26pKA-3 P^+イオン注入4H-SiCのマクロ欠陥の局所歪み場と電気伝導性(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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概要

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• 2013-08-26

著者

• 石地 耕太朗

  九州シンクロ

• 川戸 清爾

  九州シンクロトロン

• 川戸 清爾

  九州シンクロ

• 平井 康晴

  九州シンクロ

• 長町 信治

  (株)長町サイエンスラボ

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