秋田 知樹 | 産総研ユビキタスエネルギー

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概要

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関連著者

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタスエネルギー

• 秋田 知樹

  産業技術総合研

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタス

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所 ユゼキタスエネルギー研究部門

• 田中 真悟

  産総研ユビキタス

• 田中 真悟

  産総研ユビキタスエネルギー

• 秋田 知樹

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス

• 堀 史説

  大阪府立大

• 田口 昇

  大阪府大工院

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• 堀 史説

  大阪府大工院

• Takeda Shingo

  Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology

• 竹田 精治

  大阪大学・大学院理学研究科

• Takeda Shigeru

  National Laboratory For High Energy Physics

• Takeda Shuzaburo

  Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University

• 竹田 精治

  大阪大学・産業科学研究所

• 堀 史説

  大阪府大工

• 吉田 秀人

  大阪大学大学院理学研究科

• 河野 日出夫

  大阪大学大学院理学研究科

• Takeda Shingo

  Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.

• 堀 史説

  大学院工学研究科

• 春田 正毅

  首都大学東京都市環境学部

• 岩瀬 彰宏

  大阪府立大

• 竹田 精治

  阪大院理

• 河野 日出夫

  阪大院理

• 岡崎 一行

  産業技術総合研究所

• 吉川 純

  阪大・基礎工

• 岡崎 一行

  阪大工

• 岩瀬 彰宏

  大阪府大工

• 田渕 光春

  産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門蓄電デバイス研究グループ

• 田渕 光春

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門

• 内山 徹也

  大阪大学大学院理学研究科

• 岩瀬 彰宏

  大阪府大院工

• 吉田 秀人

  阪大院理

• 鹿野 昌弘

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門 ナノ材料科学研究グループ

• 前田 泰

  産総研ユビキタス

• 内山 徹也

  阪大院理

• 桑内 康文

  阪大院理

• 前田 泰

  産総研関西

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所

• 田渕 光春

  (独)産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門

• 島田 悟史

  首都大学東京都市環境学部

• 岩井 岳夫

  東大院工

• 辰巳 国昭

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門

• 岩瀬 彰宏

  原研物理

• 小嶋 崇夫

  大阪府大産学官連携機構(放射線研究セ)

