3a-C-3 ニッケルの原子空孔の移動度
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1984-09-10
著者
関連論文
- 30a-ZN-10 カスケード損傷下における格子間原子集合体の発生・成長に及ぼす点欠陥反応のゆらぎの効果
- 30a-ZN-9 電子照射における点欠陥反応の確率的揺らぎ現象の検出と解析
- 1a-D-5 照射下における点欠陥反応のゆらぎと微小点欠陥集合体の生成・消滅
- 3p-M-3 電子照射励起拡散についての考察
- 14a-DK-12 局所電子照射法による格子間原子反応と原子空孔反応の分離検出
- 14a-DK-11 規則合金におけるカスケード損傷領域と点欠陥集合体の発生の相関
- 14a-DK-10 カスケード損傷における点欠陥反応のアンバランスを引き起こす要因の分析
- 1a-D-4 金属中の微小格子間原子集合体の位置的不安定性
- 1a-D-3 ヘリカル転位の形成・成長にもとづいた点欠陥反応の検出
- 25p-H-2 照射損傷構造発達におよぼすカスケードサイズの効果
- 30a-ZN-11 カスケード損傷による点欠陥初期分布の効果の解析
- 27a-K-6 中性子照射下における金属中の点欠陥反応におよぼす表面の効果
- 5a-Z-12 反跳エネルギースペクトルの差からみた核分裂・核融合中性子照射損傷の比較
- 5a-Z-9 中性子照射された金属における点欠陥集合体生成におよぼす先在シンクの効果
- 31p-F-1 高エネルギー粒子照射により生成するカスケード内の点欠陥初期分布に起因する電子空孔の優位性
- 5a-A3-10 反跳エネルギースペクトル解析からみたカスケード損傷初期過程
- 5a-A3-8 中性子照射損傷構造の顕在化に対するカスケードからの衝撃の効果
- 3a-C-3 ニッケルの原子空孔の移動度
- 27p-H-2 急冷したAl希薄合金の電子照射損傷
- 31a-G-8 固体内核形成成長理論に関する考察-II
- 13a-L-5 回転ターゲットD-T中性子源RTNS-IIによる固体材料の照射損傷
- 3a-M-3 電子照射された半導体中の欠陥の空間分布
- 4a-TB-3 中性子照射により形成される格子欠陥
- 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 2a-KL-8 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体と点欠陥のふるまい
- 14a-L-13 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 13p-K-1 点欠陥集合過程に関与する要因の分析
- 29p-H-1 ゲルマニウムの電子照射と空孔型欠陥集合体
- 3a-SG-8 モデル計算による非晶質内拡散機構の考察 II
- 4p-NJ-12 モデル計算による非晶質内拡散機構の考察
- 3a-C-2 格子間原子と原子空孔の動的平衡下での点欠陥集合体
- 1a-T-8 ゲルマニウムにおける転位ループの焼鈍と自己拡散
- 1a-T-7 鉄の原子空孔移動度
- 4p-NJ-14 金属の電子照射損傷と電子回折条件との関係
- 30a-G-11 結晶化進行中での非晶質Fe-Bの緩和現象
- 4a-L-5 転位ループの縮小消滅機構と点欠陥過程
- 27a-J-12 非晶質内拡散の潜在空孔モデル
- 1p-CE-7 Random reaction による点欠陥集合体の核形成
- 6a-M-11 電子照射励起拡散の温度依存
- 6a-M-10 電子照射による点欠陥の形成消滅のKimetics
- 6a-M-9 原子空孔型と格子間原子型転位ループの縮小機構
- 6a-M-8 格子間原子型転位ループの消滅過程を用いた自己拡散エネルギーの測定
- 6a-M-7 電子照射損傷を用いた金属の原子空孔移動度の測定
- 7p-Q-2 Al-Zn合金と電子照射励起拡散
- 7a-M-9 固体内核形成成長理論に関する一考察 : 反応速度論的取扱いとの関連
- 6a-M-7 金属の低温電子照射損傷と格子間原子の移動度
- 10p-N-5 亜鉛の電顕内電子照射損傷
- 10p-N-3 電子照射励起拡散
- 超高圧電子顕微鏡で点欠陥の挙動を探る
- 13a-L-6 核分裂中性子による金属・合金の照射損傷
- 13a-L-7 温室,200℃および400℃における金属,合金のD-T中性子照射損傷
- 2a-C-3 Faulted Sessile Dislocation Loopの離面運動
- 11a-N-9 II-VI化合物の電顕試料作製法
- 3pM2-6 Siの電丁照射による損傷構造発達に及ぼす材料変質の効果(格子欠陥)
- 29p-LG-3 点欠陥の動的平衡下におけるゆらぎの効果(格子欠陥)
- 3a-M2-2 14MeV中槻子照射によるカスケード損傷の反跳エネルキースペクトル解析(格子欠陥)
- 30p-T-7 電子照射によるCu中の積層欠陥四面体の発生・消滅に対する溶質原子の効果(30pT 格子欠陥)
- 30p-T-6 Siの電子照射による転位ループの成長・収縮に及ぼす不純物効果の解析(30pT 格子欠陥)
- 29p-LG-4 カスケード損傷からの点欠陥集合体形成の反応論(格子欠陥)