森州 良忠 | 阪大産研

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概要

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関連著者

• 森州 良忠

  阪大産研

• 森川 良忠

  阪大院工

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 森川 良忠

  阪大産研

• 柳澤 将

  阪大院工

• 森川 良忠

  産業技術総合研究所計算科学研究部門 ナノ機能合成技術プロジェクト研究体

• 濱田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 柳澤 将

  阪大産研

• 濱田 幾太郎

  阪大産研

• 奥山 弘

  京大院理

• 浜田 幾太郎

  東北大

• 有賀 哲也

  京大院理:jst-crest

• 八田 振一郎

  京大院理:jst-crest

• 八田 振一郎

  京大院理

• 熊谷 崇

  京大院理

• 浜田 幾太郎

  科技団:阪大基礎工

• 森川 良忠

  阪大工

• 有賀 哲也

  京大院理

• 有賀 哲也

  京都大学大学院理学研究科

• 海津 政久

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 青木 優

  東大院総合文化

• 増田 茂

  東大院総合文化

• 森川 良忠

  大阪大学産業科学研究所

• 稲垣 耕司

  阪大院工

• 青木 優

  東大院総合

• 増田 茂

  東大教養

• 岡崎 一行

  阪大工

• 奥山 弘

  京都大学大学院理学研究科

• 海津 政久

  京大院理

• 稲垣 耕司

  阪大院工:jst-crest

• 増田 茂

  東大院総合

• 岡崎 一行

  産業技術総合研究所

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 大門 寛

  奈良先端科学技術大学院大学

• 吉田 博

  阪大基礎工

• 大門 寛

  奈良先端大

• 田中 真悟

  産総研ユビキタスエネルギー

• 服部 賢

  奈良先端大物質

• 濱田 幾太郎

  大阪大学産業科学研究所

• 浜田 幾太郎

  阪大産研

• 稲葉 雄一

  奈良先端大物質創成

• 安居 麻美

  奈良先端大物質創成

• Lee Kyuho

  Rutgers Univ.

• 豊田 健治

  阪大産研

• 中野 洋輔

  阪大産研

• 服部 賢

  奈良先端大

• Katayama-yoshida Hiroshi

  Department Of Physics Tohoku University

• 吉田 博

  阪大産研:科技団

• 稲葉 雄一

  奈良先端大・物質創成

• 豊田 健治

  阪大産研:パナソニック(株)

• 安居 麻美

  奈良先端大・物質創成

• 田中 真悟

  産総研ユビキタス

• 佐々木 恵太

  東大院総合文化

• 十河 真生

  東大院総合文化

• 草部 浩一

  阪大基礎工

• 大門 寛

  奈良先端大物質

• 金崎 順一

  阪大産研

• 谷村 克己

  阪大産研

• 魚住 昭文

  阪大産研

• 柳瀬 章

  阪大産研

• 谷村 克己

  大阪大学産業科学研究所

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 広瀬 喜久治

  阪大院工

• 服部 賢

  奈良先端大物質創成

• 杉野 修

  東大物性研

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス

• 柳瀬 章

  阪大・産研

• 花岡 大輔

  阪大基礎工

• 大谷 実

  東大物性研:産総研計算科学

• 大谷 実

  産総研

• 安武 潔

  大阪大学 大学院工学研究科

• 安武 潔

  阪大院工

• 杉野 修

  東京大学物性研究所

• 岡崎 一行

  JST-CREST

• 森川 良忠

  JST-CREST

• 香山 正憲

  JST-CREST

• 杉野 修

  日電マイクロ研

• 阿武 潔

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷村 克巳

  阪大産研

• 森村 英幸

  阪大産研

• 杉野 修

  東大 物性研

• 坂本 雄一

  東大院総合文化

• 鎌田 豊弘

  東大院総合

• 小井出 祐一

  東大院総合

• 森 勇介

  阪大・院工

• 市林 拓

  阪大産研

• 吉村 政志

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 勇介

  大阪大学大学院工学研究科

• 佐々木 孝友

  大阪大学

• 佐々木 孝友

  阪大工

• 大谷 実

  産総研計算科学

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタスエネルギー

• 佐々木 孝友

  大阪大学大学院 工学研究科

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 川村 史朗

  阪大院工

• 川村 史朗

  大阪大学大学院工学研究科

• 川原 実

  大阪大学大学院工学研究科

• 細谷 直樹

  阪大基礎工

• 有賀 哲也

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 八田 振一郎

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 熊谷 崇

  京都大学大学院理学研究科化学専攻

• 八田 振一郎

  JST-CREST

• 有賀 哲也

  JST-CREST

• 吉田 榑

  阪大基礎工

• 柳澤 将

  大阪大学産業科学研究所

• 吉村 政志

  大阪大学大学院 工学研究科

• Fauste T.

  Erlangen Univ.

