大野 裕 | 阪大院理
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概要
関連著者
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大野 裕
阪大院理
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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竹田 精治
阪大院理
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大野 裕
東北大金研
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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大野 裕
東北大学金属材料研究所
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徳本 有紀
東北大金研
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米永 一郎
東北大
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大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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米永 一郎
東北大金研
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徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
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米永 一郎
東北大金属材料研究所
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太子 敏則
信州大学工学部
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Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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尾崎 信彦
阪大院理
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Takeda Shingo
Graduate School Of Science Himeji Inst. Of Tech.
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竹田 精治
阪大・教養
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尾崎 信彦
筑波大院 数理物質科学研究科
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所
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村尾 優
東北大学金属材料研究所
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吉川 純
阪大院理
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沓掛 健太朗
東北大学金属材料研究所
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井上 海平
東北大金研
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太子 敏則
東北大金研
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Takeda Shuzaburo
Department Of Electro-photo-optics School Of Engineering Tokai University
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井上 海平
東北大学金属材料研究所
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市橋 鋭也
NEC基礎研究所
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鳥越 和尚
阪大院理
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太子 敏則
信州大学カーボン科学研究所
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吉川 純
東北大多元研:aist:阪大院理学研究科
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市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
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太子 敏則
信州大学工学研究科
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八百 隆文
東北大金研
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八百 隆文
東北大学際セ
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山崎 順
名古屋大学理工科学総合研究センター
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八百 隆文
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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山崎 順
阪大院理
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植田 耕平
阪大院理
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八百 隆文
東北大学際センター
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室
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河野 日出夫
阪大院理
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足立 直人
阪大院理
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藤井 克司
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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白濱 武郎
阪大院理
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河野 日出夫
大阪大学大学院理学研究科
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西谷 滋人
関西学院大理工
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大澤 隆亮
東北大金研
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西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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市川 聡
阪大ナノ機構
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市川 聡
産業技術総合研究所
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市川 聡
東京大学大学院新領域創成科学研究科
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平田 光児
阪大教養
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平田 光兒
阪大教養
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丹原 匡彦
阪大院理
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平田 光児
阪大理
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平田 光兒
阪大院理
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藤井 克司
東北大環境
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大澤 隆亨
東北大学金属材料研究所
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成田 一生
東北大学金属材料研究所
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西谷 滋人
関西学院大・理工
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市川 聡
大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター
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太子 敏則
信州大工
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沓掛 健太朗
東北大金研
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山本 直紀
東工大院理工
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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井上 耕治
東北大金研
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永井 康介
東北大金研
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戸賀瀬 健介
関西学院大理工
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高見澤 悠
東北大金研
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伊勢 秀彰
東北大金研
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山本 直紀
東工大院理工:jst-crest
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石墨 淳
奈良先端大物質
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香山 正憲
産総研関西
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表 和彦
リガク
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秋田 知樹
産業技術総合研究所関西センター・ユビキタスエネルギー研究部門
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秋田 知樹
産総研関西
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米永 一郎
東北大・金研
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竹田 精冶
阪大院理
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平井 竜太
阪大院理
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金光 義彦
奈良先端大物質
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太子 敏則
信州大カーボン科学研究所
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清水 康雄
東北大金研
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望月 多恵
三菱化学
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藤井 克司
三菱化学
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濱田 大介
阪大院理
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白浜 晃一
阪大院理
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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竹田 精治
大阪大学・産業科学研究所
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馬淵 敏暢
阪大院理
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池中 清乃
阪大院理
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李 憲宰
東北大学際センター
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伊勢 秀彰
東北大学金属材料研究所
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吉田 秀人
阪大産研
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竹田 精治
阪大産研
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李 賢宰
東北大学際センター
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谷口 僚
関西学院大・理工
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大野 裕
東北大・金研
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秋 元成
阪大院理
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後藤 頼良
東北大金研
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香山 正憲
産総研関西セ
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海老澤 直樹
東北大金研
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山崎 順
名大院工
著作論文
- 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
- 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
- 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
- 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
- 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
- 27aYG-8 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
- 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
- 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
- 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
- 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
- 13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)
- 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
- 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
- 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
- 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
- 28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
- 30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
- 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
- 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
- 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
- 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
- 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
- 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
- 23aW-13 シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定
- 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pZ-5 シリコン {111} 表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性
- 26pYL-9 GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造
- 31a-ZA-11 GaInP中の反位相境界に起因する局在電子準位
- 30p-YK-11 c-BN中の窒素バブル
- 24pCD-6 IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-4 赤外吸収による熱処理したGe単結晶内の格子間酸素の測定(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-5 ゲルマニウム単結晶における酸素の熱処理による拳動(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-9 Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 7aSK-3 SiGe混晶における電子線照射誘起の拡張欠陥(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 7aSK-8 ZnSe薄膜中における光照射による積層欠陥の形成 : 電子顕微鏡その場観察(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-6 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aWD-3 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の生成消滅メカニズム(24aWD 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 25pPSB-36 シリコンナノワイヤー成長におけるナノ触媒形成過程のSTM観察(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 24aWJ-5 面欠陥からの偏光CL光の定量解析(24aWJ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))
- 25aXR-3 SiGeにおける電子線照射効果(25aXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))