赤井 久純 | 阪大理
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概要
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赤井 久純
阪大理
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鎌谷 輝明
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三原 基嗣
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阪大基礎工
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佐藤 和則
阪大基礎工
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吉田 博
阪大産研
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北陸先端大融合院
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佐藤 和則
阪大産研
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豊田 雅之
阪大産研
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野尻 洋一
高知工科大
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阪大理
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本田 裕士
阪大 理院 物理:株式会社日立システム&サービス
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波田野 彰
放送大
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杉山 忠男
河合塾
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鈴木 亨
筑波大附高
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佐々木 誠
Nasa Csfc
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佐々木 誠
阪大理
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野尻 洋一
阪大理
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谷垣 実
阪大理
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佐々木 誠
立命館大
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佐々木 恵
新潟大学
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伊東 敏雄
電気通信大学電気通信学部
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三間 圀興
光産業創成大学院大
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川村 清
元慶応大
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鈴木 直
関西大システム理工
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森下 暁夫
阪大理
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河 忠久
阪大理
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上中 進太郎
阪大理
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三島 良太
阪大基礎工
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高田 正基
JST-さきがけ
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Dino Wilson
阪大理
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夛田 博一
阪大基礎工
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北原 和夫
東京工業大学
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北原 和夫
Icu教養学部
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北原 和夫
日本物理学会会長・国際基督教大学
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伊東 敏雄
電通大
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丸山 由紀子
阪大理
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北原 和夫
日本科学教育学会:日本物理学会:国際基督教大学
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北原 和夫
東理大理
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三間 圀興
光産創大
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高須 昌子
東薬大生命
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水牧 仁一朗
JASRI, SPring-8
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炭竈 聡之
理科大
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北原 和夫
国際基督大
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高須 昌子
東京薬科大学生命科学部
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山口 貴之
埼玉大理
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大坪 隆
新潟大理
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水牧 仁一朗
Jasri Spring-8
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水牧 仁一郎
Jasri
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河村 直己
高輝度光セ
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鈴木 基寛
Jasri Spring-8
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百田 佐多生
高知工大工
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百田 佐多生
高知工科大
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取越 正巳
放医研
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Symons T.
LBL
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北原 和夫
国際基督教大学
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後藤 俊治
理化学研究所X線自由電子レーザー計画推進本部
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北原 和夫
ICU
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四橋 聡史
パナソニック(株)先端技術研究所
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南園 啓
NSCL
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小倉 昌子
阪大理
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Alonso J.R.
LBL
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Krebs G.F.
LBL
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Symons T.J.M.
LBL
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河村 直巳
JASRI
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後藤 俊治
高輝度光科学研究センター
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上條 敦
NEC機能デバイス材料研究本部
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水木 純一郎
原子力機構放射光:trip(jst)
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山本 英文
Nec関西
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山口 貴之
阪大理
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泉川 卓司
阪大理
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武田 定
阪大理
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武田 定
群馬大工
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武田 定
大阪大
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後藤 俊治
Jasri
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水木 純一郎
原研SPring-8
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鈴木 亨
筑波大学附属高校
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谷垣 実
京大原子炉
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西尾 禎治
放医研
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杉本 崇
理研仁科セ
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Symons M.
理研仁科セ
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田中 鐘信
阪大理
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上條 敦
Nec
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西川 恭治
広島大理
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松澤 通生
電通大
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金澤 光高
放医研
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南園 啓
阪大理
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ALONSO Jose
LBL
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Symons T
Lawrence Berkeley Lab. Usa
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Krebs Gary
Lbl
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足立 秀明
松下電器産業(株)先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器産業先端研
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足立 秀明
松下電器産業(株) 先端技術研究所
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Symons T
LBL
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田中 皓
北大理
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Symons T.j.m.
理研仁科セ
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Krebs G.f.
Lawrence Berkeley Lab.
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大隅 文江
阪大理
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藤尾 高行
阪大理
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大西 崇
理研
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木寺 和治
阪大理
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炭竃 聡之
阪大理
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北川 教志
放医研重粒子
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取越 正巳
放医研重粒子
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金沢 光隆
放医研重粒子
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江田 茂
放医研重粒子
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西尾 禎治
放医研重粒子
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平尾 泰男
放医研重粒子
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HANNA S.S.
Stanford Univ.
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ALONSO J.R
LBL
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河村 直巳
理研
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後藤 俊治
理研
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大下 真広
阪大理
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四橋 聡史
松下電器産業先端研
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Hanna S.s.
Stanford University
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Hanna S.s
Stanford Univ.
