上條 敦 | NEC機能デバイス材料研究本部
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概要
関連著者
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上條 敦
NEC機能デバイス材料研究本部
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柘植 久尚
NEC機能デバイス材料研究本部
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三塚 勉
NEC基礎研究所
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松田 和博
Nec機能デバイス材料研究本部
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上條 敦
NEC基礎研究所
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上條 敦
NEC基礎研
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三塚 勉
Nec基礎研
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佐藤 英行
都立大院理
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青木 勇二
都立大院理
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柘植 久尚
NEC基礎研究所
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菅原 仁
都立大院理
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碇 亜矢子
都立大院理
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松田 和博
NEC基礎研究所
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水野 友人
都立大院理
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青木 勇二
都立大理
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上條 敦
Nec
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佐藤 英行
都立大理
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森田 知也
都立大院理
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木下 日登美
都立大院理
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菅原 仁
都立大理
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坂井 正樹
都立大院理
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永井 肇
都立大院理
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三塚 勉
NEC機能デバイス・材料研究本部
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小林 義彦
都立大理
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坂井 正樹
首都大院理
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五十嵐 等
日電基礎研
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横田 真太郎
都立大院理
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木下 日登美
都立大理
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五十嵐 等
NEC基礎研
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山本 英文
Nec関西
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小林 義彦
電通大電子物性
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水牧 仁一郎
Jasri
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鈴木 基寛
Jasri Spring-8
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後藤 俊治
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
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河村 直巳
JASRI
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後藤 俊治
高輝度光科学研究センター
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菅原 仁
東京都立大学大学院理学研究科
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佐藤 英行
東京都立大学大学院理学研究科
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水野 友人
都立大理
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森田 知也
都立大理
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水木 純一郎
原子力機構放射光:trip(jst)
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大橋 啓之
日本電気(株)
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大橋 啓之
NEC
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後藤 俊治
Jasri
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橋本 健一
都立大理
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大橋 啓之
NEC機能デバイス研究所
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中田 正文
日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所
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赤井 久純
大阪大院理
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河村 直巳
理研
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後藤 俊治
理研
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田中 正文
NEC機能デバイス研究所
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福田 竜生
原子力機構放射光:理研播磨研:trip(jst)
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佐藤 英行
都立大 理
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水木 純一郎
原子力機構・放射光科学研究ユニット
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福田 竜生
原研SPring-8
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柘植 久尚
NEC 基礎研究所
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中田 正文
Mirai-selete
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福田 竜生
JAEA/SPring-8
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鈴木 基寛
JASRI
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佐藤 英行
都立大
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水牧 仁一朗
JASRI, SPring-8
-
小林 義男
理研
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水牧 仁一朗
Jasri Spring-8
-
山本 英文
NEC機能エレ研
-
山本 泰司
日本電気(株)
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水木 純一郎
原研 SPring-8
-
河村 直己
高輝度光セ
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遠藤 康夫
高エ研
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武田 全康
日本原子力機構
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横田 慎太郎
都立大院理
-
松田 和博
日本電気
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上條 敦
日本電気
-
柘植 久尚
日本電気
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SATO H.
Tokyo Metropolitan Univ.
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碇亜 矢子
都立大院理
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木下 日登美
東京都立大学大学院理学研究科
-
水野 友人
東京都立大学大学院理学研究科
-
青木 勇二
東京都立大学大学院理学研究科
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武田 全康
Jaea
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藤田 淳一
NEC基礎研
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藤田 淳一
日本電気(株)基礎研
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上條 敦
日本電気(株)基礎研究所
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遠藤 康夫
東北大金研
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福田 竜生
原研関西研
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水木 純一郎
原研SPring-8
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赤井 久純
阪大院理
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上村 重明
岡山大理
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武田 全康
東北院理
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福本 能之
NEC
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上村 重明
岡山大
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上條 敦
日電基礎研
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赤井 久純
阪大理
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中田 正文
Nec機能エレ研
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山本 英文
NEC 機能エレクトロニクス研究所
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山本 泰司
第二伝送通信事業部
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Endoh Yasuo
Core Research For Evolutional Science And Technology (jrcat) : Department Of Physics Tohoku Universi
-
Endoh Yasuo
Physics Department Granduate School Of Science Tohoku University
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水牧 仁一郎
Jasri Spring-8
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水木 純一郎
原研
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菅原 仁
都立大前理
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Pratt Jr.w.p.
