24aCD-6 注入時温度を変えたリンイオン注入SiCの結晶構造(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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概要
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- 2012-03-05
著者
-
郭 其新
佐賀大理工
-
平井 康晴
九州シンクロトロン
-
石地 耕太朗
九州シンクロ
-
長町 信治
(株)イオンテクノセンター
-
川戸 清爾
九州シンクロトロン
-
馬込 栄輔
九州シンクロ
-
川戸 清爾
九州シンクロ
-
平井 康晴
九州シンクロ
-
馬込 栄輔
九州シンクロトロン光:(現)広大理学研究科
-
馬込 英輔
広大院理
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