竹田 精治 | 阪大教養
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概要
関連著者
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竹田 精治
阪大教養
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平田 光兒
阪大教養
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平田 光児
阪大理
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平田 光児
阪大教養
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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武藤 俊介
名古屋大学大学院工学研究科
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武藤 俊介
阪大教養
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平田 光兒
阪大院理
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田辺 哲朗
阪大工
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平田 雅子
神戸市立看護短期大学(物理学)
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平田 雅子
神戸市立看護短大
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桐谷 道雄
北大工
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桐谷 道雄
広工大
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藤井 克司
三菱化成
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大野 裕
阪大教養
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堀内 繁雄
無機材研
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堀内 繁雄
三菱ガス科学(株)総合研究所
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竹田 精治
阪大・教養
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三菱モンサント化成
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三菱化成
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藤井 克司
三菱モンサント
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吉田 博行
京大原子炉
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藤田 尚徳
三菱化成総合研究所
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林 禎彦
京大原子炉
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藤井 克司
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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Kulik J.
カリフォルニア大
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de Fontaine
カリフォルニア大
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藤井 克司
三菱化成ポリテック(株)
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井部 克彦
日本電子(株)
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佐藤 忠重
三菱化成
著作論文
- 12p-DL-2 シリコンの電子線照射欠陥の電子流密度依存性
- 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
- 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
- 4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
- 2a-KL-8 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体と点欠陥のふるまい
- 6p-W-2 混晶半導体の暗視野像のchemical sensitivity
- 3p-E4-8 Cu-Pd合金の不整合構造の形成過程
- 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
- 3a-X-7 気相エピタキシャル法で作られたGaAs_xP_/GaPの透過電子顕微鏡観察
- 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
- 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
- 24a-T-9 IV族及びIII-V族半導体における水素誘起欠陥
- 5a-Z-11 軽ガスイオン照射によってできた半導体中の板状欠陥
- 2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥
- 27a-K-9 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体の発生と空間分布
- 4a-YG-12 TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価
- 28p-P-6 GaPの電子線誘起欠陥
- 5p-A3-3 III-V化合物半導体のイオン照射欠陥の電子顕微鏡による研究
- 29p-Q-8 気相エピタキシャル成長したGaAs_xP_/GaPの格子欠陥(29pQ 結晶成長)