太子 敏則 | 東北大学金属材料研究所
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概要
関連著者
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太子 敏則
東北大学金属材料研究所
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干川 圭吾
信州大学教育学部
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干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
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干川 圭吾
信州大
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太子 敏則
信州大学教育学部
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干川 圭吾
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
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黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
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深海 龍夫
信州大学工学部電気電子工学科
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干川 圭吾
信州大・教育
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深海 龍夫
信州大学工学部
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加藤 健太郎
信州大工
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加藤 健太郎
東京大学 大学院 薬学系研究科
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林 貴之
シメオ精密(株)
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太子 敏則
信州大・教育
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深海 龍夫
信州大学
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太子 敏則
信州大学工学部
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番場 教子
信州大学工学部電気電子工学科
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飯田 敏
富山大・理
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近浦 吉則
九工大
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究センター
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梶原 堅太郎
Jasri Spring-8
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太子 敏則
信州大教
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干川 圭吾
信州大教
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近浦 吉則
九州工業大学工学部物質工学科
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飯田 敏
富山大学理学部物理学科
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川戸 清爾
九州シンクロトロン光研究センター
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加藤 健太郎
信州大学工学部
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黄 新明
信州大学教育学部
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干川 岳志
東北大学金属材料研究所
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黄 新明
東北大学金属材料研究所
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鈴木 芳文
九州工業大学大学院工学研究科
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究所
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黄 新明
(株)シリコンテクノロジー
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久保田 政芳
住友金属鉱山(株)
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梶ケ谷 富男
住友金属鉱山(株)
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究センター 産業利用推進室
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太子 敏則
信州大学工学研究科
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番場 教子
信州大学工学部
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大野 裕
東北大金研
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太子 敏則
東北大金研
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米永 一郎
東北大金研
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大石 修治
信州大学工学部環境機能工学科
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宇田 聡
東北大学金属材料研究所
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徳本 有紀
東北大金研
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所、男女共同参画委員会、女性研究者育成支援推進室
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米永 一郎
東北大
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鈴木 芳文
九工大・工
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梶原 堅太郎
SPring-8
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佐崎 元
北海道大学低温科学研究所
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宇田 聡
東北大学
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宇田 聡
三菱マテリアル
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大野 裕
東北大学金属材料研究所
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徳本 有紀
東北大学金属材料研究所
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川戸 清爾
理学電機(株)X線研究所
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Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
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深海 龍夫
信州大工
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Ohno Y
Nagoya Univ. Naogya Jpn
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Ohno Yoshikazu
Ulsi Laboratory Mitsubishi Electric Corporation
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出作 雅幸
富山大
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Okamoto Yasunori
Research And Headquarters Kubota Corporation
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王 鉄峰
信州大・教育
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太子 敏則
信州大・工
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黄 新明
信州大・教
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深海 龍夫
信州大・工
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Okigawa Yuki
Graduate School Of Engineering Nagoya University
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米永 一郎
東北大学金属材料研究所
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鈴木 芳文
九工大 (工)
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福山 博之
東北大学多元物質科学研究所
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長嶋 剣
東北大学大学院理学研究科
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佐崎 元
東北大・金研
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高岸 洋一
立命館大学理工学部
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吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
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末澤 正志
東北大金研
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丸山 隆浩
名城大学理工学部材料機能工学科
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宍戸 統悦
東北大金研
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大石 修治
信州大工
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遠藤 尚之
シメオ精密
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佐藤 正英
金沢大学総合メディア基盤センター
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勝野 弘康
学習院大学計算機センター
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宇佐美 徳隆
東北大学金属材料研究所
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勝野 弘康
名古屋大学大学院理学研究科
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志村 玲子
東北大学金属材料研究所
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木村 博充
東北大学金属材料研究所
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佐崎 元
大阪大学大学院工学研究科
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丸山 隆浩
名城大学理工学部
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末澤 正志
東北大・金研
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鈴木 孝臣
信州大学工学部環境機能工学科
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梅野 正隆
阪大
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黄 晋二
東北大学 金属材料研究所
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村尾 優
東北大学金属材料研究所
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柿本 浩一
九大応用力研
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藤田 容子
信州大工
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鈴木 孝臣
信州大工
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近浦 吉則
九州工業大学工学部自然科学教室
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佐崎 元
北大低温研:jst-さきがけ
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鈴木 芳文
九州工業大学工学部物質工学科
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吉村 政志
大阪大学大学院 工学研究科
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深田 直樹
東北大金研
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梅野 正隆
阪大・工
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劉 立軍
九大
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デュラン A.
