4p-NJ-12 モデル計算による非晶質内拡散機構の考察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-09-14
著者
関連論文
- 3p-M-3 電子照射励起拡散についての考察
- 3p-M-2 電子照射した金属の高温における点欠陥集合体の核形成
- 14a-Q-12 金属の電顕内低温電子照射損傷
- 14a-Q-11 電子照射した金属の格子間原子型転位ループの成長過程と空孔の易動度
- 14a-Q-10 高純度モリブデンの電顕内電子照射損傷
- 24a-L-6 タングステンの電顕内電子照射損傷
- 24a-L-3 金属の電子顕微鏡内低温電子照射損傷
- 3a-C-3 ニッケルの原子空孔の移動度
- アルミニウムの超塑性変形による積層欠陥四面体型原子空孔集合体の形成
- 27p-H-2 急冷したAl希薄合金の電子照射損傷
- 4p-NJ-13 ガスを含んだボイドの焼鈍による消滅機構
- 31a-G-8 固体内核形成成長理論に関する考察-II
- 5p-N-12 低温蒸着膜の回復過程
- 3a-U-12 電子顕微鏡による金および鉄の電子照射損傷
- 13a-L-5 回転ターゲットD-T中性子源RTNS-IIによる固体材料の照射損傷
- 転位欠損状態での塑性変形による原子空孔の異常発生機構
- 28a-E-1 電子照射による欠陥発生の結晶内電子流状態依存
- 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
- 3a-M-3 電子照射された半導体中の欠陥の空間分布
- 4a-TB-3 中性子照射により形成される格子欠陥
- 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 2a-KL-8 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体と点欠陥のふるまい
- 14a-L-13 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 13p-K-1 点欠陥集合過程に関与する要因の分析
- 29p-H-1 ゲルマニウムの電子照射と空孔型欠陥集合体
- 3a-SG-8 モデル計算による非晶質内拡散機構の考察 II
- 30p-SG-16 電子照射ゲルマニウム中の欠陥集合体
- 4p-NJ-15 ゲルマニウムの高温電子照射損傷
- 4p-NJ-12 モデル計算による非晶質内拡散機構の考察
- 4a-L-11 ゲルマニウムの電子照射損傷と点欠陥の性質
- 3a-C-2 格子間原子と原子空孔の動的平衡下での点欠陥集合体
- 25pY-12 高速変形したFeRh合金における陽電子消滅寿命
- 1a-T-8 ゲルマニウムにおける転位ループの焼鈍と自己拡散
- 1a-T-7 鉄の原子空孔移動度
- 4p-NJ-14 金属の電子照射損傷と電子回折条件との関係
- 30a-G-11 結晶化進行中での非晶質Fe-Bの緩和現象
- 4a-L-5 転位ループの縮小消滅機構と点欠陥過程
- 27a-J-12 非晶質内拡散の潜在空孔モデル
- 1p-CE-7 Random reaction による点欠陥集合体の核形成
- 6a-M-11 電子照射励起拡散の温度依存
- 6a-M-10 電子照射による点欠陥の形成消滅のKimetics
- 6a-M-9 原子空孔型と格子間原子型転位ループの縮小機構
- 6a-M-8 格子間原子型転位ループの消滅過程を用いた自己拡散エネルギーの測定
- 6a-M-7 電子照射損傷を用いた金属の原子空孔移動度の測定
- 7p-Q-2 Al-Zn合金と電子照射励起拡散
- 7a-M-9 固体内核形成成長理論に関する一考察 : 反応速度論的取扱いとの関連
- 6a-M-7 金属の低温電子照射損傷と格子間原子の移動度
- 10p-N-5 亜鉛の電顕内電子照射損傷
- 10p-N-3 電子照射励起拡散
- 超高圧電子顕微鏡で点欠陥の挙動を探る
- 13a-L-6 核分裂中性子による金属・合金の照射損傷
- 7p-Q-4 金,アルミニウムの高速中性子損傷
- 13a-L-7 温室,200℃および400℃における金属,合金のD-T中性子照射損傷
- 5p-KM-2 電子照射した銅の格子間原子型転位ループの成長過程
- 30a-J-4 高温照射下の動的擬平衡における原子空孔集合体
- 3p-P-4 金属の高温電子照射損傷と空孔微小集合体
- 5p-KM-1 電子照射した銅における空孔型二次欠陥の規則配列
- 24a-L-5 Al-Zn合金の電顕内電子照射損傷
- 24a-L-4 電子照射したアルミニウム中の格子間原子型集合体欠陥
- 3a-G-10 銅その他の金属の電子顕微鏡内電子照射損傷
- 11p-U-9 電顕内電子線照射損傷により導入された原子空孔の挙動
- 5p-KM-3 電子照射による二次欠陥形成に及ぼす薄膜試料の表面の効果
- 11p-U-8 電子照射により導入された点欠陥と既存の欠陥との相互作用
- 2a-C-3 Faulted Sessile Dislocation Loopの離面運動
- 1a-CE-7 Variable Vacancy 機構による非晶質の拡散と結晶化
- 3a-G-12 低温時効による過飽和原子空孔の集合過程
- 3p-N-4 電顕内電子照射損傷による欠陥の形成 : 消滅過程
- 29p-LG-3 点欠陥の動的平衡下におけるゆらぎの効果(格子欠陥)
- 29p-LG-4 カスケード損傷からの点欠陥集合体形成の反応論(格子欠陥)