柳瀬 章 | 阪大・産研
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概要
関連著者
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柳瀬 章
阪大・産研
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柳瀬 章
阪大産研
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吉田 博
阪大産研
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播磨 尚朝
阪大産研
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吉田 博
阪大基礎工
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白井 光雲
阪大産研
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舩島 洋紀
東理大理工
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白井 光雲
阪大・産研
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出倉 春彦
大阪大学
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舩島 洋紀
阪大産研
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出倉 春彦
阪大・産研
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中江 伸也
阪大・産研
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山内 邦彦
CNR-INFM
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佐藤 和則
阪大
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佐藤 和則
阪大基礎工
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鈴木 通人
阪大産研
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柳瀬 章
大阪大学産業科学研究所
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鈴木 通人
ウプサラ大理
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濱田 幾太郎
東北大WPI-AIMR
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佐藤 和則
阪大産研
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清家 聖嘉
阪大産研
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劔持 一英
阪大産研
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吉田 博
阪大産研:科技団
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森川 良忠
阪大産研
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浜田 典昭
東理大理工
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魚住 昭文
阪大産研
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濱田 幾太郎
阪大産研
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森川 良忠
阪大院工
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橋本 政彦
阪大産研
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播磨 尚朝
大阪大学産業科学研究所
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吉田 博
大阪大学産業科学研究所
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山内 邦彦
阪大産研
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森州 良忠
阪大産研
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石定 惇
阪大・産研
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Katayama-yoshida Hiroshi
Department Of Physics Tohoku University
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森川 良忠
大阪大学大学院工学研究科
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濱田 典昭
東京理大 理工
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吉田 博
阪大院基礎工
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播磨 尚朝
神戸大理
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白井 光雲
大阪大学
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濱田 幾太郎
東北大学
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柳瀬 章
大阪大学
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石橋 広記
阪府大総合科
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石橋 広記
阪府大院理
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池田 博
筑波大 低温センター
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西澤 弘一郎
阪大産研
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橋本 政彦
阪大理
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加門 洋一郎
大阪大学産業科学研究所
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中山 博幸
阪大産研
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松下 勝義
大阪大学産業科学研究所
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中島 理志
阪大産研
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中山 博幸
阪大・工
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別役 潔
富士総研
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別役 潔
阪大産研
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舩島 洋紀
東京理科大学理工学部
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浜田 典昭
東京理科大学理工学部
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山内 邦彦
阪大度研
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柳瀬 章
阪大度研
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吉田 博
阪大度研
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松下 勝義
阪大CMC
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柳瀬 章
阪大院基礎工
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舩島 洋紀
阪大院基礎工
著作論文
- 21pGP-8 グラファイトの高圧における電気伝導特性(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aGE-7 BC系における高圧による超伝導探索(20aGE 銅酸化物・その他の超伝導,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22pGR-10 Liドープされたαホウ素の動的安定性(22pGR ゼオライト・クラスレート,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pYD-3 遷移金属ダイカルコゲナイドのCDW相における電子状態(電荷密度波)(領域6)
- 27aYG-2 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価II(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 23aTH-12 第一原理計算を用いた物質の熱電特性の評価 II
- 22aPS-78 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW 相における電子状態
- 28aYB-1 遷移金属ダイカルコゲナイドの CDW と電子状態
- 29aZK-7 第一原理計算を用いた物質のの熱電特性の評価
- 28aYC-12 GaN中のMg不純物とN-vacancyについての第一原理計算
- 28aYC-9 Si中のEr不純物の結晶場の第一原理計算
- 24pYP-6 Si中のEr不純物の第一原理計算
- 24pY-5 第一原理計算によるSi中の遷移金属の拡散
- 24aX-13 BaTiO_3中3d遷移金属不純物の電子構造と磁性
- 23aK-7 II-VI族希薄磁性半導体の磁性とキャリアドーピングの効果
- 25p-T-14 InP中の希土類不純物電子状態のFLAPW法による計算
- 28aYE-9 グラファイトの高圧における電気特性と超伝導(グラフェン電子物性(物性予測),領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30pVL-11 ダイヤモンド構造BC5の安定構造(30pVL 多軌道系,フラストレーションなど,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aRB-9 原子空孔における弾性定数の温度変化のモデル計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aRB-8 第一原理計算によるシリコン中原子空孔の弾性への影響の研究(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19aXE-12 第一原理計算に基づくFe_2VAlの電子構造と熱電特性の評価(19aXE 遷移金属酸化物(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25aXJ-7 第一原理計算によるハーフホイスラーMNiSnならびにMCoSb(M=Ti,Zr,Hf)の用いた熱電特性研究(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aYT-10 第一原理計算を用いたハーフハイスラー化合物MNiSn,MCoSb(M=Ti,Zr,Hf)の電子構造と熱電特性の評価(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 25aPS-50 強磁性CeRh_3B_2の電子状態およびフェルミ面(領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 22aPS-14 YNi_2B_2C のフェルミ面
- 28aPS-2 YNi_2B_2 の電子状態
- 14aYC-11 磁性元素を含まない透明強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン(磁性半導体, 領域 4)
- 27pYA-11 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性酸化物の第一原理マテリアルデザイン : (II)B,C,NをドープしたCaOへの応用(磁性半導体)(領域4)
- 27aYA-7 遷移金属元素を含まない透明ハーフメタリック室温強磁性半導体の第一原理マテリアルデザイン : I.ガイドラインとSiをドープしたK_2Sへの応用(磁性半導体)(領域4)
- 28pPSB-8 CuIr_2S_4の電子状態
- 23pGH-5 デラッフォサイト型CuAlO_2のp型価電子制御法と高効率熱電材料のデザインと実証(23pGH 銅酸化物理論,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))