20aXF-4 Si(110)ステップ表面上におけるGaAsのエピタキシャル成長プロセスと界面微細構造(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 保田 英洋

  神戸大工

• 石地 耕太朗

  九州シンクロ

• 石地 耕太朗

  高エネ研物構研

• 石地 耕太朗

  九州シンクロトロン

• 横畠 康平

  神戸大工

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