大野 裕 | 阪大院理

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概要

• 同名の論文著者
• 阪大院理の論文著者

関連著者

• 大野 裕

  阪大院理

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• 竹田 精治

  阪大院理

• 大野 裕

  東北大金研

• Takeda Shingo

  Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology

• 竹田 精治

  大阪大学・大学院理学研究科

• Ohno Y

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• 大野 裕

  東北大学金属材料研究所

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大

• 大野 裕

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• 米永 一郎

  東北大金研

• 徳本 有紀

  東北大学金属材料研究所

• 米永 一郎

  東北大金属材料研究所

• 太子 敏則

  信州大学工学部

• Okigawa Yuki

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 尾崎 信彦

  阪大院理

• Takeda Shingo

  Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.

• 竹田 精治

  阪大・教養

• 尾崎 信彦

  筑波大院 数理物質科学研究科

• 米永 一郎

  東北大学金属材料研究所

• 村尾 優

  東北大学金属材料研究所

• 吉川 純

  阪大院理

• 沓掛 健太朗

  東北大学金属材料研究所

• 井上 海平

  東北大金研

• 太子 敏則

  東北大金研

• Takeda Shuzaburo

  Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University

• 井上 海平

  東北大学金属材料研究所

• 市橋 鋭也

  NEC基礎研究所

• 鳥越 和尚

  阪大院理

• 太子 敏則

  信州大学カーボン科学研究所

• 吉川 純

  東北大多元研:aist:阪大院理学研究科

• 市橋 鋭也

  Nec基礎・環境研究所

• 太子 敏則

  信州大学工学研究科

• 八百 隆文

  東北大金研

• 八百 隆文

  東北大学際セ

• 山崎 順

  名古屋大学理工科学総合研究センター

• 八百 隆文

  Center For Interdisciplinary Research Tohoku University

• 山崎 順

  阪大院理

• 植田 耕平

  阪大院理

• 八百 隆文

  東北大学際センター

• 米永 一郎

  東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室

• 河野 日出夫

  阪大院理

• 足立 直人

  阪大院理

• 藤井 克司

  Center For Interdisciplinary Research Tohoku University

• 白濱 武郎

  阪大院理

• 河野 日出夫

  大阪大学大学院理学研究科

• 西谷 滋人

  関西学院大理工

• 大澤 隆亮

  東北大金研

• 西谷 滋人

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 市川 聡

  阪大ナノ機構

• 市川 聡

  産業技術総合研究所

• 市川 聡

  東京大学大学院新領域創成科学研究科

• 平田 光児

  阪大教養

• 平田 光兒

  阪大教養

• 丹原 匡彦

  阪大院理

• 平田 光児

  阪大理

• 平田 光兒

  阪大院理

• 藤井 克司

  東北大環境

• 大澤 隆亨

  東北大学金属材料研究所

• 成田 一生

  東北大学金属材料研究所

• 西谷 滋人

  関西学院大・理工

• 市川 聡

  大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター

• 太子 敏則

  信州大工

• 沓掛 健太朗

  東北大金研

• 山本 直紀

  東工大院理工

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• 井上 耕治

  東北大金研

• 永井 康介

  東北大金研

• 戸賀瀬 健介

  関西学院大理工

• 高見澤 悠

  東北大金研

• 伊勢 秀彰

  東北大金研

• 山本 直紀

  東工大院理工:jst-crest

• 石墨 淳

  奈良先端大物質

• 香山 正憲

  産総研関西

• 表 和彦

  リガク

• 秋田 知樹

  産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門

• 秋田 知樹

  産総研関西

• 米永 一郎

  東北大・金研

• 竹田 精冶

  阪大院理

• 平井 竜太

  阪大院理

• 金光 義彦

  奈良先端大物質

• 太子 敏則

  信州大カーボン科学研究所

• 清水 康雄

  東北大金研

• 望月 多恵

  三菱化学

• 藤井 克司

  三菱化学

• 濱田 大介

  阪大院理

• 白浜 晃一

  阪大院理

• Takeda Shigeru

  National Laboratory For High Energy Physics

• 竹田 精治

  大阪大学・産業科学研究所

• 馬淵 敏暢

  阪大院理

• 池中 清乃

  阪大院理

• 李 憲宰

  東北大学際センター

• 伊勢 秀彰

  東北大学金属材料研究所

• 吉田 秀人

  阪大産研

• 竹田 精治

  阪大産研

• 李 賢宰

  東北大学際センター

• 谷口 僚

  関西学院大・理工

• 大野 裕

  東北大・金研

• 秋 元成

  阪大院理

• 後藤 頼良

  東北大金研

• 香山 正憲

  産総研関西セ

• 海老澤 直樹

  東北大金研

• 山崎 順

  名大院工

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著作論文

• 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 27aYG-8 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
• 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
• 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
• 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
• 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
• 13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
• 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
• 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
• 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
• 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
• 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
• 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
• 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
• 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
• 23aW-13 シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定
• 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pZ-5 シリコン {111} 表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性
• 26pYL-9 GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造
• 31a-ZA-11 GaInP中の反位相境界に起因する局在電子準位
• 30p-YK-11 c-BN中の窒素バブル
• 24pCD-6 IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aCD-4 赤外吸収による熱処理したGe単結晶内の格子間酸素の測定(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19pAR-5 ゲルマニウム単結晶における酸素の熱処理による拳動(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27aXS-9 Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 7aSK-3 SiGe混晶における電子線照射誘起の拡張欠陥(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 7aSK-8 ZnSe薄膜中における光照射による積層欠陥の形成 : 電子顕微鏡その場観察(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
• 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pKA-6 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aWD-3 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の生成消滅メカニズム(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 25pPSB-36 シリコンナノワイヤー成長におけるナノ触媒形成過程のSTM観察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 24aWJ-5 面欠陥からの偏光CL光の定量解析(24aWJ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
• 25aXR-3 SiGeにおける電子線照射効果(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))

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