低抵抗強磁性トンネル接合の温度・バイアス特性

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概要

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• The bias and temperature dependences of tunneling magnetoresistance (TMR) were investigated for Fe/Al_2O_3/CoFe with a relatively small tunneling impedance (resistance times area: R×A〜1.8×10^<-9>Ωm^2). Despite a rather thinner and lower tunneling barrier, the change in conductance under a magnetic field obeys an a-bT^<3/2> dependence, suggesting the dominance of the contribution of the decrease in effective spin polarzation with temperature. In addition to a monotonic decrease in the magnitude of the TMR with increasing bias voltage, there is a slight change in the field dependence in low fields.

• 社団法人日本磁気学会の論文
• 1999-04-15

著者

• 上條 敦

  NEC機能デバイス材料研究本部

• 柘植 久尚

  NEC機能デバイス材料研究本部

• 上條 敦

  NEC基礎研究所

• 柘植 久尚

  NEC基礎研究所

• 菅原 仁

  東京都立大学大学院理学研究科

• 佐藤 英行

  東京都立大学大学院理学研究科

• 三塚 勉

  NEC基礎研究所

• 三塚 勉

  Nec基礎研

• 橋本 健一

  都立大理

• 橋本 健一

  東京都立大学大学院理学研究科

• 上條 敦

  NEC基礎研

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