太子 敏則 | 信州大学教育学部

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概要

• 同名の論文著者
• 信州大学教育学部の論文著者

関連著者

• 太子 敏則

  東北大学金属材料研究所

• 太子 敏則

  信州大学教育学部

• 干川 圭吾

  信州大学教育学部

• 干川 圭吾

  信州大学教育学部教育実践研究指導センター

• 干川 圭吾

  信州大

• 干川 圭吾

  信州大学大学院工学系研究科電気電子工学専攻

• 黄 新明

  Ja Solar Holdings Co. Ltd.

• 深海 龍夫

  信州大学工学部電気電子工学科

• 干川 圭吾

  信州大・教育

• 加藤 健太郎

  信州大工

• 加藤 健太郎

  東京大学 大学院 薬学系研究科

• 林 貴之

  シメオ精密(株)

• 太子 敏則

  信州大・教育

• 深海 龍夫

  信州大学

• 番場 教子

  信州大学工学部電気電子工学科

• 飯田 敏

  富山大・理

• 近浦 吉則

  九工大

• 梶原 堅太郎

  高輝度光科学研究センター

• 梶原 堅太郎

  Jasri Spring-8

• 太子 敏則

  信州大教

• 干川 圭吾

  信州大教

• 近浦 吉則

  九州工業大学工学部物質工学科

• 飯田 敏

  富山大学理学部物理学科

• 川戸 清爾

  九州シンクロトロン光研究センター

• 加藤 健太郎

  信州大学工学部

• 干川 岳志

  東北大学金属材料研究所

• 黄 新明

  東北大学金属材料研究所

• 鈴木 芳文

  九州工業大学大学院工学研究科

• 梶原 堅太郎

  高輝度光科学研究所

• 黄 新明

  (株)シリコンテクノロジー

• 梶原 堅太郎

  高輝度光科学研究センター 産業利用推進室

• 深海 龍夫

  信州大学工学部

• 番場 教子

  信州大学工学部

• 大石 修治

  信州大学工学部環境機能工学科

• 宇田 聡

  東北大学金属材料研究所

• 鈴木 芳文

  九工大・工

• 梶原 堅太郎

  SPring-8

• 宇田 聡

  東北大学

• 宇田 聡

  三菱マテリアル

• 川戸 清爾

  理学電機(株)X線研究所

• 深海 龍夫

  信州大工

• 出作 雅幸

  富山大

• 王 鉄峰

  信州大・教育

• 鈴木 芳文

  九工大 (工)

• 末澤 正志

  東北大金研

• 宍戸 統悦

  東北大金研

• 大石 修治

  信州大工

• 遠藤 尚之

  シメオ精密

• 末澤 正志

  東北大・金研

• 鈴木 孝臣

  信州大学工学部環境機能工学科

• 梅野 正隆

  阪大

• 黄 晋二

  東北大学 金属材料研究所

• 柿本 浩一

  九大応用力研

• 藤田 容子

  信州大工

• 鈴木 孝臣

  信州大工

• 近浦 吉則

  九州工業大学工学部自然科学教室

• 鈴木 芳文

  九州工業大学工学部物質工学科

• 深田 直樹

  東北大金研

• 梅野 正隆

  阪大・工

• 劉 立軍

  九大

• デュラン A.

  信州大工

• 深田 直樹

  東北大金研:(現)筑波大物理工学系

• 深田 直樹

  物質材料研究機構

• 番場 教子

  信州大工

• 藤原 和崇

  三菱マテリアル(株)

• 川戸 清爾

  九州シンクロトロン

• 山口 敏

  富山大

• 遠藤 尚之

  株式会社西軽精機

• 黄 新明

  信大教

• 干川 圭吾

  信大教

• 黄 晋二

  東北大学金属材料研究所

• 大石 修治

  信州大・工

• 干川 岳志

  信州大・工

• 干川 圭吾

  信州大教育

• 太子 敏則

  信大工

• 王 鉄峰

  信大教

• 太子 敏則

  信州大・工

• 黄 新明

  信州大・教

• 深海 龍夫

  信州大・工

• 劉 立軍

  九大応用力学研究所

• 徳山 裕司

  東北大金研

• 太子 敏則

  信州大教育

• 近浦 吉則

  九州工業大学・大学院工学研究科

• 飯田 敏

  富山大学理学部・物理

• 川戸 清爾

  九州シンクロ

• 梶原 堅太郎

  高輝度光科学研究センタ

• 深田 直樹

  物質・材料研究機構

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著作論文

• モリブデン酸カルシウム結晶の塩化ナトリウムフラックス成長 : 溶液成長I
• 19aB06 垂直ブリッジマン法によるランガテイト単結晶の育成と電気的特性の評価(機能性結晶(2),第35回結晶成長国内会議)
• 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• 26aD02 垂直ブリッジマン法による還元雰囲気下でのランガサイト単結晶の育成(機能性結晶(1),第34回結晶成長国内会議)
• トポ・トモグラフィ技術を併用した放射光白色トポグラフィによる転位の3D構造決定
• SPring-8におけるCZ-Si結晶中の転位の伝播挙動と三次元構造評価(半導体結晶成長III)
• Si単結晶インゴットのX線トポグラフィ : バルク結晶成長III
• 01aA03 Si結晶成長における複数の不純物添加の偏析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
• 17aA04 Si結晶成長におけるGaの偏析に関する解析(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
• 無ネッキング無転位CZ-Si詰晶成長の種子づけ条件の検討 : バルク結晶成長III
• 無ネッキング無転位CZ-Si結晶成長 : バルク成長I
• Ga添加CZ-Si結晶育成(半導体結晶成長III)
• 無ネック無転位シリコン単結晶成長(最新のブレークスルーとなった成長技術)
• 細いネック部を形成しない無転位CZ-Si結晶成長(バルク成長分科会特集 : 結晶成長の科学と技術)
• CZ-Si結晶成長における高濃度B添加種子/低濃度B添加成長結晶界面のミスフィット転位の抑制機構 : バルク成長シンポジウム
• CZ-Si結晶成長における成長界面近傍温度の勾配 : バルク成長I
• 大きな濃度差を持つ固液界面での不純物拡散数値解析(半導体結晶成長III)
• 31aYG-10 p 型シリコン結晶の電子照射誘起点欠陥による光吸収

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