平田 光兒 | 阪大教養

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概要

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関連著者

• 平田 光兒

  阪大教養

• 平田 光児

  阪大理

• 平田 光児

  阪大教養

• 平田 光兒

  阪大院理

• 竹田 精治

  阪大教養

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• 武藤 俊介

  名古屋大学大学院工学研究科

• 武藤 俊介

  阪大教養

• 桐谷 道雄

  広工大

• 竹田 精治

  阪大理物

• 竹田 精治

  阪大理学研究科

• Takeda Shingo

  Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology

• 桐谷 道雄

  北大工

• 藤井 克司

  三菱化成

• 平田 光兒

  阪大理

• 平田 雅子

  神戸市立看護短大

• 平田 雅子

  神戸市立看護短期大学(物理学)

• 藤田 尚徳

  三菱化成総合研究所

• 竹田 精治

  阪大・教養

• 平田 光兒

  阪大・教養

• 田辺 哲朗

  阪大工

• 河野 日出夫

  大阪大学大学院理学研究科

• 竹田 精治

  阪大・理

• 平田 光兒

  阪大・理

• 河野 日出夫

  阪大・理

• 大野 裕

  阪大教養

• 藤井 克司

  三菱モンサント化成

• 平田 光兒

  大阪大学教養部

• 大野 裕

  阪大理

• 藤田 尚徳

  三菱化成

• 藤井 克司

  三菱モンサント

• 竹田 精治

  阪大院理

• 大野 裕

  阪大院理

• 巽 勇吉

  大阪大学教養部物理教室

• 下山 謙司

  三菱化学株式会社

• 下山 謙司

  三菱化学

• 華 国春

  阪大・教養

• 尾崎 信彦

  筑波大院 数理物質科学研究科

• 尾崎 信彦

  阪大院理

• 巽 勇吉

  阪大教養

• 久野 淑己

  阪大理

• 細井 信行

  三菱化学

• 福本 正紀

  阪大教養

• 田中 通義

  東北大科研

• 田中 通義

  東北大多元研

• 吉田 博行

  京大原子炉

• 寺内 正己

  東北大科研

• 堀内 繁雄

  無機材研

• 林 禎彦

  京大原子炉

• 大嶋 隆一郎

  大阪ニュークリアサイエンス協会

• 香山 正憲

  大工研

• 野町 健

  阪大・理

• 武藤 俊介

  名大理工総研

• 武藤 俊介

  阪大理

• 武藤 俊介

  阪大・理

• 桐谷 道雄

  阪大基礎工

• 桐谷 道雄

  名大・工

• 宮本 欽生

  阪大 教養

• 堀内 繁雄

  三菱ガス科学(株)総合研究所

• 竹田 精治

  大阪大学・大学院理学研究科

• 平賀 賢二

  東北大・金研

• 武藤 俊介

  阪大・教養

• 平田 雅子

  神戸看護短大

• 藤井 克司

  阪大基礎工

• 大嶋 隆一郎

  阪大基礎工

• 藤井 克司

  Center For Interdisciplinary Research Tohoku University

• 大嶋 隆一郎

  大阪大学基礎工学部

• 藤井 克司

  三菱化成ポリテック(株)

• 井部 克彦

  日本電子(株)

• 佐藤 忠重

  三菱化成

• 馬淵 敏暢

  阪大・理

• 宮崎 隆行

  阪大理

• 武藤 俊介

  大阪大学理学部

• 竹田 精治

  大阪大学理学部

• 平田 光兒

  大阪大学理学部

• 竹田 精治

  大阪大学教養部物理学教室

• 竹田 清治

  阪大教養

• 華 国春

  大阪大学教養部

• 石渡 俊男

  三菱化成総合研究所

• 信貴 幹夫

  阪大基礎工

• 藤本 亮二

  阪大基礎工

• 宮本 欽生

  阪大教養

• 平田 光兒

  阪大教養部

• 馬淵 敏暢

  阪大院理

• 山川 洋幸

  阪大教養

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著作論文

• GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
• 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
• 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
• 3a-M-3 電子照射された半導体中の欠陥の空間分布
• 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
• 4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
• 2a-KL-8 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体と点欠陥のふるまい
• 14a-L-13 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
• 29p-H-1 ゲルマニウムの電子照射と空孔型欠陥集合体
• 30p-SG-16 電子照射ゲルマニウム中の欠陥集合体
• 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
• ボート法によるGaAs結晶成長時の固液界面形状と欠陥構造 : 評価
• 暗視野TEM法によるVPE-GaAs_xP_中の濃度変動の解析 : 薄膜
• 3a-X-7 気相エピタキシャル法で作られたGaAs_xP_/GaPの透過電子顕微鏡観察
• 7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
• 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
• 30p-YC-5 高分解能電子顕微鏡で見た半導体中の水素誘起欠陥
• 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
• 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
• 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
• 24a-T-9 IV族及びIII-V族半導体における水素誘起欠陥
• 5a-Z-11 軽ガスイオン照射によってできた半導体中の板状欠陥
• 2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥
• LPE法で作られたAl_xGa_As系ヘテロ接合のTEMによる評価 : エピタキシーII
• 29a-ZB-3 Si・Geにおける水素誘起板状欠陥の回折コントラスト
• 30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
• 29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
• 27a-K-9 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体の発生と空間分布
• 4p-N-10 Si,Ge ホイスカーの成長並びに不純物の影響
• 1a-BA-4 シリコン,ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長
• 23p-L-9 電子線またはγ線照射N型Geの回復過程
• 5a-G-13 N型ゲルマニウムの放射線損傷とその焼鈍
• 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
• 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
• 30p-E-11 半導体中の微小金属析出物のEELS測定
• InPにおける点欠陥の拡散過程
• 27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
• 4a-YG-12 TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価
• 28p-P-6 GaPの電子線誘起欠陥
• 4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
• 5p-A3-3 III-V化合物半導体のイオン照射欠陥の電子顕微鏡による研究
• 2a-TA-5 Si(113)面上の電子線照射欠陥の電子線回折
• 1p-TE-1 『シリコンの点欠陥と自己拡散はどこまで解明されたか』企画の趣旨
• シリコンの点欠陥と自己拡散
• 4a-ZA-5 シリコンの自己拡散の担い手は何か
• 30p-H-2 シリコン・ゲルマニウムの電子照射損傷と自己拡散
• 3a-N-10 N型ゲルマニウムの放射線損傷と不純物効果

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