29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1995-09-12

著者

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• 竹田 精治

  阪大理物

• 武藤 俊介

  名古屋大学大学院工学研究科

• 竹田 精治

  阪大理学研究科

• 武藤 俊介

  名大理工総研

• 平田 光児

  阪大教養

• 平田 光兒

  阪大教養

• 宮崎 隆行

  阪大理

• 平田 光兒

  阪大理

• 平田 光児

  阪大理

• 平田 光兒

  阪大院理

関連論文

• 酸化セリウムに担持した白金と金のナノ粒子の高分解能環境TEM観察
• 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(8)-照射効果の解明と耐照射材料および新素材開発をめざして-」の企画にあたって
• 26pYH-1 SiCナノワイヤ/Auナノ粒子ネットワークにおける抵抗スイッチング(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 非等方PIXON法によるリチウムイオン二次電池材料の微量添加元素のEELS分析
• 自動車排ガス浄化用助触媒β-Ce_2Zr_2O_の高分解能像と電子損失エネルギー分光スペクトル
• Ce_2Zr_2O_7とβ-Ce_2Zr_2O_の結晶構造
• 電子エネルギー損失分光法によるセリア-ジルコニア固溶体の規則相の解析
• 26aYF-5 TEM-EELSを用いたシリコンナノワイヤーのRadiative Surface Plasmonの研究(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aTD-10 TEM-EELSを用いたシリコンナノワイヤーの価電子励起スペクトルの表面効果の研究(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-6 TEM-EELS/XESによるシリコンナノワイヤーの電子構造の研究(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-4 シリコン・ナノワイヤーの価電子励起過程のTEM-EELS分析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 可視光応答型チタニア光触媒における窒素状態解析
• 窒素イオン注入によるチタニア光触媒の可視光応答化
• 高角度分解能チャネリングEELSによるサイト選択的結晶場分裂の測定
• TEM用MCX-WDX分光器による遷移金属元素分析
• 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
• 特集「電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(4)」特集企画にあたって
• 23aTA-6 CF_4プラズマによるSWCNTのフッ素化(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aUB-7 ナノグラファイトの構造・機能評価 : 秩序と無秩序の間(30aUB 領域10シンポジウム:カーボン物質の機能性ナノ構造形成,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
• EXELFS-ウェーブレット法による非晶質の三体分布情報の抽出
• 30aXC-2 シリコンSiL_ELNESの多重散乱解析
• シリコン表面の水素イオン照射誘起ブリスターの非破壊構造解析と内部ガス圧評価
• ブリスタリングによる応力変調を利用した局所シリコン酸化の観察
• 高圧力・高分解能タイプの環境TEMの開発と応用
• 6a-S-10 電子照射による黒鉛の構造変化 : I.高分解能電子顕微鏡観察による局所構造変化
• 3p-M-14 シリコン結晶中に析出した金微粒子のHRTEM観察
• 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
• 28a-E-1 電子照射による欠陥発生の結晶内電子流状態依存
• 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
• 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• D^+照射により形成されたタングステン表面ブリスターの低角度入射電子顕微鏡観察
• Al-Si共晶における固液界面のその場高分解能観察
• EXELFSによる黒鉛の照射損傷過程の解析
• 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• シリコン双晶ナノ粒子の高分解能電子顕微鏡観察 : 回転に伴う像の連続変化
• 低角度入射電子顕微鏡法による表面微小構造体の非破壊分析
• 4p-YG-9 自然超格子GaInPの無秩序化過程 : TEMその場観察
• 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
• 7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
• 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
• 30p-YC-5 高分解能電子顕微鏡で見た半導体中の水素誘起欠陥
• 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
• 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
• 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
• 27p-K-6 半導体の電子線及びイオン照射誘起2次欠陥の構造
• 24a-T-9 IV族及びIII-V族半導体における水素誘起欠陥
• 5a-Z-11 軽ガスイオン照射によってできた半導体中の板状欠陥
• 2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥
• 7a-S-12 非晶質シリコンのシンクロトロン放射光照射効果
• 18aRJ-4 環境制御型透過電子顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ成長その場観察(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
• 電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
• 7a-S-9 シリコン結晶における自己格子間原子クラスター構造とその生成機構
• 6a-S-4 Si-Ge混晶の電子線低温照射欠陥
• 30p-E-8 Si-Ge混晶における電子線照射欠陥
• 30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
• 29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
• 6a-S-11 電子照射による黒鉛の構造変化 : II.ELNES・EXELFSによる化学結合変化
• TEM-EXELFS 法の効用 - EXAFS 法との対比 -
• 実環境下でのプロセス・特性評価のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡とその応用 (特集 触媒化学への(S)TEM技術の応用)
• 複合電子分光による機能元素分析と物性画像診断
• スピネル型酸化物Mn_3O_4からのMn L_電子線チャネリング条件下ELNES
• 複合電子顕微分光への展望とその応用の可能性
• 20pRB-2 電子プローブを用いた軟X線領域スペクトルによる局所電子状態解析(20pRB 領域10シンポジウム:TEMによる最先端局所構造解析,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 電子エネルギー損失スペクトル微細構造解析の軽元素分析への応用
• InPにおける点欠陥の拡散過程
• 27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
• 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
• 22pWA-3 CoPtCrB磁性膜中のBサイトの詳価(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 31a-E-14 超高真空電顕法によるシリコン薄膜の電子線照射効果の研究
• 高分解能電子顕微鏡法によるSi微小欠陥の観察
• 触媒研究のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡の開発
• 環境制御・透過電子顕微鏡法によるナノ粒子触媒のその場観察
• 27pPSA-32 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO_2触媒の形状変化の環境TEM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• アルミニウム水素化物の合成および原子配置と水素放出特性
• 3a-M-10 シリコン自己格子間原子クラスターの電子構造
• 23aJB-4 触媒反応ガス中におけるPt/CeO_2形状の温度依存性(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 反応科学超高圧電子顕微鏡の開発
• シリコンナノ結晶鎖の成長メカニズム(ナノ結晶)
• 29a-PS-34 シリコンナノ結晶鎖の自己組織的生成
• IX. ナノ物質合成 シリコンナノ結晶鎖
• 28a-T-9 金注入によりアモルファス化したシリコンの再結晶化過程
• 28a-T-6 自己組織的シリコンナノ結晶鎖成長の生成条件依存性
• 30p-YK-12 シリコンの高温熱処理によるwhisker成長
• シリコン結晶における点欠陥クラスタリング
• 29p-YC-1 化合物半導体GaPにおける2次欠陥の成長過程
• 24aCC-6 反応ガス中における白金ナノ粒子触媒の表面構造(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aCC-7 触媒反応環境下における金ナノ粒子の構造変化(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク