19pAR-10 SiCのPイオン注入によって生じた表面歪み源の形状と電気特性(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2012-08-24

著者

• 石地 耕太朗

  九州シンクロ

• 長町 信治

  (株)イオンテクノセンター

• 川戸 清爾

  九州シンクロトロン

• 川戸 清爾

  九州シンクロ

• 平井 康晴

  九州シンクロ

• 本間 輝昭

  九大クリーン実験ステーション

• 鳥越 和尚

  九大クリーン実験ステーション

• 土渕 香織

  九大クリーン実験ステーション

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