信州大工
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深田 直樹
東北大金研:(現)筑波大物理工学系
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深田 直樹
物質材料研究機構
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番場 教子
信州大工
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藤原 和崇
三菱マテリアル(株)
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Nagashima Ken
Department Of Earth And Planetary Materials Science Graduate School Of Science Tohoku University
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川戸 清爾
九州シンクロトロン
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山口 敏
富山大
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遠藤 尚之
株式会社西軽精機
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黄 新明
信大教
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干川 圭吾
信大教
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黄 新明
信大・教育
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黄 晋二
東北大学金属材料研究所
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大石 修治
信州大・工
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干川 岳志
信州大・工
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干川 圭吾
信州大教育
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太子 敏則
信大工
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王 鉄峰
信大教
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劉 立軍
九大応用力学研究所
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徳山 裕司
東北大金研
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太子 敏則
信州大教育
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太子 敏則
信大・教
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干川 圭吾
信大・工
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大野 裕
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
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近浦 吉則
九州工業大学・大学院工学研究科
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佐〓 元
東北大学・金研
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佐崎 元
豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所
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木村 博充
東北大学金属材料研究所 博士課程
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長嶋 剣
阪大・工
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飯田 敏
富山大学理学部・物理
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川戸 清爾
九州シンクロ
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究センタ
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深田 直樹
物質・材料研究機構
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勝野 弘康
名古屋大学
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佐崎 元
北海道大学 低温科学研究所
著作論文
- 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 「The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15) in conjunction with The 13th Conference on Vapor Growth Epitaxy and The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy」報告
- Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
- モリブデン酸カルシウム結晶の塩化ナトリウムフラックス成長 : 溶液成長I
- 「The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-4)」 報告
- 19aB06 垂直ブリッジマン法によるランガテイト単結晶の育成と電気的特性の評価(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)
- 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 26aD02 垂直ブリッジマン法による還元雰囲気下でのランガサイト単結晶の育成(機能性結晶(1),第34回結晶成長国内会議)
- トポ・トモグラフィ技術を併用した放射光白色トポグラフィによる転位の3D構造決定
- SPring-8におけるCZ-Si結晶中の転位の伝播挙動と三次元構造評価(半導体結晶成長III)
- Si単結晶インゴットのX線トポグラフィ : バルク結晶成長III
- 1. シリコン・化合物半導体バルク結晶(「The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology(CGCT-4)」報告)
- 3.半導体バルク結晶(「The 15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15) in conjunction with The 13th Conference on Vapor Growth and Epitaxy and The US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy」報告)
- 01aA03 Si結晶成長における複数の不純物添加の偏析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
- 17aA04 Si結晶成長におけるGaの偏析に関する解析(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- 無ネッキング無転位CZ-Si詰晶成長の種子づけ条件の検討 : バルク結晶成長III
- 無ネッキング無転位CZ-Si結晶成長 : バルク成長I
- Ga添加CZ-Si結晶育成(半導体結晶成長III)
- 無ネック無転位シリコン単結晶成長(最新のブレークスルーとなった成長技術)
- 細いネック部を形成しない無転位CZ-Si結晶成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- CZ-Si結晶成長における高濃度B添加種子/低濃度B添加成長結晶界面のミスフィット転位の抑制機構 : バルク成長シンポジウム
- CZ-Si結晶成長における成長界面近傍温度の勾配 : バルク成長I
- 大きな濃度差を持つ固液界面での不純物拡散数値解析(半導体結晶成長III)
- 31aYG-10 p 型シリコン結晶の電子照射誘起点欠陥による光吸収
- 22aA4 高濃度B添加CZ-Si結晶成長(バルク成長I)
- 22aA2 ボロン添加シリコン融液と石英ガラスとの反応その場観察(バルク成長I)
- 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
- 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長
- 高濃度ボロン添加シリコン結晶成長