Michigan州立大
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W.p. Pratt.jr.
Michigan州立大
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Pratt W.p.jr.
Michigan州立大
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Ando Yuji
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
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R. Loloee
Michigan州立大
-
Loloee R.
Michigan州立大
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宮崎 拓也
都立大理
-
宮 繁夫
都立大理
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大城 将吉
都立大理
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橋本 健一
東京都立大学大学院理学研究科
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Endoh Yasuo
Institute For Materials Research Tohoku University
-
Endoh Yasuo
Physics Department Tohoku University
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青木 勇二
東京都立大学
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李 起奉
浦項工科大学
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赤井 久純
阪大 理院 物理
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三塚 勉
日本電気(株)基礎研究所
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友常 薫
日本電気(株)伝送共通技術本部
-
田道 繁
日本電気(株)伝送共通技術本部
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山本 泰司
日本電気(株)第二伝送通信事業部
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李 起奉
浦項加速器研:浦項工科大
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阿部 真由美
日電基礎研
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Ando Y
Tokyo Univ. Information Sci. Chiba Jpn
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佐藤 英二
都立大理
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拓殖 久尚
NEC基礎研究所
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武田 全康
日本原子力研究開発機構
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小林 義彦
都立大・理・物理
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青木 勇二
都立大・理・物理
-
Sato H.
Tokyo Medical College
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水牧 仁一朗
JASRI
-
赤井 久純
阪大
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青木 勇二
都立大
著作論文
- 27aPS-24 強磁場下におけるトンネル接合素子のノイズ強度(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- トンネルMR素子の角度依存ノイズ特性
- 21pPSA-5 強磁性トンネル接合におけるノイズ強度の磁場依存性 III
- 28pPSA-23 強磁性トンネル接合におけるノイズ強度の磁場依存性 II
- 17pPSA-2 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性II
- 17pPSA-1 強磁性トンネル接合のジャンクション形状効果
- 低インピーダンス強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ測定
- 27aPS-27 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性
- 24pPSB-15 NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズおよびトンネルスペクトル
- 強磁性トンネル接合 NiFe/Al_2O_3/NiFe のノイズ測定
- 二段階自然酸化法による強磁性トンネル接合
- 低抵抗スピントンネル接合
- 強磁性トンネル接合の界面構造とMR特性
- その場自然酸化法による交換バイアス型強磁性トンネル接合
- その場自然酸化法を用いた強磁性トンネル接合の作製
- 24pPSB-13 (111)-,(001)Co/Cu金属超格子のX線磁気円二色性
- K端MCD法によるCo/Cu人工格子のCuスピン偏極
- 磁気ヘッド用スピントンネル素子
- スピントンネルの現状と課題
- 微細構造を持つ磁性体の電子輸送
- 14a-PS-2 Co/Cu(Mn)人工格子の電子輸送効果
- TMR接合における接合部ミリング深さと接合特性
- 26pPSA-48 強磁性トンネル接合CoFe/Al_2O_3/NiFeの微分抵抗測定
- 低抵抗強磁性トンネル接合の温度・バイアス特性
- 強磁性トンネル接合の温度・バイアス特性
- 22aYB-3 Fe/Cr人工格子の界面における原子配置の乱れと磁気的乱れ
- PB8 超薄膜SAWデバイスへのイオンビームスパッタAl膜の適用(ポスターセッションB)
- 3a-G-3 Co/Al 人工格子の構造と磁性(II)
- 30a-PS-9 Co/Cu系人工格子の磁気抵抗及びホール効果
- 30p-K-3 極薄Al膜の配向性と電気伝導
- 3a-H-7 Co/Al人工格子の構造と磁性 III
- 強磁性トンネル接合の低抵抗・高電流密度化
- 29p-ZN-5 極薄Al膜の配向性と電気伝導(II)
- 1a-S-10 Co/Cu系人工格子の磁気抵抗およびホール効果(III)
- 8pPSA-6 強磁性トンネル接合におけるノイズ強度の磁場依存性(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 25pPSA-26 強磁性トンネル接合NiFe/Al_2O_3/NiFeのノイズ特性III(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))