川戸 清爾 | 九州シンクロ

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• 飯田 敏

  富山大学理学部物理学科

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• 郭 其新

  佐賀大理工

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  九工大

• 太子 敏則

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• 太子 敏則

  信州大学教育学部

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  九州シンクロトロン光研究センター

• 平井 康晴

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• 近浦 吉則

  九州工業大学工学部自然科学教室

• 近浦 吉則

  九州工業大学工学部物質工学科

• 鈴木 芳文

  九州工業大学工学部物質工学科

• 飯田 敏

  富山大理

• 石地 耕太朗

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• 白神 智

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• 鈴木 芳文

  九州工業大学大学院工学研究科

• 大谷 亮太

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• 近浦 吉則

  九州工業大学・大学院工学研究科

• 馬込 栄輔

  九州シンクロ

• 向出 大平

  キヤノン(株)分析技術研究部

• 本間 輝昭

  九大クリーン実験ステーション

• 鳥越 和尚

  九大クリーン実験ステーション

• 土渕 香織

  九大クリーン実験ステーション

• 馬込 栄輔

  九州シンクロトロン光:(現)広大理学研究科

• 馬込 英輔

  広大院理

• 長町 信治

  (株)長町サイエンスラボ

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著作論文

• 27aRB-2 X線トポグラフィーによるイオン注入SiC単結晶の微細構造観察(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aWX-2 放射光X線トポグラフィによるCZシリコン結晶ネック部の転位の三次元分布観察(24aWX 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• トポ・トモグラフィ技術を併用した放射光白色トポグラフィによる転位の3D構造決定
• X線トポグラフィの三次元化と応用
• 放射光X線トポグラフィの進展
• 24aCD-6 注入時温度を変えたリンイオン注入SiCの結晶構造(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19pAR-10 SiCのPイオン注入によって生じた表面歪み源の形状と電気特性(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pKA-3 P^+イオン注入4H-SiCのマクロ欠陥の局所歪み場と電気伝導性(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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