松田 和博 | Nec機能デバイス材料研究本部
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概要
関連著者
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松田 和博
Nec機能デバイス材料研究本部
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上條 敦
NEC機能デバイス材料研究本部
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柘植 久尚
NEC機能デバイス材料研究本部
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佐藤 英行
都立大院理
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青木 勇二
都立大院理
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三塚 勉
NEC基礎研究所
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菅原 仁
都立大院理
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碇 亜矢子
都立大院理
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松田 和博
NEC基礎研究所
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上條 敦
NEC基礎研究所
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柘植 久尚
NEC基礎研究所
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上條 敦
NEC基礎研
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水野 友人
都立大院理
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三塚 勉
Nec基礎研
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森田 知也
都立大院理
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坂井 正樹
都立大院理
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永井 肇
都立大院理
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木下 日登美
都立大院理
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坂井 正樹
首都大院理
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横田 真太郎
都立大院理
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三塚 勉
NEC機能デバイス・材料研究本部
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菅原 仁
都立大理
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佐藤 英行
都立大理
-
木下 日登美
都立大理
-
水野 友人
都立大理
-
森田 知也
都立大理
-
青木 勇二
都立大理
-
横田 慎太郎
都立大院理
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松田 和博
日本電気
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上條 敦
日本電気
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柘植 久尚
日本電気
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SATO H.
Tokyo Metropolitan Univ.
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碇亜 矢子
都立大院理
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木下 日登美
東京都立大学大学院理学研究科
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水野 友人
東京都立大学大学院理学研究科
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青木 勇二
東京都立大学大学院理学研究科
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菅原 仁
東京都立大学大学院理学研究科
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佐藤 英行
東京都立大学大学院理学研究科
-
青木 勇二
東京都立大学
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Sato H.
Tokyo Medical College
著作論文
- 27aPS-24 強磁場下におけるトンネル接合素子のノイズ強度(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- トンネルMR素子の角度依存ノイズ特性
- 21pPSA-5 強磁性トンネル接合におけるノイズ強度の磁場依存性 III
- 28pPSA-23 強磁性トンネル接合におけるノイズ強度の磁場依存性 II
- 17pPSA-2 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性II
- 17pPSA-1 強磁性トンネル接合のジャンクション形状効果
- 低インピーダンス強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ測定
- 27aPS-27 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性
- 24pPSB-15 NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズおよびトンネルスペクトル
- 強磁性トンネル接合 NiFe/Al_2O_3/NiFe のノイズ測定
- 二段階自然酸化法による強磁性トンネル接合
- 低抵抗スピントンネル接合
- 強磁性トンネル接合の界面構造とMR特性
- その場自然酸化法による交換バイアス型強磁性トンネル接合
- その場自然酸化法を用いた強磁性トンネル接合の作製
- 8pPSA-6 強磁性トンネル接合におけるノイズ強度の磁場依存性(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 25pPSA-26 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性III(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))