干川 圭吾 | 信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
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概要
関連著者
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干川 圭吾
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
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干川 圭吾
信州大学教育学部
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干川 圭吾
信州大学教育学部教育実践研究指導センター
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干川 圭吾
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太子 敏則
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太子 敏則
信州大学教育学部
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信州大学工学部電気電子工学科
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深海 龍夫
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番場 教子
信州大学工学部電気電子工学科
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深海 龍夫
信州大学工学部
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番場 教子
信州大学工学部
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加藤 健太郎
信州大工
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加藤 健太郎
東京大学 大学院 薬学系研究科
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黄 新明
Ja Solar Holdings Co. Ltd.
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林 貴之
シメオ精密(株)
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遠藤 尚之
シメオ精密
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干川 圭吾
信州大・教育
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太子 敏則
信州大・教育
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遠藤 尚之
株式会社西軽精機
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工藤 賢一
長野県精密工業試験場
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垣内 健児
長野県精密工業試験場
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太子 敏則
信州大教
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干川 圭吾
信州大教
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加藤 健太郎
信州大学工学部
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黄 新明
東北大学金属材料研究所
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大石 修治
信州大学工学部環境機能工学科
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宇田 聡
東北大学金属材料研究所
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飯田 敏
富山大・理
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近浦 吉則
九工大
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鈴木 芳文
九工大・工
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究センター
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梶原 堅太郎
SPring-8
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宇田 聡
東北大学
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宇田 聡
三菱マテリアル
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黄 晋二
東北大学 金属材料研究所
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梶原 堅太郎
Jasri Spring-8
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近浦 吉則
九州工業大学工学部物質工学科
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飯田 敏
富山大学理学部物理学科
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川戸 清爾
理学電機(株)X線研究所
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Huang X
Nanjing Univ. Nanjing Chn
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川戸 清爾
九州シンクロトロン光研究センター
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深海 龍夫
信州大工
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出作 雅幸
富山大
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黄 晋二
東北大学金属材料研究所
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渡部 弘行
株式会社倉元製作所
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三瓶 桂子
株式会社倉元製作所
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鈴木 芳文
九州工業大学大学院工学研究科
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究所
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黄 新明
(株)シリコンテクノロジー
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HOSHIKAWA Keigo
Faculty of Education, Shinshu University
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TAISHI Toshinori
Faculty of Education, Shinshu University
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HUANG Xinming
Silicon Technology Corporation
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梶原 堅太郎
高輝度光科学研究センター 産業利用推進室
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鈴木 芳文
九工大 (工)
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末澤 正志
東北大金研
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宍戸 統悦
東北大金研
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大石 修治
信州大工
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干川 圭吾
信州大学
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末澤 正志
東北大・金研
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鈴木 孝臣
信州大学工学部環境機能工学科
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梅野 正隆
阪大
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柿本 浩一
九大応用力研
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藤田 容子
信州大工
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鈴木 孝臣
信州大工
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深田 直樹
東北大金研
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梅野 正隆
阪大・工
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劉 立軍
九大
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デュラン A.
信州大工
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深田 直樹
東北大金研:(現)筑波大物理工学系
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深田 直樹
物質材料研究機構
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番場 教子
信州大工
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藤原 和崇
三菱マテリアル(株)
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山口 敏
富山大
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竹中 貴之
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
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番場 教子
信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻
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干川 岳志
東北大学金属材料研究所
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大石 修治
信州大・工
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干川 岳志
信州大・工
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干川 圭吾
信州大教育
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Nakanishi Masami
Silicon Technology Corporation
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SATO Tsuyoshi
Silicon Technology Corporation
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YU Xuegong
Faculty of Education, Shinshu University
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YANG Deren
State Key Lab of Si Materials, Zhejiang University
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水谷 康治
信州大学
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劉 立軍
九大応用力学研究所
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徳山 裕司
東北大金研
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太子 敏則
信州大教育
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深田 直樹
物質・材料研究機構
著作論文
- モリブデン酸カルシウム結晶の塩化ナトリウムフラックス成長 : 溶液成長I
- 一方向凝固法によるタンタル酸カリウム単結晶の育成(薄膜プロセス・材料,一般)
- 19aB06 垂直ブリッジマン法によるランガテイト単結晶の育成と電気的特性の評価(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)
- 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
- 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
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- 26aD02 垂直ブリッジマン法による還元雰囲気下でのランガサイト単結晶の育成(機能性結晶(1),第34回結晶成長国内会議)
- SPring-8におけるCZ-Si結晶中の転位の伝播挙動と三次元構造評価(半導体結晶成長III)
- Si単結晶インゴットのX線トポグラフィ : バルク結晶成長III
- 垂直ブリッジマン法により育成したニオブ酸カリウム結晶の圧電特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
- 垂直ブリッジマン法により育成したニオブ酸カリウム結晶の圧電特性(圧電デバイス材料 強誘電材料 一般)
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- 無ネッキング無転位CZ-Si詰晶成長の種子づけ条件の検討 : バルク結晶成長III
- 25aA03 石英るつぼとシリコン融液の界面反応 : バリウムドーピング効果(バルク,第34回結晶成長国内会議)
- 石英るつぼとシリコン融液の界面反応 : バリウムドーピング効果
- Ga添加CZ-Si結晶育成(半導体結晶成長III)
- 無ネック無転位シリコン単結晶成長(最新のブレークスルーとなった成長技術)
- 細いネック部を形成しない無転位CZ-Si結晶成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
- High Strength Si Wafers with Heavy B and Ge Codoping
- Dislocation Formation in Czochralski Si Crystal Growth Using an Annealed Heavily B-Doped Si Seed
- るつぼ封止VB法によるニオブ酸カリウム結晶の一方向凝固(機能性結晶IV)
- 大きな濃度差を持つ固液界面での不純物拡散数値解析(半導体結晶成長III)
- 31aYG-10 p 型シリコン結晶の電子照射誘起点欠陥による光吸収