トンネルMR素子の角度依存ノイズ特性

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概要

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• 2003-09-01

著者

• 佐藤 英行

  都立大院理

• 松田 和博

  Nec機能デバイス材料研究本部

• 坂井 正樹

  都立大院理

• 碇 亜矢子

  都立大院理

• 横田 真太郎

  都立大院理

• 青木 勇二

  都立大院理

• 上條 敦

  NEC機能デバイス材料研究本部

• 柘植 久尚

  NEC機能デバイス材料研究本部

• 横田 慎太郎

  都立大院理

• 松田 和博

  日本電気

• 上條 敦

  日本電気

• 柘植 久尚

  日本電気

• SATO H.

  Tokyo Metropolitan Univ.

• 坂井 正樹

  首都大院理

• Sato H.

  Tokyo Medical College

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