柘植 久尚 | NEC基礎研究所
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概要
関連著者
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柘植 久尚
NEC基礎研究所
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柘植 久尚
NEC機能デバイス材料研究本部
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上條 敦
NEC基礎研究所
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上條 敦
NEC基礎研
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上條 敦
NEC機能デバイス材料研究本部
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NEC基礎研究所
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NEC基礎研究所
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三塚 勉
Nec基礎研
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松田 和博
Nec機能デバイス材料研究本部
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都立大院理
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森田 知也
都立大院理
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菅原 仁
都立大院理
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佐藤 英行
都立大院理
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青木 勇二
都立大院理
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木下 日登美
都立大院理
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菅原 仁
都立大理
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佐藤 英行
都立大理
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碇 亜矢子
都立大院理
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都立大理
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都立大理
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水野 友人
都立大理
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森田 知也
都立大理
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吉武 務
NEC基礎研
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三浦 貞彦
NEC基礎研
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三浦 貞彦
超電導工学研
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吉武 務
NEC基礎研究所
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佐藤 哲朗
日本電気(株)基礎研
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菅原 仁
東京都立大学大学院理学研究科
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佐藤 英行
東京都立大学大学院理学研究科
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佐藤 哲朗
NEC基礎研究所
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吉武 務
日電 基礎研
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藤田 淳一
NEC基礎研
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五十嵐 等
NEC基礎研
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藤田 淳一
日本電気(株)基礎研
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久保 佳実
NEC 基礎研
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橋本 健一
都立大理
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乾 哲司
NEC資源環境技術研究所
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乾 哲司
NEC基礎研究所
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五十嵐 等
日電基礎研
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都立大理
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橋本 健一
東京都立大学大学院理学研究科
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市橋 鋭也
Necナノエレクトロニクス研究所
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飯島 澄男
NEC 基礎研究所
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市橋 鋭也
NEC 基礎研究所
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田淵 順次
NEC 基礎研究所
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柘植 久尚
NEC 基礎研究所
著作論文
- 17pPSA-2 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性II
- 17pPSA-1 強磁性トンネル接合のジャンクション形状効果
- 27aPS-27 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性
- 24pPSB-15 NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズおよびトンネルスペクトル
- 強磁性トンネル接合 NiFe/Al_2O_3/NiFe のノイズ測定
- 強磁性トンネル接合の界面構造とMR特性
- その場自然酸化法による交換バイアス型強磁性トンネル接合
- その場自然酸化法を用いた強磁性トンネル接合の作製
- 28p-APS-30 傾斜基板上のBi系単結晶薄膜合成とその電気伝導異方性
- 26pPSA-48 強磁性トンネル接合CoFe/Al_2O_3/NiFeの微分抵抗測定
- 低抵抗強磁性トンネル接合の温度・バイアス特性
- 29a-WB-10 FeCo/Al_2O_3/Fe強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- YBaCuO薄膜を用いたマイクロストリップライン共振器
- 26a-O-6 Ba_2YCu_3O_結晶の双晶と表面ステップ
- 25pPSA-25 強磁性トンネル素子における磁場中ノイズ特性(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))