4a-L-11 Siの放射線損傷とそのannealing
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1967-04-02
著者
関連論文
- 輸液の混合方法に関する一考察 第二報
- 輸液の混合方法に関する一考案 第一報
- 閉鎖式持続導尿法に関する研究 : 第2報 ランニングチューブのはわせ方による看護への検証
- 閉鎖法持続導尿法に関する研究 : 第1報 尿流管理における検証
- 環境の安全に関する研究 : 床とはきものの間に生ずる摩擦から安全を考える
- 褥瘡の発生予防と治療に関する研究(第7報) : 看護基礎教育における褥瘡の教育方法
- 褥瘡の発生予防と治療に関する研究(第5報) : ローリングによる体圧の変化
- 褥瘡の発生予防と治療に関する研究(第2報) : 発生因子観察方法の考察とわれわれの選択
- 褥瘡の発生予防と治療に関する研究(第1報) : 褥瘡に関する文献的考察
- 経管栄養・血圧測定・ボディメカニズムの盲点
- 腹会陰式直腸切断術を受けた患者の会陰創の疼痛と疼痛軽減のための用具の工夫(第3報) : 安楽用具のための実験研究
- 腹会陰式直腸切断術を受けた患者の会陰創の疼痛と疼痛軽減のための用具の工夫(第2報) : アンケートの分析
- 腹会陰式直腸切断術を受けた患者の会陰創の疼痛と疼痛軽減のための用具の工夫(第1報) : 現状からの分析
- GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
- 抗癌剤投与時の脱毛予防に対する試み : 4%食塩水と消毒用エタノールを使用したアイスキャップの冷却効果と脱毛予防効果
- 抗癌剤投与時の脱毛予防に対する試み(第4報) : 4%アイスキャップの脱毛予防効果
- 抗癌剤投与時の脱毛予防に対する試み(第3報) : 頭部冷却が顔面・頭皮温及び血流速度に及ぼす影響
- 抗癌剤投与時の脱毛予防に対する試み(第2報) : アイスキャップに使用する最も効果的な混合液の検討とアイスキャップの改良
- 抗癌剤投与時の脱毛予防に対する試み(第1報) : 生理食塩水と消毒用エタノールを使用したアイスキャップの冷却効果と脱毛予防効果
- 15a-G-7 ^Coγ線照射を受けたP型Geの焼鈍
- 寝具に使用される繊維製品の研究(第2報) : ニットシーツの有用性に関する一考察
- 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
- 3a-M-3 電子照射された半導体中の欠陥の空間分布
- 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 2a-KL-8 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体と点欠陥のふるまい
- 14a-L-13 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4p-NJ-15 ゲルマニウムの高温電子照射損傷
- 4a-L-11 ゲルマニウムの電子照射損傷と点欠陥の性質
- 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
- 3a-X-7 気相エピタキシャル法で作られたGaAs_xP_/GaPの透過電子顕微鏡観察
- 7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
- 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
- 30p-YC-5 高分解能電子顕微鏡で見た半導体中の水素誘起欠陥
- 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
- 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
- 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
- 腹会陰式直腸切断術を受けた患者の会陰創の疼痛と疼痛軽減のための用具の工夫(第4報) : 用具の安楽性に関する調査
- 29a-ZB-3 Si・Geにおける水素誘起板状欠陥の回折コントラスト
- 寝具に使用される繊維製品の研究 : 繊維製品間の摩擦係数と官能検査の結果よりの一考察
- 30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
- 29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
- 27a-K-9 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体の発生と空間分布
- Si中のimpurity-vacancy complexの移動とエントロピー : 格子欠陥
- 4a-P-3 Si-E centerのannealing
- 14p-R-13 MgO粉末のE.S.R
- 4a-L-11 Siの放射線損傷とそのannealing
- Si-E centerのAnnealing : 格子欠陥
- Siの放射線損傷 II(annealing) : 格子欠陥
- Siの放射線損傷 I(再結合中心) : 格子欠陥
- 6a-M-6 低温照射したn-type Geの焼鈍
- 29a-D-11 非晶貭Si, Geホイスカの結晶化
- シリコン, ゲルマニウム・ウィスカーの成長機構と構造変化 : ホイスカー
- 10p-E-7 シリコン・ゲルマニウムの非晶質ウイスカーの形態とそれらの性質
- 10p-E-6 非晶質シリコンウイスカーの成長
- シリコン非晶質ウィスカーの成長過程 : ホイスカー・基礎
- シリコン・ゲルマニウム非晶質ウィスカーの形状とその性質 : ホイスカー・基礎
- 7a-N-9 シリコンひげ結晶の成長とその物性
- 石けん浣腸の注入速度に関する実験と調査
- 寝具・寝衣に使用される素材の特性と摩擦について(第1報)
- 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
- 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
- 30p-E-11 半導体中の微小金属析出物のEELS測定
- InPにおける点欠陥の拡散過程
- 27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
- 4a-YG-12 TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価
- 28p-P-6 GaPの電子線誘起欠陥
- 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
- 5p-A3-3 III-V化合物半導体のイオン照射欠陥の電子顕微鏡による研究
- 7p-S-3 Siウィスカーの多型成長と非晶質Si繊維の構造
- 経管栄養における一考察(その3)
- 経管栄養における一考察(その2) : チューブ湯煎の効果について
- 経管栄養における一考察(その1) : 注入時の温度下降について
- n型GeのRadiation Damageと不純物効果 : 格子欠陥
- 9p-C-5 Siliconの放射線損傷とその焼鈍効果
- 医療処置における薬液の滴下速度と粘性
- 石けん浣腸に関する実験的研究 : チューブ通過時における温度変化についての検証
- 石けん浣腸に関する実験的研究 :
- 29p-Q-8 気相エピタキシャル成長したGaAs_xP_/GaPの格子欠陥(29pQ 結晶成長)