• 長谷 直基

  大阪府大工

• 堀 史説

  阪府大工

• 田口 昇

  阪府大院工

• 堀 史説

  阪府大院工

• 春田 正毅

  首都大東京

• 岡崎 一行

  阪大理

• 春田 正毅

  首都大学東京

• 鹿野 昌弘

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門蓄電デバイス研究グループ

• 吉田 秀人

  阪大産研

• 竹田 精治

  阪大産研

• 島田 悟史

  首都大東京

• 田村 友幸

  名工大創成シミュ

• 辰巳 国昭

  (独)産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門

• 辰巳 国昭

  (独)産業技術総合研究所・ユビキタスエネルギー研究部門

• 橘田 晃宣

  産総研ユビキタスエネルギー

• 〓内 康文

  大阪大学大学院理学研究科

• 藤谷 忠博

  産業技術総合研究所環境化学技術研究部門

• 中村 功

  産業技術総合研究所環境化学技術研究部門

• 奥村 光隆

  大阪大学大学院理学研究科

• 春田 正毅

  首都大学大学院都市環境科学研究科

• 本間 徹生

  高輝度光科学研

• 堀 史説

  大阪府大院工

• 森川 良忠

  阪大院工

• 秋田 知樹

  産総研

• 本間 徹生

  高輝度光科学研究センター

• 本間 徹生

  高輝度光科学研究センター Jasri

• 香山 正憲

  産総研・ユビキタス

• 秋田 知樹

  産総研・ユビキタス

• 田中 真悟

  産総研・ユビキタス

• 岡崎 一行

  阪大・工

• 香山 正憲

  産総研

• 岩瀬 彰宏

  阪府大工

• 武井 孝

  首都大学東京大学院都市環境科学研究科

• 広木 大栄

  大阪府大工院

• 前田 修大

  大阪府大工院

• 小嶋 崇夫

  大阪府大放射線研究センタ

• 森州 良忠

  阪大産研

• 田口 昇

  大阪府大院工

• 鬼塚 貴志

  東大院工

• 秋田 知樹

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門 ナノ材料科学研究グループ

• 田中 真悟

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門 ナノ材料科学研究グループ

• 岡崎 一行

  大阪大学大学院工学研究科機械工学専攻

• 岡崎 一行

  JST-CREST

• 森川 良忠

  JST-CREST

• 香山 正憲

  JST-CREST

• 岡本 晃彦

  阪府大工

• 山本 正明

  阪府大工

• 田口 昇

  阪府大工

• 吉川 純

  産総研ユビキタスエネ

• 田渕 光春

  産総研ユビキタスエネ

• 鹿野 昌弘

  産総研ユビキタスエネ

• 辰巳 国昭

  産総研ユビキタスエネ

• 昇 史説

  大阪府大工院

• 前田 修大

  阪府大工

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所

• 森川 良忠

  大阪大学大学院工学研究科

• 藤田 直人

  首都大学東京大学院

• 武井 孝

  首都大学東京大学院

• 松浦 公治

  阪大院理

• [クワ]うち 康文

  阪大産研

• うち 康文

  阪大産研

• 吉川 純

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所ユビキタスエネルギー研究部門

• 松本 一

  産総研ユビキタス

• 吉川 純

  (独)物質・材料研究機構 先端的共通技術部門

• Valencia Hubert

  産総研ユビキタス

• Sun Keju

  産総研ユビキタス

• 田中 真悟

  産総研

• 前田 泰

  産総研ユビキタスエネルギー

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所

• 藤谷 忠博

  産業技術総合研究所 環境化学技術研究部門

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著作論文

• 22pHT-5 第一原理計算と電子顕微鏡観察によるエネルギー環境材料の解明と設計(22pHT 領域10シンポジウム:グリーンテクノロジーにおける格子欠陥・ナノ構造の役割,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 酸化セリウムに担持した白金と金のナノ粒子の高分解能環境TEM観察
• 分析電子顕微鏡による触媒材料の構造解析
• 金クラスターによる水素解離反応
• 29pXD-8 超音波照射により作成したAuPdナノ微粒子の構造評価(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pPSA-44 超音波照射法により作成したコアシェルAu-Pdナノ微粒子の表面・界面構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19pXB-12 超音波照射法により作成したコアシェル型Au-Pd超微粒子の構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-1 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子の構造と電子状態(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 超音波照射還元で作製したAu-Pdコア・シェルナノ粒子の構造と触媒活性
• 29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pTD-14 第一原理PAW法によるAu@Pdコア・シェル微粒子の原子構造と吸着子の局所的な反応性(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21pTD-15 Au-Pd二層スラブ構造における電子状態の第一原理計算による評価(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXB-13 二層分離型Au-Pd界面構造および電子状態の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXB-14 第一原理PAW法によるAu-Pdコア・シェル微粒子の原子・電子構造(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20aPS-29 超音波照射法により作成したAu-Pdナノ微粒子表面近傍の電子状態の陽電子消測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 第一原理計算と電子顕微鏡観察による金属/無機ナノヘテロ界面の解明と設計
• 23aTD-10 グラフェン上に吸着したPtクラスターの原子構造(表面ナノ構造量子物性,微粒子クラスタ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 23pWZ-9 γ線照射還元により生成したAu-Pd二元系ナノ微粒子の構造評価(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25aWS-10 エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21pWA-3 リチウムイオン電池電極材料におけるLi濃度分布の可視化(21pWA X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pXD-9 第一原理計算による貴金属ナノ微粒子のコア・シェル界面電子構造(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 金微粒子触媒の電子顕微鏡観察 (特集 触媒化学への(S)TEM技術の応用)
• エチレンの完全酸化用貴金属触媒における担体と金属粒子径の効果
• 分析電子頭徴銃によるリチウムイオン電池材料の研究 (Li電池材料解析の最前線)
• 1002 金/酸化チタン界面の結合性と触媒特性の第一原理計算(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション講演)
• 27pPSA-32 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO_2触媒の形状変化の環境TEM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• リチウムイオン二次電池正極材料のSTEM-EELS解析
• 25pBB-6 金属/無機ナノヘテロ界面の原子・電子挙動 : 金触媒とLiイオン電池(25pBB 領域10,領域9合同シンポジウム:エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• EELSを用いたLi元素マッピング
• 19pAR-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム表面の原子・電子構造(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム吸蔵/脱離二相界面の原子・電子構造(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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