al_2O_3/NiFe のノイズ測定
- 強磁性トンネル接合の界面構造とMR特性
- その場自然酸化法による交換バイアス型強磁性トンネル接合
- その場自然酸化法を用いた強磁性トンネル接合の作製
- 28p-PS-38 IBS法による酸化物超伝導薄膜の特性
- 超クリーンスパッタによるスピンバルブ膜のMR特性
- NiMn/NiFe積層膜のMBE成長とその交換結合特性
- 14a-PS-2 Co/Cu(Mn)人工格子の電子輸送効果
- 26pPSA-48 強磁性トンネル接合CoFe/Al_2O_3/NiFeの微分抵抗測定
- 低抵抗強磁性トンネル接合の温度・バイアス特性
- 3a-G-3 Co/Al 人工格子の構造と磁性(II)
- 30p-K-3 極薄Al膜の配向性と電気伝導
- 3a-H-7 Co/Al人工格子の構造と磁性 III
- 強磁性トンネル接合の低抵抗・高電流密度化
- 29p-ZN-5 極薄Al膜の配向性と電気伝導(II)
- 25pPSA-25 強磁性トンネル素子における磁場中ノイズ特性(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
- 1P-PSB-15 微細構造をもつ人工格子の電子輸送効果(1pPSB 磁性(薄膜,人工格子,スピングラス,ランダム系・低次元系),磁性)
- 29a-PS-71 Co/Al人工格子の構造と磁性(29a PS 磁性(C, F, H))