29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-03-17

著者

• 竹田 精治

  阪大理物

• 竹田 精治

  阪大理学研究科

• 下山 謙司

  三菱化学株式会社

• Takeda Shingo

  Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology

• 下山 謙司

  三菱化学

• 平田 光児

  阪大教養

• 平田 光兒

  阪大教養

• 平田 光兒

  阪大理

• 久野 淑己

  阪大理

• 細井 信行

  三菱化学

• 平田 光児

  阪大理

• 平田 光兒

  阪大院理

関連論文

• 酸化セリウムに担持した白金と金のナノ粒子の高分解能環境TEM観察
• 26pYH-1 SiCナノワイヤ/Auナノ粒子ネットワークにおける抵抗スイッチング(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aTD-10 TEM-EELSを用いたシリコンナノワイヤーの価電子励起スペクトルの表面効果の研究(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-6 TEM-EELS/XESによるシリコンナノワイヤーの電子構造の研究(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSB-2 コンペイトウ型SiC粒子の生成 : ナノワイヤ成長からの遷移(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 23aTA-6 CF_4プラズマによるSWCNTのフッ素化(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
• C-3-14 InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング
• 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAlGaAs/InAlAsを用いた部分屈折率変調多モード干渉型光スイッチ(MIPS-P)による高速光スイッチング(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
• InAlGaAs/InAlAsによる部分屈折率変調多モード干渉型スイッチ(MIPS-P)の特性改善(フォトニックネットワーク制御・設計,一般)
• 高圧力・高分解能タイプの環境TEMの開発と応用
• 環境制御・透過型電子顕微鏡の現状と展望
• 3p-M-14 シリコン結晶中に析出した金微粒子のHRTEM観察
• 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aTD-9 シリコンナノチェイン電気伝導の非ガウスゆらぎ(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pPSA-2 MOCVD法によるSiCナノ構造生成(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• シリコン双晶ナノ粒子の高分解能電子顕微鏡観察 : 回転に伴う像の連続変化
• 25pPSB-61 マイクロマニピュレータを用いた半導体ナノニードルの電気伝導特性の測定(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pYH-7 シリコンナノチェインの高電圧印加電気伝導(26pYH ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-110 シリコンナノニードルをテンプレートとしたシリコン/鉄シリサイドヘテロ接合の形成(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 4p-YG-9 自然超格子GaInPの無秩序化過程 : TEMその場観察
• 触媒研究のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡の開発 (第107回触媒討論会B講演予稿)
• 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
• 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
• 18aRJ-4 環境制御型透過電子顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ成長その場観察(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 12aXG-13 成長雰囲気中における SWNT の TEM 像シミュレーション(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
• 電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
• 19aTG-7 シリコンにおける照射誘起アモルファス化の温度依存性
• 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
• 23aYP-8 シリコンにおけるアモルファス化の素過程
• 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
• 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
• 25aN-14 シリコンの電子照射アモルファス化を用いたフォトニック結晶
• 25aYL-2 シリコンにおける低温電子照射誘起の欠陥の構造と熱的安定性
• 25aYL-1 電子照射で生成されたアモルファス・シリコンの構造物性
• 28p-ZA-11 シリコンにおける電子線照射効果の低温(4K)その場高分解能TEM観察
• 28p-ZA-10 シリコンおける電子線照射誘起の非晶質化
• 26a-T-3 シリコンの低温での電子線照射効果
• 7a-S-9 シリコン結晶における自己格子間原子クラスター構造とその生成機構
• 6a-S-4 Si-Ge混晶の電子線低温照射欠陥
• 30p-E-8 Si-Ge混晶における電子線照射欠陥
• 霧化型励起酸素発生器の基礎研究
• 30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
• 29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
• 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
• Output Power Enhancement of a Chemical Oxygen-Iodine Laser by Predissociated Iodine Injection
• 化学酸素沃素レｰザｰ(Chemical Oxygen Iodine Laser : COIL)の高圧力動作
• OS4(5)-19(OS04W0319) Measurement of Local Minute Strain by Using Synchrotron X-Ray Microbeam
• Evaluation of Lattice Strain in Silicon Substrate Beneath Aluminum Conductor Film Using High-Resolution X-Ray Microbeam Diffractometry
• Formation of Parallel X-Ray Microbeam and Its Application
• Phase-Contrast X-Ray Imaging Using Both Vertically and Horizontally Expanded Synchrotron Radiation X-Rays with Asymmetric Bragg Reflection
• Characterization of Diamond Single Crystals for Synchrotron Radiation Monochromators (Proceedings of the Second International Conference on SRMS(Synchrotron Radiation in Materials Science)(2))
• 31aYG-7 シリコン {113} 面欠陥の plan-view 高分解能電子顕微鏡観察
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 沃素のマイクロ波放電解離を用いた超音速化学酸素沃素レｰザ
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
• 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
• Waveform Shaping of a Chemical Oxygen-Iodine Laser Utilizing the Zeeman Effect
• 化学酸素沃素レｰザｰの磁場によるパルス発振
• 化学酸素沃素レーザの磁場による出力制御
• 実環境下でのプロセス・特性評価のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡とその応用 (特集 触媒化学への(S)TEM技術の応用)
• 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
• 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
• InPにおける点欠陥の拡散過程
• 27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
• 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
• 22pWA-3 CoPtCrB磁性膜中のBサイトの詳価(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pPSA-29 セルフイオン照射Si結晶の断面STM観察
• 30p-Q-9 シリコン及びゲルマニウムにおける表面ナノホールの生成条件
• 31a-E-14 超高真空電顕法によるシリコン薄膜の電子線照射効果の研究
• 高分解能電子顕微鏡法によるSi微小欠陥の観察
• 3a-M-10 シリコン自己格子間原子クラスターの電子構造
• 28a-T-9 金注入によりアモルファス化したシリコンの再結晶化過程
• 28a-T-6 自己組織的シリコンナノ結晶鎖成長の生成条件依存性
• 30p-YK-12 シリコンの高温熱処理によるwhisker成長
• 29p-YC-1 化合物半導体GaPにおける2次欠陥の成長過程

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク