4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1984-09-10
著者
関連論文
- GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
- 3p-M-3 電子照射励起拡散についての考察
- 3a-C-3 ニッケルの原子空孔の移動度
- アルミニウムの超塑性変形による積層欠陥四面体型原子空孔集合体の形成
- 27p-H-2 急冷したAl希薄合金の電子照射損傷
- 31a-G-8 固体内核形成成長理論に関する考察-II
- 15a-G-7 ^Coγ線照射を受けたP型Geの焼鈍
- 13a-L-5 回転ターゲットD-T中性子源RTNS-IIによる固体材料の照射損傷
- 12p-DL-2 シリコンの電子線照射欠陥の電子流密度依存性
- 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
- 転位欠損状態での塑性変形による原子空孔の異常発生機構
- 28a-E-1 電子照射による欠陥発生の結晶内電子流状態依存
- 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
- 3a-M-3 電子照射された半導体中の欠陥の空間分布
- 4a-TB-3 中性子照射により形成される格子欠陥
- 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 2a-KL-8 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体と点欠陥のふるまい
- 14a-L-13 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 13p-K-1 点欠陥集合過程に関与する要因の分析
- 29p-H-1 ゲルマニウムの電子照射と空孔型欠陥集合体
- 3a-SG-8 モデル計算による非晶質内拡散機構の考察 II
- 30p-SG-16 電子照射ゲルマニウム中の欠陥集合体
- 4p-NJ-15 ゲルマニウムの高温電子照射損傷
- 4p-NJ-12 モデル計算による非晶質内拡散機構の考察
- 4a-L-11 ゲルマニウムの電子照射損傷と点欠陥の性質
- 3a-C-2 格子間原子と原子空孔の動的平衡下での点欠陥集合体
- 6p-W-2 混晶半導体の暗視野像のchemical sensitivity
- 3p-E4-8 Cu-Pd合金の不整合構造の形成過程
- 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
- ボート法によるGaAs結晶成長時の固液界面形状と欠陥構造 : 評価
- 暗視野TEM法によるVPE-GaAs_xP_中の濃度変動の解析 : 薄膜
- 3a-X-7 気相エピタキシャル法で作られたGaAs_xP_/GaPの透過電子顕微鏡観察
- 25pY-12 高速変形したFeRh合金における陽電子消滅寿命
- 1a-T-8 ゲルマニウムにおける転位ループの焼鈍と自己拡散
- 1a-T-7 鉄の原子空孔移動度
- 4p-NJ-14 金属の電子照射損傷と電子回折条件との関係
- 30a-G-11 結晶化進行中での非晶質Fe-Bの緩和現象
- 4a-L-5 転位ループの縮小消滅機構と点欠陥過程
- 27a-J-12 非晶質内拡散の潜在空孔モデル
- 1p-CE-7 Random reaction による点欠陥集合体の核形成
- 6a-M-11 電子照射励起拡散の温度依存
- 6a-M-10 電子照射による点欠陥の形成消滅のKimetics
- 6a-M-9 原子空孔型と格子間原子型転位ループの縮小機構
- 6a-M-8 格子間原子型転位ループの消滅過程を用いた自己拡散エネルギーの測定
- 6a-M-7 電子照射損傷を用いた金属の原子空孔移動度の測定
- 7p-Q-2 Al-Zn合金と電子照射励起拡散
- 7a-M-9 固体内核形成成長理論に関する一考察 : 反応速度論的取扱いとの関連
- 6a-M-7 金属の低温電子照射損傷と格子間原子の移動度
- 10p-N-5 亜鉛の電顕内電子照射損傷
- 10p-N-3 電子照射励起拡散
- 超高圧電子顕微鏡で点欠陥の挙動を探る
- 7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
- 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
- 30p-YC-5 高分解能電子顕微鏡で見た半導体中の水素誘起欠陥
- 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
- 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
- 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
- 24a-T-9 IV族及びIII-V族半導体における水素誘起欠陥
- 5a-Z-11 軽ガスイオン照射によってできた半導体中の板状欠陥
- 2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥
- LPE法で作られたAl_xGa_As系ヘテロ接合のTEMによる評価 : エピタキシーII
- 13a-L-6 核分裂中性子による金属・合金の照射損傷
- 29a-ZB-3 Si・Geにおける水素誘起板状欠陥の回折コントラスト
- 30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
- 29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
- 27a-K-9 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体の発生と空間分布
- 14p-R-13 MgO粉末のE.S.R
- 4a-L-11 Siの放射線損傷とそのannealing
- 29a-D-11 非晶貭Si, Geホイスカの結晶化
- 4p-N-10 Si,Ge ホイスカーの成長並びに不純物の影響
- シリコン, ゲルマニウム・ウィスカーの成長機構と構造変化 : ホイスカー
- 1a-BA-4 シリコン,ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長
- 10p-E-7 シリコン・ゲルマニウムの非晶質ウイスカーの形態とそれらの性質
- 10p-E-6 非晶質シリコンウイスカーの成長
- シリコン非晶質ウィスカーの成長過程 : ホイスカー・基礎
- シリコン・ゲルマニウム非晶質ウィスカーの形状とその性質 : ホイスカー・基礎
- 7a-N-9 シリコンひげ結晶の成長とその物性
- 23p-L-9 電子線またはγ線照射N型Geの回復過程
- 5a-G-13 N型ゲルマニウムの放射線損傷とその焼鈍
- 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
- 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
- 30p-E-11 半導体中の微小金属析出物のEELS測定
- InPにおける点欠陥の拡散過程
- 27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
- 4a-YG-12 TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価
- 28p-P-6 GaPの電子線誘起欠陥
- 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
- 5p-A3-3 III-V化合物半導体のイオン照射欠陥の電子顕微鏡による研究
- 7p-S-3 Siウィスカーの多型成長と非晶質Si繊維の構造
- 13a-L-7 温室,200℃および400℃における金属,合金のD-T中性子照射損傷
- 2a-C-3 Faulted Sessile Dislocation Loopの離面運動
- 2a-TA-5 Si(113)面上の電子線照射欠陥の電子線回折
- 1p-TE-1 『シリコンの点欠陥と自己拡散はどこまで解明されたか』企画の趣旨
- シリコンの点欠陥と自己拡散
- 4a-ZA-5 シリコンの自己拡散の担い手は何か
- 30p-H-2 シリコン・ゲルマニウムの電子照射損傷と自己拡散
- 29p-LG-3 点欠陥の動的平衡下におけるゆらぎの効果(格子欠陥)
- 29p-Q-8 気相エピタキシャル成長したGaAs_xP_/GaPの格子欠陥(29pQ 結晶成長)
- 29p-LG-4 カスケード損傷からの点欠陥集合体形成の反応論(格子欠陥)