太子 敏則 | 東北大金研

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概要

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• 太子 敏則

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• 米永 一郎

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大

• 大野 裕

  東北大金研

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Ohno Yoshikazu

  Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation

• Okamoto Yasunori

  Research And Headquarters Kubota Corporation

• Ohno Y

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• 太子 敏則

  信州大学工学部

• Okigawa Yuki

  Graduate School Of Engineering Nagoya University

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 大野 裕

  東北大学金属材料研究所

• 徳本 有紀

  東北大学金属材料研究所

• 大野 裕

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• 米永 一郎

  東北大学金属材料研究所

• 大野 裕

  阪大院理

• 太子 敏則

  信州大学カーボン科学研究所

• 米永 一郎

  東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室

• 米永 一郎

  東北大金属材料研究所

• 村尾 優

  東北大学金属材料研究所

• 大澤 隆亮

  東北大金研

• 小泉 晴比古

  東北大金研

• 小泉 晴比古

  東北大・金研

• 大澤 隆亨

  東北大学金属材料研究所

• 伊勢 秀彰

  東北大金研

• 太子 敏則

  東北大学金属材料研究所

• 沓掛 健太朗

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• 成田 一生

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• 井上 海平

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• 井上 海平

  東北大金研

• 末澤 正志

  東北大金研

• Vanhellemont Jan

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• 後藤 裕輝

  東北大金研:東北大学際セ

• 八百 隆文

  東北大金研

• 末澤 正志

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• 藤井 克司

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• 太子 敏則

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• 八百 隆文

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• 藤井 克司

  Center For Interdisciplinary Research Tohoku University

• Vanhellemont Jan

  Institute For Materials Research Tohoku University

• 伊勢 秀彰

  東北大学金属材料研究所

• 八百 隆文

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著作論文

• 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
• 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 液状酸化ホウ素(B2O3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成
• 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 液状酸化ホウ素(B_2O_3)を用いた無転位・酸素添加ゲルマニウム結晶の育成

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