徳本 有紀 | 東北大金研
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概要
関連著者
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徳本 有紀
東北大金研
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大野 裕
東北大金研
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米永 一郎
東北大金研
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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米永 一郎
東北大
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大野 裕
東北大学金属材料研究所
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徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
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大野 裕
阪大院理
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大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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太子 敏則
信州大学工学部
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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米永 一郎
東北大金属材料研究所
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所
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太子 敏則
東北大金研
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井上 海平
東北大金研
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沓掛 健太朗
東北大金研
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村尾 優
東北大学金属材料研究所
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井上 海平
東北大学金属材料研究所
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沓掛 健太朗
東北大学金属材料研究所
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室
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太子 敏則
信州大学カーボン科学研究所
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大澤 隆亮
東北大金研
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八百 隆文
東北大学際セ
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大澤 隆亨
東北大学金属材料研究所
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太子 敏則
信州大学工学研究科
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八百 隆文
東北大金研
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八百 隆文
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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八百 隆文
東北大学際センター
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伊勢 秀彰
東北大金研
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西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
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太子 敏則
東北大学金属材料研究所
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三宅 秀人
三重大工
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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藤井 克司
東北大環境
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成田 一生
東北大学金属材料研究所
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西谷 滋人
関西学院大・理工
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太子 敏則
信州大工
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沓掛 健太朗
東北大金研:JSTさきがけ
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種市 寛人
東北大金研
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後藤 頼良
東北大金研
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竹田 精治
大阪大学大学院理学研究科
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井上 耕治
東北大金研
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永井 康介
東北大金研
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戸賀瀬 健介
関西学院大理工
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西谷 滋人
関西学院大理工
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高見澤 悠
東北大金研
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末澤 正志
東北大金研
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Vanhellemont Jan
Institute for Materials Research, Tohoku University
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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表 和彦
リガク
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山本 洋佑
関西学院大学理工学部情報科学科
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末澤 正志
東北大・金研
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太子 敏則
信州大カーボン科学研究所
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清水 康雄
東北大金研
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竹田 精治
大阪大学・大学院理学研究科
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藤井 克司
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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Vanhellemont Jan
Institute For Materials Research Tohoku University
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Takeda Shigeru
National Laboratory For High Energy Physics
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李 憲宰
東北大学際センター
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伊勢 秀彰
東北大学金属材料研究所
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吉田 秀人
阪大産研
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竹田 精治
阪大産研
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李 賢宰
東北大学際センター
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正木 佳宏
関学理工
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西谷 滋人
関学理工
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海老澤 直樹
東北大金研
著作論文
- 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
- 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24pCD-6 IV族不純物添加ゲルマニウム結晶中の転位の運動(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-8 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の形成について(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-4 赤外吸収による熱処理したGe単結晶内の格子間酸素の測定(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-2 シリコン結晶中の対応粒界の粒界転位構造と結晶成長に伴う変化(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24aCD-1 GeAs/Ge(111)界面の構造解析(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 24pCD-1 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-1 シリコン中の積層欠陥とドーパント原子の相互作用エネルギー(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-2 AIN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 19pAR-5 ゲルマニウム単結晶における酸素の熱処理による拳動(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-7 X線回折顕微法によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-9 Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27aXS-1 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位の発生挙動の解明(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 26pKA-7 Al_xGa_N薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25pPSA-13 Si結晶中の積層欠陥における不純物ドーパントの第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))