桐谷 道雄 | 名大・工

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概要

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著作論文

• 25p-H-2 照射損傷構造発達におよぼすカスケードサイズの効果
• 27a-K-6 中性子照射下における金属中の点欠陥反応におよぼす表面の効果
• 5a-Z-9 中性子照射された金属における点欠陥集合体生成におよぼす先在シンクの効果
• 31p-F-1 高エネルギー粒子照射により生成するカスケード内の点欠陥初期分布に起因する電子空孔の優位性
• 5a-A3-8 中性子照射損傷構造の顕在化に対するカスケードからの衝撃の効果
• 30p-F-11 銅中に電子照射により形成・成長する点欠陥集合体におよぼす表面の効果
• 31a-YC-11 ニッケルにおける積層欠陥四面体の焼鈍による消滅機構
• 26p-T-1 CuおよびAuの積層欠陥エネルギーの原子埋め込み法による計算
• 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造

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