28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-08-18

著者

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所 ユゼキタスエネルギー研究部門

• 吉田 秀人

  大阪大学大学院理学研究科

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• 河野 日出夫

  大阪大学大学院理学研究科

• 香山 正憲

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 春田 正毅

  首都大学東京都市環境学部

• 香山 正憲

  産総研ユビキタスエネルギー

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタスエネルギー

• 香山 正憲

  産総研ユビキタス

• 竹田 精治

  阪大院理

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 河野 日出夫

  阪大院理

• 吉田 秀人

  阪大院理

• Takeda Shingo

  Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology

• Takeda Shingo

  Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.

• 竹田 精治

  大阪大学・大学院理学研究科

• 春田 正毅

  首都大東京

• 秋田 知樹

  (独)産業技術総合研究所 ユビキタスエネルギー研究部門

• Takeda Shigeru

  National Laboratory For High Energy Physics

• Takeda Shuzaburo

  Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University

• 竹田 精治

  大阪大学・産業科学研究所

• 秋田 知樹

  産業技術総合研

• 秋田 知樹

  産総研ユビキタス

関連論文

• 22pHT-5 第一原理計算と電子顕微鏡観察によるエネルギー環境材料の解明と設計(22pHT 領域10シンポジウム:グリーンテクノロジーにおける格子欠陥・ナノ構造の役割,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20aGL-5 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(20aGL 微粒子・クラスター/若手奨励賞,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 酸化セリウムに担持した白金と金のナノ粒子の高分解能環境TEM観察
• 分析電子顕微鏡による触媒材料の構造解析
• 金クラスターによる水素解離反応
• 26pYH-1 SiCナノワイヤ/Auナノ粒子ネットワークにおける抵抗スイッチング(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• コンビ触媒研究と表面構造解析
• 26aYF-5 TEM-EELSを用いたシリコンナノワイヤーのRadiative Surface Plasmonの研究(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aTD-10 TEM-EELSを用いたシリコンナノワイヤーの価電子励起スペクトルの表面効果の研究(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-6 TEM-EELS/XESによるシリコンナノワイヤーの電子構造の研究(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-4 シリコン・ナノワイヤーの価電子励起過程のTEM-EELS分析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSB-2 コンペイトウ型SiC粒子の生成 : ナノワイヤ成長からの遷移(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 22aXA-3 SiC 一次元ナノ構造の内部ポテンシャル
• 21aYE-4 ヘテロ接合ナノワイヤの内部ポテンシャル測定
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
• リチウムイオンの出入りを可視化する電子顕微鏡観察技術 : リチウムイオン電池の高性能正極材料開発に向けて
• 23aTA-6 CF_4プラズマによるSWCNTのフッ素化(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
• 超音波照射還元で作製したAu-Pdコア・シェルナノ粒子の構造と触媒活性
• 29pTE-4 fcc-Au上に積層したPdの電子状態の第一原理計算による評価(29pTE 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 第一原理計算と電子顕微鏡観察による金属/無機ナノヘテロ界面の解明と設計
• Pt/TiO_2ナノヘテロ触媒におけるPtナノ粒子の平均内部ポテンシャル
• 分析電子顕微鏡による酸化セリウムに担持した金微粒子の観察
• 電子線ホログラフィー法の金ナノヘテロ触媒への応用
• 金属/酸化物触媒の構造解析
• 25pWS-6 SiCナノワイヤのジュール加熱によるグラファイト化のTEMその場観察(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pWZ-9 γ線照射還元により生成したAu-Pd二元系ナノ微粒子の構造評価(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 25aWS-10 エチレンを吸着したAu-Pdスラブの第一原理計算による評価(25aWS 表面界面構造(金属・酸化物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 高圧力・高分解能タイプの環境TEMの開発と応用
• 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
• 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
• 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 6a-YG-8 パルスESRによる年代測定法
• 自己形成SiCナノワイヤに見られる複雑な直径変動
• 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aTD-9 シリコンナノチェイン電気伝導の非ガウスゆらぎ(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pPSA-2 MOCVD法によるSiCナノ構造生成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• シリコン双晶ナノ粒子の高分解能電子顕微鏡観察 : 回転に伴う像の連続変化
