竹田 精治 | 阪大院理

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概要

• 同名の論文著者
• 阪大院理の論文著者

関連著者

• 竹田 精治

  阪大院理

• Takeda Shingo

  Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology

• 竹田 精治

  大阪大学・大学院理学研究科

• 大野 裕

  阪大院理

• 河野 日出夫

  阪大院理

• 河野 日出夫

  大阪大学大学院理学研究科

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Takeda Shuzaburo

  Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Takeda Shingo

  Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.

• 竹田 精治

  大阪大学・産業科学研究所

• 尾崎 信彦

  阪大院理

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• 吉田 秀人

  阪大院理

• 大野 裕

  東北大金研

• 吉田 秀人

  大阪大学大学院理学研究科

• 竹田 精治

  阪大・教養

• 尾崎 信彦

  筑波大院 数理物質科学研究科

• 市川 聡

  阪大ナノ機構

• 市川 聡

  産業技術総合研究所

• 市川 聡

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 市川 聡

  大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター

• 吉川 純

  阪大院理

• Takeda Shigeru

  National Laboratory For High Energy Physics

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 内山 徹也

  大阪大学大学院理学研究科

• 山崎 順

  名古屋大学理工科学総合研究センター

• 内山 徹也

  阪大院理

• 吉川 純

  東北大多元研:aist:阪大院理学研究科

• 山崎 順

  阪大院理

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研究所

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタスエネルギー

• 市橋 鋭也

  Nec基礎・環境研究所

• 植田 耕平

  阪大院理

• 秋田 知樹

  産業技術総合研

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタス

• 鳥越 和尚

  阪大院理

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス

• 市川 聡

  産総研関西セ

• 足立 直人

  阪大院理

• 丹原 匡彦

  阪大院理

• 岩崎 敏文

  阪大院理

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所 ユゼキタスエネルギー研究部門

• 田中 真悟

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 田中 真悟

  産総研ユビキタスエネルギー

• 秋田 知樹

  産総研関西

• 野上 隆文

  阪大院理

• 高尾 修平

  阪大院理

• 平田 光児

  阪大教養

• 平田 光兒

  阪大教養

• 濱田 大介

  阪大院理

• 白濱 武郎

  阪大院理

• 平田 光児

  阪大理

• 秋田 知樹

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門

• 平田 光兒

  阪大院理

• 田中 真悟

  産総研ユビキタス

• 田中 孝治

  産総研関西セ

• 亀井 隆典

  阪大院理

• 松岡 顕

  阪大院理

• 芦田 昌明

  阪大院基礎工

• 米永 一郎

  東北大金研

• 春田 正毅

  首都大学東京都市環境学部

• 伊藤 正

  阪大院基礎工

• 佐藤 庸平

  東北大多元研

• 寺内 正己

  東北大多元研

• 音 賢一

  千葉大理

• 一宮 正義

  大阪歯科大

• 米永 一郎

  東北大

• 寺内 正己

  東北大学多元物質科学研究所

• 伊藤 正

  東北大・工

• 香山 正憲

  産総研関西

• 佐藤 康平

  東北大多元研

• 市川 聡

  大阪大学ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構

• 市川 聡

  阪大院理

• 稲葉 和宏

  阪大院基礎工

• 斉藤 卓司

  阪大院基礎工

• 斎藤 泰彦

  阪大基礎工

• 一宮 正義

  阪大院基礎工

• 平井 竜太

  阪大院理

• 西田 孟

  阪大院理

• 寺内 正巳

  東北大学

• 芦田 昌明

  大阪大学基礎工学研究科

• 飯島 澄男

  NEC基礎研

• 斎藤 泰彦

  阪大院基礎工

• 飯島 澄男

  NECグリーンイノベーション研究所

• 音 賢一

  阪大院理

• 松本 良平

  日本エフイー・アイ

• 一宮 正義

  京大院人環

• 木村 能章

  生物分子工研・構造解析

• 一宮 正義

  阪歯大:阪大院基礎工

• 山本 圭一

  阪大院理

• Itoh Tadashi

  Department Of Applied Physics Tohoku Unviersity

• Ohno Y

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• 市橋 鋭也

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 清水 拓真

  阪大院理

• 春田 正毅

  首都大東京

• 桑内 康文

  阪大院理

• 武田 淳一

  阪大院理

• Itoh T

  Kyosera Co.ltd.

• 白浜 晃一

  阪大院理

• 木村 能章

  蛋白工研

• 堀野 裕治

  産総研関西

• 菊尾 勇

  阪大院理

• 坂本 竜一

  阪大院理

• Christian Kisielowski

  NCEM, LBL

• Uli Dahmen

  NCEM, LBL

• Uli Dahmen

  Ncem Lbl

• Christian Kisielowski

  Ncem Lbl

• Inaoka Takeshi

  Department Of Electrical And Electronic Engineering The University Of Tokushima

• 伊藤 正

  大阪大学 ナノサイエンスデザイン教育研究センター

• 竹田 精治

  阪大院理:crest-jst

• Okigawa Yuki

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 馬淵 敏暢

  阪大院理

• 池中 清乃

  阪大院理

• 秋 元成

  阪大院理

• 香山 正憲

  産総研関西セ

• 山崎 順

  名大院工

• 堀野 裕治

  産総研関西セ

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著作論文

• 20aYN-4 シリコン・ナノワイヤーの価電子励起過程のTEM-EELS分析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSB-2 コンペイトウ型SiC粒子の生成 : ナノワイヤ成長からの遷移(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 22aXA-3 SiC 一次元ナノ構造の内部ポテンシャル
• 21aYE-4 ヘテロ接合ナノワイヤの内部ポテンシャル測定
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aTD-9 シリコンナノチェイン電気伝導の非ガウスゆらぎ(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pPSA-2 MOCVD法によるSiCナノ構造生成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-61 マイクロマニピュレータを用いた半導体ナノニードルの電気伝導特性の測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYH-7 シリコンナノチェインの高電圧印加電気伝導(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-110 シリコンナノニードルをテンプレートとしたシリコン/鉄シリサイドヘテロ接合の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 18aRJ-4 環境制御型透過電子顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ成長その場観察(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 12aXG-13 成長雰囲気中における SWNT の TEM 像シミュレーション(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
• 28pPSB-67 SiC bamboo 構造の電子構造
• 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
• 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
• 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
• 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
• 28p-ZA-11 シリコンにおける電子線照射効果の低温(4K)その場高分解能TEM観察
• 26a-T-3 シリコンの低温での電子線照射効果
• 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
• 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
• 31aYG-7 シリコン {113} 面欠陥の plan-view 高分解能電子顕微鏡観察
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
• 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
• 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
• 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
• 29pPSA-29 セルフイオン照射Si結晶の断面STM観察
• 30p-Q-9 シリコン及びゲルマニウムにおける表面ナノホールの生成条件
• 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• 19pXC-4 環境制御型TEMの新しい可能性(シンポジウム 最新電子顕微鏡法を使った物性研究のいぶき,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
• 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
• 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
• 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
• 23aW-13 シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定
• 31aZF-12 シリコンーシリサイドーオキサイド・ナノチェーンの生成と物性
• 17pTF-2 金属・硫黄を用いたシリコンニードルの生成
• 17pTF-1 シリコンナノワイヤー成長におけるバイファケーション
• 27pZ-5 シリコン {111} 表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性
• 26pYL-9 GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造
• 31a-ZA-11 GaInP中の反位相境界に起因する局在電子準位
• 29pPSA-47 鉛-金触媒を用いたシリコンナノ結晶チェーンの生成と光学特性
• 28aTA-6 シリコンナノ結晶チェーンの高効率生成
• 24pW-14 Siナノ結晶チェインからのカソードルミネッセンス
• 30p-YK-11 c-BN中の窒素バブル
• 7aSK-3 SiGe混晶における電子線照射誘起の拡張欠陥(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 7aSN-9 SiC bamboo構造の透過型電子顕微鏡観察(結晶成長・表面界面ダイナミクス,領域9)
• 7aSK-8 ZnSe薄膜中における光照射による積層欠陥の形成 : 電子顕微鏡その場観察(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 24aWD-3 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の生成消滅メカニズム(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25pPSB-36 シリコンナノワイヤー成長におけるナノ触媒形成過程のSTM観察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 24aWJ-5 面欠陥からの偏光CL光の定量解析(24aWJ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• 25aXR-3 SiGeにおける電子線照射効果(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• 26pWD-5 シリコン結晶中に内包された金クラスターの構造(26pWD クラスター・表面ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25aXR-7 シリコン中の金シリサイド微粒子の構造(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• 24aWD-4 VLS機構による自己成長型Siナノワイヤーの生成起点(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

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