10p-E-6 非晶質シリコンウイスカーの成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1977-09-20
著者
関連論文
- GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
- 15a-G-7 ^Coγ線照射を受けたP型Geの焼鈍
- 7a-E-10 P-type Geの放射線損傷
- 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
- 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
- 3a-M-3 電子照射された半導体中の欠陥の空間分布
- 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 2a-KL-8 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体と点欠陥のふるまい
- 14a-L-13 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4p-NJ-15 ゲルマニウムの高温電子照射損傷
- 4a-L-11 ゲルマニウムの電子照射損傷と点欠陥の性質
- 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
- ボート法によるGaAs結晶成長時の固液界面形状と欠陥構造 : 評価
- 暗視野TEM法によるVPE-GaAs_xP_中の濃度変動の解析 : 薄膜
- 3a-X-7 気相エピタキシャル法で作られたGaAs_xP_/GaPの透過電子顕微鏡観察
- 7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
- 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
- 30p-YC-5 高分解能電子顕微鏡で見た半導体中の水素誘起欠陥
- 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
- 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
- 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
- 24a-T-9 IV族及びIII-V族半導体における水素誘起欠陥
- 5a-Z-11 軽ガスイオン照射によってできた半導体中の板状欠陥
- 2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥
- LPE法で作られたAl_xGa_As系ヘテロ接合のTEMによる評価 : エピタキシーII
- 29a-ZB-3 Si・Geにおける水素誘起板状欠陥の回折コントラスト
- 27a-SB-5 非晶質シリコンの構造 I
- 2p-E-8 蒸着アモルファス・シリコンの構造
- 30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
- 29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
- 27a-K-9 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体の発生と空間分布
- 14p-R-13 MgO粉末のE.S.R
- 4a-L-11 Siの放射線損傷とそのannealing
- 6a-M-6 低温照射したn-type Geの焼鈍
- 6a-KM-6 P型Geの電子線照射による欠陥
- 10p-U-5 10MeV電子線照射によるn-type Geの損傷
- 30a-U-13 n-type Ge の電子線照射によるEc-02eV level
- 6p-E-10 n-type Geの電子線照射による欠陥
- 非晶質シリコン・ゲルマニウム,ホイスカーにおける結晶化 : ホイスカー
- 29a-D-11 非晶貭Si, Geホイスカの結晶化
- 4p-N-10 Si,Ge ホイスカーの成長並びに不純物の影響
- シリコン,ゲルマニウムホイスカの成長
- シリコン, ゲルマニウム・ウィスカーの成長機構と構造変化 : ホイスカー
- ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長 : ホイスカー
- 6a-AG-10 ゲルマニウム ウィスカーの成長と構造
- 1a-BA-4 シリコン,ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長
- 10p-E-7 シリコン・ゲルマニウムの非晶質ウイスカーの形態とそれらの性質
- 10p-E-6 非晶質シリコンウイスカーの成長
- シリコン非晶質ウィスカーの成長過程 : ホイスカー・基礎
- シリコン・ゲルマニウム非晶質ウィスカーの形状とその性質 : ホイスカー・基礎
- 7a-N-9 シリコンひげ結晶の成長とその物性
- 8p-H-1 非晶質シリコンのひげ状成長
- SiのRadiation damageとそのAnnealing : 半導体
- GeとSiのRadiation damageとそのannesling II : 半導体
- Siの放射線損傷とその焼鈍 : 格子欠陥
- 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
- 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
- 30p-E-11 半導体中の微小金属析出物のEELS測定
- InPにおける点欠陥の拡散過程
- 27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
- 4a-YG-12 TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価
- 28p-P-6 GaPの電子線誘起欠陥
- 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
- 5p-A3-3 III-V化合物半導体のイオン照射欠陥の電子顕微鏡による研究
- 5p-K-9 シリコンにおける非晶質と構造多型
- Siウィスカーにおける構造多型と非晶質 : VPEとホイスカー
- 7p-S-3 Siウィスカーの多型成長と非晶質Si繊維の構造
- 新結晶構造ゲルマニウム・ウィスカーの成長
- Geの放射線損傷とその焼鈍-lifetime : 格子欠陥
- 9p-P-4 Siの放射線損傷
- Siの放射線損傷とそのAnnealing : 格子欠陥
- 2a-TA-5 Si(113)面上の電子線照射欠陥の電子線回折
- 1p-TE-1 『シリコンの点欠陥と自己拡散はどこまで解明されたか』企画の趣旨
- シリコンの点欠陥と自己拡散
- 4a-ZA-5 シリコンの自己拡散の担い手は何か
- 30p-H-2 シリコン・ゲルマニウムの電子照射損傷と自己拡散
- 3a-TA-8 P-type Geの電子線照射による欠陥の焼銃
- 10a-Q-9 P型Geの電子線照射による欠陥の焼鈍
- P-type Ge中の電子線照射による欠陥 : 格子欠陥
- P-type Ge中の点欠陥 : 格子欠陥
- 29p-Q-8 気相エピタキシャル成長したGaAs_xP_/GaPの格子欠陥(29pQ 結晶成長)