19pAR-12 重力誘起拡散効果を用いたa-Si/Geの界面構造制御とX線反射率法による評価(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
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概要
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- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2012-08-24
著者
-
真下 茂
熊大衝撃センター
-
馬込 栄輔
九州シンクロ
-
隅谷 和嗣
九州シンクロトロン光
-
井口 祐介
熊大衝撃センター
-
Erdelyi Zoltan
デプレツェン大
-
Langer Gabor
デプレツェン大
-
Csik Attila
原子核研
-
Beke Dezso
デプレツェン大
-
井口 祐介
熊大衝撃センター:熊大イノベ
-
馬込 栄輔
九州シンクロトロン光:(現)広大理学研究科
-
馬込 英輔
広大院理
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