佐藤 和則 | 阪大産研
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概要
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佐藤 和則
阪大産研
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Dederichs P.
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ユーリッヒ研究セ
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Fz-juelich
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三原 基嗣
大阪大学
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Dederichs P.
阪大産研
著作論文
- 27pYC-15 TiO_2中の短寿命核^Bの超微細相互作用
- 27pWF-8 ^Scの電気四重極モーメント
- 22aPS-134 LDA+SIC法による磁性半導体の電子構造の計算(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-14 LDA+SIC法による希薄磁性半導体の電子状態と磁性の予測(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 24pZD-1 高いキュリー温度を持つワイドギャップ希薄磁性半導体のデザインと合成(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pZD-1 高いキュリー温度を持つワイドギャップ希薄磁性半導体のデザインと合成(24pZD 領域10,領域3,領域4,領域8合同シンポジウム:計算機ナノマテリアルデザインとスピントロニクス〜成功物語と将来展望〜,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 25aXJ-8 第一原理計算を用いたナノ超構造を持つ希薄磁性半導体のデザイン(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aXC-5 自己相互作用補正を取り入れた量子デザイン手法(28aXC 領域4,領域11合同シンポジウム:次世代第一原理量子シミュレーションによる量子デザイン手法の展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pYM-8 シリコンにインプラントされたホウ素の核スピン緩和の磁場依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aZC-8 LDA+SIC法によるZnO系磁性半導体の電子状態と磁性の予測(磁性半導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12aYC-5 自己相互作用を補正した第一原理電子状態計算手法による ZnO 系磁性半導体の強磁性安定性の予測(磁性半導体, 領域 4)
- 20aTG-3 TiO_2中の短寿命核^B、^Nの超微細相互作用
- 12aYC-2 希薄磁性半導体 (Zn, Cr)Te の電子状態計算とキュリー温度の見積もり(磁性半導体, 領域 4)
- 26aYL-12 β-NMR法によるシリコン中ホウ素のイオン植え込み位置の研究
- 19pTA-10 CuAlO_2を用いた希薄磁性半導体の第一原理計算(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-9 第一原理計算によるCuAlO_2ベース希薄磁性半導体の交換相互作用(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aYC-10 第一原理計算による CuAlO_2 を母体とした希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体, 領域 4)
- 14aYC-11 磁性元素を含まない透明強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン(磁性半導体, 領域 4)
- 27pYA-11 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン : (II)B,C,NをドープしたCaOへの応用(磁性半導体)(領域4)
- 27aYA-7 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性半導体の第一原理マテリアルデザイン : I.ガイドラインとSiをドープしたK_2Sへの応用(磁性半導体)(領域4)
- 24aWJ-3 3dと4d遷移金属の同時添加による希薄磁性半導体の物質設計(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-13 局所環境効果を取り入れた希薄磁性半導体の交換相互作用の第一原理計算(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-9 第一原理計算からみた磁性半導体の電子構造(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
- 27aYA-10 第一原理計算による強磁性半導体発現機構、磁気励起の研究と物質設計(磁性半導体)(領域4)
- 30pWD-3 透明磁性半導体ベースのマテリアル・デバイス・デザイン
- 17pYH-5 GaNやAINを母体とする希薄磁性半導体の強磁性
- 29pTC-17 ZnOベース希薄磁性半導体の材料設計
- 27pYS-9 磁性半導体の物質設計およびまとめ
- 27pYS-9 磁性半導体の物質設計およびまとめ