• 廣田 幾太郎

  東北大WPI-AIMR

• 池庄司 民夫

  (独)産業技術総合研究所計算科学研究部門

• 大谷 実

  大阪大学産業科学研究所

• 岡本 穏治

  日本電気(株)ナノエレクトロニクス研究所

• Lee Kyuho

  Rensselaer Polytechnic Institute

• 實宝 秀幸

  阪大産研

• 名兒耶 彰洋

  阪大産研

• 熊谷 崇

  京都大学大学院情報学研究科

• 前田 泰

  産総研ユビキタス

• 實宝 秀幸

  富士通研

• 上羽 弘

  富山大学工学部電子情報工学科

• 上羽 弘

  富山大工

• Frederiksen Thomas

  富山大

• 上羽 弘

  富山大

• 谷村 克己

  大阪大 産科研

• 前田 泰

  産総研関西

• 柳澤 将

  阪大工

• 西郷 登洋

  阪大院理

• 竹内 康祐

  阪大産研

• Frederiksen Thomas

  富山大:dipc

• 竹内 康祐

  阪大産研:jst-crest

• 佐々木 孝友

  回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科

• 柳澤 将

  大阪大学大学院工学研究科

• 秋田 知樹

  産業技術総合研

• 柳澤 将

  琉球大理

• 井関 信太郎

  阪大院工

• 大上 まり

  阪大工

• 池庄司 民夫

  (独)産業技術総合研究所

• 吉田 博

  阪大院基礎工

• 八田 振一郎

  京都大学大学院理学研究科

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタス

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス:JST-CREST

• 奥山 弘

  京都大学大学院埋学研究科

• 上羽 弘

  富山大学工学部

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著作論文

• 21pPSA-15 Cu(110)表面における水少数クラスターの実空間観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pEL-11 周期セルを用いた電子状態計算の問題とその改善 : 永久多重極を持つ系の計算(20pEL 電子系(密度汎関数理論),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21aGL-2 Au(111)表面におけるHe^*の脱励起過程(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pYG-1 C_-Pt(111)系の局所電子状態 : 金属波動関数の漸近特性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pTE-3 分子-金属界面における局所電子状態 : C_6H_5SH,C_6H_5SeH/Pt(111)(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSA-84 Pt(111)-アルカンチオール系における吸着誘起準位(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pTE-7 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の表面構造の解明(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-2 電子励起原子移動によるダイマーフラーレン合成の第一原理的研究(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-1 Pt-グラフェン間の相互作用に対する欠陥や添加物の効果(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aYH-12 金属表面におけるプロトン移動の実空間観測(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 水の少数クラスターにおける水素結合交換の直接観測
• 27aRD-7 単分子水和反応の制御と可視化(27aRD 表面・界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-13 Cu(110)におけるアセチレンの環化反応(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aXB-3 単分子異性化反応のトンネルダイナミクス(21aXB 表面界面ダイナミクス,表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aPS-25 内殻励起炭素クラスター合成の第一原理シミュレーション(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 21aGL-11 Alq_3/金属界面相互作用における非局所電子相関の役割に関する第一原理的研究(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGQ-3 Si(111)-(7x7)の表面電子構造:再訪II(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pYH-1 Pt/グラフェンへののCO吸着(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYH-3 第一原理計算によるペンタセン/貴金属界面に関する理論的研究(有機分子・半導体・その他,領域9,領域7合同,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYG-1 Si(111)-(7×7)の表面電子構造 : 再訪(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pZK-5 界面電気二重層の起源と理論予測(分光学的手法による有機薄膜研究の最先端,領域9,領域5,領域7合同シンポジウム,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-2 Alq_3/金属界面における分子-基板間及び分子間相互作用の精密計算(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYG-1 金属上への水吸着に対するファン・デル・ワールス力の影響(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• Pt電極界面での水素吸着状態 : 電場, 溶媒, 被覆率の影響
• 第一原理シミュレーションから見た電極界面と電荷移動反応 : 燃料電池・水電解の水素極を対象として
• 29pRD-6 第一原理計算によるベンゼン/貴金属界面の界面双極子に関する理論的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pRD-4 Rh(111)表面に水素と共吸着した水の第一原理的研究(29pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aXA-6 第一原理電子状態計算による分子スイッチ機構の研究(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aXB-2 第一原理熱力学計算によるインテリジェント触媒の自己再生機構の解明(22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aRB-9 第一原理電子状態理論による宥機分子/金属における界面電気二重層の研究(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23aRJ-6 水ダイマーにおける水素結合交換の観測(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23aTD-10 グラフェン上に吸着したPtクラスターの原子構造(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pXK-6 Ptクラスターへの水素吸着特性の担持効果(微粒子・クラスタ,水素ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 有機/金属界面の電子状態の第一原理計算による研究 (特集 π電子系有機低分子固体の界面電子物性)
• 17aD03 第一原理計算による金属液体への窒素溶解度の算出 : GaNの液相育成のために(結晶成長基礎(1),第35回結晶成長国内会議)
• 26aWS-7 TiO_2(110)表面の欠陥構造に関するGW近似による研究(26aWS 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-108 一次元水素結合系における多重プロトン移動の実空間観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aWX-12 ファンデルワールス補正を入れた密度汎関数法によるナノチューブ/金属電極界面の構造と電子状態(26aWX ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-83 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pWH-1 第一原理計算によるAl/Alq_3界面の構造と電子状態の解明(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pYB-5 Alq_3/Al界面の構造と電子状態に関する理論的研究(29pYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aYL-14 Alq_3/Al界面の構造と電子状態(導電性高分子, 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 領域9,3「反転対称性の破れた表面におけるスピンと軌道」(第63回年次大会シンポジウムの報告)
• 有機/金属界面の電子状態の第一原理計算による研究
• 27pPSA-52 カーボンアロイ触媒によるCO酸化反応の第一原理シミュレーション(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-46 HによるSi表面エッチングにおけるH終端Si(001)表面上でのH拡散の寄与(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pTG-7 TiO_2(110)表面の酸素欠陥による構造歪み・電子構造に関する第一原理的研究(28pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pHA-4 第一原理計算によるSi(111)表面上N原子及びO原子吸着II(21pHA 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSB-23 HラジカルによるSi表面エッチング過程の解析 : 飛来Hラジカル表面吸着確率の既吸着H原子数依存(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pPSA-30 第一原理計算によるGaN(0001)表面の終端構造の解析(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

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