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中村 淳
電通大
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川村 清
慶応大
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波田野 彰
帝京平成大学
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北原 和夫
国際基督教大学理学科
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福田 竜生
原子力機構放射光:理研播磨研:trip(jst)
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小谷 岳生
アリゾナ州立大
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水牧 仁一郎
Jasri Spring-8
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Sato K
阪大基礎工
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星野 敏春
阪大理
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小谷 岳生
阪大理
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寺岡 義博
大阪府大教養
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鈴木 勝久
阪大理
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水木 純一郎
原子力機構・放射光科学研究ユニット
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福田 竜生
原研SPring-8
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川村 清
慶應大理工
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米原 仁
阪大理
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小谷 岳生
大工研
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Katayama-yoshida Hiroshi
Department Of Physics Tohoku University
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吉田 博
阪大産研:科技団
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寺岡 義博
大阪府大総合科学
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荒船 次郎
東大宇宙線研
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足立 秀明
松下電器 先端研
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高須 昌子
東京薬科大
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伊東 敏雄
元電通大
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福田 竜生
JAEA/SPring-8
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足立 秀明
松下電器産業 先端技研
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佐貫 平二
核融研
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高須 昌子
東薬大生命科
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鈴木 直
関西大シス理工
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中村 淳
電通大院先進理工:電通大電子
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吉田 博
阪大院基礎工
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KITAHARA Kazuo
Department of Liberal Arts, Shizuoka University
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水牧 仁一朗
JASRI
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佐貫 平二
等離子体物理研・西南物理研
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川村 清
慶応大理工
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東辻 浩夫
JAXA
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中村 淳
電通大院先進理工
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鈴木 基寛
JASRI
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三間 園興
光産業創成大
著作論文
- 24pPSB-13 (111)-,(001)Co/Cu金属超格子のX線磁気円二色性
- 25aY-11 Cu中不純物のナイトシフトの第一原理計算
- 25aSC-7 ^Siの電気四重極モーメント(II)
- 25a-YH-12 Pt中の第一、第二周期の軽い格子間隙不純物のナイトシフト
- 30aTF-12 Au(111)表面上におけるMn合金の低温走査トンネル分光測定(30aTF 領域3,領域9合同 表面界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30aTF-12 Au(111)表面上におけるMn合金の低温走査トンネル分光測定(30aTF 領域3,領域9合同 表面界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-134 LDA+SIC法による磁性半導体の電子構造の計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aXE-14 久保グリーンウッド公式によるゼーベック係数の第一原理計算(19aXE 遷移金属酸化物(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aXJ-14 LDA+SIC法による希薄磁性半導体の電子状態と磁性の予測(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aZC-8 LDA+SIC法によるZnO系磁性半導体の電子状態と磁性の予測(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYC-5 自己相互作用を補正した第一原理電子状態計算手法による ZnO 系磁性半導体の強磁性安定性の予測(磁性半導体, 領域 4)
- 3p-LC-1 CrAl合金の反強磁性帯磁率
- 4a-E-8 遷移金属-非遷移金属合金の電子状態
- 4p-U-7 半導体中の深い不純物準位の"d"の効果
- 5a-Y-11 FeAl不規則合金の電子状態
- 6p-KK-4 強磁性合金の強磁場帯磁率(CPA)
- 26p-PSB-18 KKR CPA法による、La_Sr_xMnO_3の電子状態計算III
- 30a-PS-66 KKR CPA法による、La_Sr_xMnO_3の電子状態計算
- 5p-PSB-1 KKR CPA法による、La_Sr_xMnO_3の電子状態計算
- KKR CPA法による、多量の原子空孔を有する鉄窒化物の研究
- 27aYF-10 希薄磁性半導体の輸送係数の第一原理計算(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 31pYH-6 希薄磁性半導体の磁気光学効果に関する研究
- 17pYH-3 カルコパイライト型磁性半導体の磁気構造に関する研究
- 18aYB-3 KKR-OEP法によるLa_M_xMnO_3(M=Sr, Ca)の電子状態と磁性研究
- 28aTB-9 III-V/II-VI超構造およびカルコパイライト希薄磁性半導体の磁性の研究
- 24pYB-1 第一原理計算によるLa_Sr_xMnO_3の電子状態と磁性
- 金森順次郎先生, 本多記念賞および藤原賞受賞
- 29a-ZA-2 HCP金属中の不純物位置の電場勾配
- 28a-W-13 第一原理による金属、非金属結晶内場の計算
- 短寿命放射性核^NのTiO_2中超微細相互作用
- 正しい交換項を用いた密度汎関数法 : KKR法に基づく方法
- 29a-D-5 正しい交換項を用いた密度汎関数法によるバンド計算;遷移金属等
- 10a-C-11 強磁性遷移金属合金の電気抵抗
- 24aRF-3 第7回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2011 : 理論問題(24aRF 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 21pFN-5 第8回全国物理コンテスト・物理チャレンジ2012理論問題(21pFN 物理教育,領域13(物理教育,物理学史,環境物理))
- 8aSB-2 第一原理的な希薄磁性半導体中の3d軌道に関する研究(磁性半導体,領域4)
- 27aYH-7 KKR-OEP法によるLa_Sr_xMnO_3の電子状態研究(27aYH 遷移金属酸化物・理論(電荷・軌道整列),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27pXP-1 カルコパイライト半導体中の磁性不純物による磁性の研究(27pXP 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))