林 禎彦 | 京大原子炉
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概要
関連著者
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林 禎彦
京大原子炉
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義家 敏正
Research Reactor Institute Kyoto University
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義家 敏正
京大
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谷脇 雅文
高知工科大学工学部
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堂山 昌男
東大工
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新田 紀子
神戸大工
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堂山 昌男
帝京科学大
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堂山 昌男
帝京科大
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吉田 博行
京大原子炉
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義家 敏正
京大原子炉
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瀬尾 健
京大原子炉
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林 竹男
京大原子炉
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Takahashi Masatomo
Division Of Hematology And Oncology Department Of Internal Medicine St. Marianna University School O
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Takahashi Masatomo
聖マリアンナ医科大学 血液・腫瘍内科
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谷脇 雅文
Department Of Environmental Systems Engineering Kochi University Of Technology
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Tomonaga Masao
Department Of Hematology And Molecular Medicine Unit Atomic Bomb Disease Institute Nagasaki Universi
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Tomonaga Masao
Department Of Hematology Atomic Bomb Disease Institute Nagasaki University School Of Medicine
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Taniwaki Masafumi
Third Department Of Internal Medicine Kyoto Prefectural University Of Medicine
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Taniwaki Masafumi
Department Of Molecular Hematology And Oncology Kyoto Prefectural University Of Medicine Graduate Sc
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Tomonaga Masao
Department Of Hematology Molecular Medicine Unit Atomic Disease Institute Nagasaki University Gradua
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Tomonaga Masao
Department Of Hematology Molecular Medicine Unit Atomic Bomb Disease Institute Nagasaki University
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Tanimoto Mitsune
Okayama Univ. Graduate School Of Medicine Okayama Jpn
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森 博太郎
大阪大学超高圧電子顕微鏡センター
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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青木 敦
京府大
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武藤 俊介
名古屋大学大学院工学研究科
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保田 英洋
神戸大学大学院工学研究科
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義家 敏正
京都大学原子炉実験所
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保田 英洋
神戸大工
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森 博太郎
阪大電顕セ
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森 博太郎
阪大UHVEM
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大岡 由佳理
高知工大工
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谷脇 雅文
高知工大工
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新田 紀子
高知工科大学物質・環境システム工学科
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鈴木 朝夫
高知工科大学工学部物質・環境システム工学科
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林 禎彦
京都大学原子炉実験所
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佐藤 裕樹
京都大学原子炉実験所
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鈴木 朝夫
高知工科大学工学部
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武藤 俊介
阪大教養
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谷脇 雅文
高知工科大学
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Tanimoto Mitsune
Okayama Univ. Hospital Okayama Jpn
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鈴木 朝夫
高知工科大
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谷脇 雅文
北大 工
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森 博太郎
大阪大学 超高圧電子顕微鏡センター
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谷脇 雅文
北大工学部
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山木 貴志
北大工学部
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竹田 精治
阪大教養
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平田 光兒
阪大教養
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青木 敦
京大原子炉実験所
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田辺 哲朗
阪大工
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平田 光児
阪大理
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佐藤 裕樹
東北大金研
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新田 紀子
高知工科大学ナノテクノロジー研究所
著作論文
- 24pYF-11 GaSb, InSbの電子線照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- イオン照射によって導入された点欠陥によるセル構造の形成
- 低温でのSnイオン注入によってGaSb表面に形成される特異な欠陥構造とその形成機構
- Design of Slow Positron Lens System for transmission Positron Microscopes (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成13年度)
- Design and trial construction of positron microscopes (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- イメージング・プレートのポジトロンに対する感光特性
- 26p-ZT-4 低温イオン注入によって化合物半導体に誘起される相変態
- 50keV Fe+をイオン注入したGaAsのDLTS
- 13a-A-11 ^Wの励起状態に於けるg-因子
- 10p-A-13 ^Ndによるγ線の角度相関
- 2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