平田 光児 | 阪大教養
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概要
関連著者
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平田 光児
阪大教養
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平田 光児
阪大理
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平田 光兒
阪大教養
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平田 光兒
阪大院理
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竹田 精治
阪大教養
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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武藤 俊介
名古屋大学大学院工学研究科
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竹田 精治
阪大理物
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竹田 精治
阪大理学研究科
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巽 勇吉
大阪大学教養部物理教室
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巽 勇吉
阪大教養
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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平田 光兒
阪大理
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武藤 俊介
阪大教養
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信貴 幹夫
阪大基礎工
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桐谷 道雄
広工大
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河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
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平田 雅子
神戸市立看護短大
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竹田 精治
阪大・理
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平田 光兒
阪大・理
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河野 日出夫
阪大・理
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藤井 克司
三菱化成
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大野 裕
阪大教養
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大野 裕
阪大理
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竹田 精治
阪大院理
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大野 裕
阪大院理
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下山 謙司
三菱化学株式会社
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下山 謙司
三菱化学
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桐谷 道雄
阪大基礎工
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桐谷 道雄
北大工
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斉藤 晴男
阪大教養
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尾崎 信彦
筑波大院 数理物質科学研究科
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藤井 克司
三菱モンサント化成
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斉藤 晴男
鳴門教育人学・自然系
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尾崎 信彦
阪大院理
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久野 淑己
阪大理
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細井 信行
三菱化学
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平田 光児
大阪大学教養
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平田 雅子
阪大教養
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藤田 尚徳
三菱化成
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藤井 克司
三菱モンサント
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田中 通義
東北大科研
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田中 通義
東北大多元研
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寺内 正己
東北大科研
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伊藤 一義
島根大・理
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平田 雅子
神戸市立看護短期大学(物理学)
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藤田 尚徳
三菱化成総合研究所
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堀内 繁雄
無機材研
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大嶋 隆一郎
大阪ニュークリアサイエンス協会
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香山 正憲
大工研
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野町 健
阪大・理
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武藤 俊介
名大理工総研
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武藤 俊介
阪大理
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武藤 俊介
阪大・理
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岡 真弘
島根大文理
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伊藤 一義
島根大・文理
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岡 真弘
島根大・文理
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宮本 欽生
阪大 教養
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堀内 繁雄
三菱ガス科学(株)総合研究所
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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大嶋 隆一郎
阪大基礎工
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藤井 克司
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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田辺 哲朗
阪大工
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大嶋 隆一郎
大阪大学基礎工学部
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藤井 克司
三菱化成ポリテック(株)
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井部 克彦
日本電子(株)
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佐藤 忠重
三菱化成
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馬淵 敏暢
阪大・理
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宮崎 隆行
阪大理
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武藤 俊介
大阪大学理学部
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竹田 精治
大阪大学理学部
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平田 光兒
大阪大学理学部
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竹田 清治
阪大教養
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斎藤 晴男
阪大教養
-
斎藤 晴男
阪大・教養
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山田 和義
阪大基礎工
-
信貴 幹夫
阪大教養
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藤本 亮二
阪大基礎工
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宮本 欽生
阪大教養
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馬淵 敏暢
阪大院理
著作論文
- GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
- 15a-G-7 ^Coγ線照射を受けたP型Geの焼鈍
- 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
- 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4p-NJ-15 ゲルマニウムの高温電子照射損傷
- 4a-L-11 ゲルマニウムの電子照射損傷と点欠陥の性質
- 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
- 3a-X-7 気相エピタキシャル法で作られたGaAs_xP_/GaPの透過電子顕微鏡観察
- 7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
- 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
- 30p-YC-5 高分解能電子顕微鏡で見た半導体中の水素誘起欠陥
- 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
- 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
- 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
- 29a-ZB-3 Si・Geにおける水素誘起板状欠陥の回折コントラスト
- 30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
- 29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
- 14p-R-13 MgO粉末のE.S.R
- 4a-L-11 Siの放射線損傷とそのannealing
- 29a-D-11 非晶貭Si, Geホイスカの結晶化
- シリコン, ゲルマニウム・ウィスカーの成長機構と構造変化 : ホイスカー
- 10p-E-7 シリコン・ゲルマニウムの非晶質ウイスカーの形態とそれらの性質
- 10p-E-6 非晶質シリコンウイスカーの成長
- シリコン非晶質ウィスカーの成長過程 : ホイスカー・基礎
- シリコン・ゲルマニウム非晶質ウィスカーの形状とその性質 : ホイスカー・基礎
- 7a-N-9 シリコンひげ結晶の成長とその物性
- 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
- 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
- 30p-E-11 半導体中の微小金属析出物のEELS測定
- InPにおける点欠陥の拡散過程
- 27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
- 4a-YG-12 TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価
- 28p-P-6 GaPの電子線誘起欠陥
- 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
- 5p-A3-3 III-V化合物半導体のイオン照射欠陥の電子顕微鏡による研究
- 7p-S-3 Siウィスカーの多型成長と非晶質Si繊維の構造
- 29p-Q-8 気相エピタキシャル成長したGaAs_xP_/GaPの格子欠陥(29pQ 結晶成長)