• 25pPSB-61 マイクロマニピュレータを用いた半導体ナノニードルの電気伝導特性の測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYH-7 シリコンナノチェインの高電圧印加電気伝導(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-59 自己アフィンSiCナノワイヤの自己形成(29pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 24aPS-110 シリコンナノニードルをテンプレートとしたシリコン/鉄シリサイドヘテロ接合の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 宇宙地球の格子欠陥から物理の格子欠陥へ
• 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
• 分析電子顕微鏡によるリチウムイオン二次電池正極材料の充放電機構解明
• 触媒研究のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡の開発 (第107回触媒討論会B講演予稿)
• 電子スピン共鳴(ESR)による中国・韓国・日本の風成塵起源石英の同定
• 7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
• 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
• 30p-YC-5 高分解能電子顕微鏡で見た半導体中の水素誘起欠陥
• 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
• 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
• 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
• 27p-K-6 半導体の電子線及びイオン照射誘起2次欠陥の構造
• 24a-T-9 IV族及びIII-V族半導体における水素誘起欠陥
• 5a-Z-11 軽ガスイオン照射によってできた半導体中の板状欠陥
• 2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥
• 20pRB-7 金属ナノ触媒からのカーボンナノチューブ成長の高分解能環境TEMその場観察(20pRB 領域10シンポジウム:TEMによる最先端局所構造解析,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 18aRJ-4 環境制御型透過電子顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ成長その場観察(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aYF-4 マルチアフィン半導体ナノワイヤの生成(確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 12aXG-13 成長雰囲気中における SWNT の TEM 像シミュレーション(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 12aXG-11 SiC ナノワイヤ直径変動の複雑性とスケーリング(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
• 28pPSB-67 SiC bamboo 構造の電子構造
• 電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
• 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
• 31aZF-7 シリコンナノ結晶チェーンの電気伝導特性
• 気相グラフティング法による金超微粒子担持触媒の調製
• 実環境下でのプロセス・特性評価のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡とその応用 (特集 触媒化学への(S)TEM技術の応用)
• 金微粒子触媒の電子顕微鏡観察 (特集 触媒化学への(S)TEM技術の応用)
• 触媒研究のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡の開発
• エチレンの完全酸化用貴金属触媒における担体と金属粒子径の効果
• 分析電子頭徴銃によるリチウムイオン電池材料の研究 (Li電池材料解析の最前線)
• 環境制御・透過電子顕微鏡法によるナノ粒子触媒のその場観察
• 1002 金/酸化チタン界面の結合性と触媒特性の第一原理計算(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション講演)
• 27pPSA-32 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO_2触媒の形状変化の環境TEM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aJB-4 触媒反応ガス中におけるPt/CeO_2形状の温度依存性(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• シリコンナノ結晶鎖の成長メカニズム(ナノ結晶)
• リチウムイオン二次電池正極材料のSTEM-EELS解析
• 29a-PS-34 シリコンナノ結晶鎖の自己組織的生成
• IX. ナノ物質合成 シリコンナノ結晶鎖
• シリコン結晶における点欠陥クラスタリング
• 24aCC-6 反応ガス中における白金ナノ粒子触媒の表面構造(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pBB-6 金属/無機ナノヘテロ界面の原子・電子挙動 : 金触媒とLiイオン電池(25pBB 領域10,領域9合同シンポジウム:エネルギー・環境材料の機能と格子欠陥,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aCC-7 触媒反応環境下における金ナノ粒子の構造変化(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• EELSを用いたLi元素マッピング
• 19pAR-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム表面の原子・電子構造(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-11 第一原理計算によるチタン酸リチウム吸蔵/脱離二相界面の原子・電子構造(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク